理工学研究科 博士後期過程2回生のファイズルサリヒン・ビン・アバスさん（光電子物性デバイス研究室）が、名城大学（名古屋）にて開催されたISPlasma2018 / IC-PLANTS2018（2018年3月4日～8日）において「The Best Oral Presentation Awards」を受賞しました。

発表内容
　窒化インジウム（InN）は、2014年のノーベル賞受賞対象となった青色LED、白色LED、ブルーレイ用青紫色レーザーに用いられている窒化ガリウム（GaN）と同種の材料です。この材料を用いることで、超高周波・高速で動作するトランジスタや変換効率が50％を超えるような太陽電池が実現できると期待されています。また最近では熱電変換素子用の材料としても注目されています。

　しかしながら、赤崎勇教授（名城大学）・天野浩教授（名古屋大学）・中村修二教授（米カリフォルニア大学）が苦労された窒化ガリウム同様に、デバイス応用に繋がるような窒化インジウム結晶成長は非常に困難で、その最大要因が窒化インジウム結晶中に発生する高密度の貫通転位（結晶欠陥）です。この貫通転位密度を減らすことが、窒化インジウム結晶高品質化への最重要課題です。

　本学会では、この窒化インジウム中の貫通転位密度低減の新しい手法を報告致しました。今回報告した方法は、①結晶成長中のプロセスで実施可能、②結晶全域において効果をもたらすことが可能という２点において生産性、応用性に優れていると期待できるものです。

受賞コメント
　私の研究等に対して常に手助けをしてくださる荒木先生、毛利先生、名西先生、藤井先生、城川先生、光・電子物性デバイス研究室（荒木・毛利研）の仲間たち、および関係者各位からのご支援に心より感謝いたします。今回得られた国際賞は協力してくれた皆様とともにいただいた賞だと考えています。どうもありがとうございました。