村上正紀R-GIRO機構長代理が「第56回日本金属学会　学会賞」を受賞されました。
　この賞は、日本金属学会における最高の賞で、金属に関する学理または技術の進歩発達に顕著な貢献をした国際的学者に対して贈られる賞です。

　村上機構長代理は、シリコン半導体、化合物半導体、超伝導デバイス用の高機能電極材料の開発のため、長年にわたり、薄膜材料の基礎研究に携わり、様々な電子デバイスの高度化に貢献してこられました。
　また、これらの薄膜材料の基礎と応用を結びつけた先駆的な研究は国際的に高い評価を受け、多くの国際会議での基調講演に招待されているだけでなく、“Science”をはじめとする多数の国際専門誌の解説にも招待され、紫綬褒章などの数々の賞を国内外から受けられています。
　これらの業績が評価され今回の受賞に至り、同時に金牌が授与されました。

代表的な研究成果：
（１）超微細粒薄膜材料の高強度特性の発見による（超伝導デバイス用）高信頼ジョセフソン素子材料の開発
（２）半導体中間層形成の発見による（化合物半導体デバイス用）低接触抵抗電極材料の開発、および、
（３）超粗大結晶粒成長および表皮膜自己形成の発見による（Si半導体デバイス用）高伝導Cu配線材料の開発