理工学部・名西憓之名誉教授が国際会議「ISPlasma2021/IC-PLANTS2021」にて最高位のISPlasma賞を受賞

 理工学部・名西憓之名誉教授が、3月7日~11日にオンラインで開催された国際会議「ISPlasma2021/IC-PLANTS2021」にてISPlasma賞を受賞しました。この賞は本会議から授与される最高位の賞で、過去13回の開催の内2人目の受賞となります。

名西憓之名誉教授
名西憓之名誉教授

 ISPlasmaは、プラズマ分野において多大な研究実績を有する東海地域に世界中から優れた研究者が集い、先進プラズマ科学、窒化物半導体とナノ材料への応用、産業界との連携について広く議論する有数の国際会議です。
 名西教授は、高い励起効果を有するECRプラズマと原子レベルの結晶成長が可能なMBE法を融合させたECR-MBE法の提案と、Si基板上へのGaAsの成長や高品質InNの成長と真のバンドギャップの発見といった研究成果、加えて数回にわたる招待講演やチュートリアル講演、シンポジウムやランプセッションの企画を通じての本国際会議の発展への寄与が評価され、今回の賞が贈られることとなりました。

ISPlasma賞表彰盾
ISPlasma賞表彰盾

 

名西憓之名誉教授の受賞コメント

 超LSIに代表されるSiを基盤とする半導体電子デバイスと、レーザダイオード(LD)や発光ダイオード(LED)に代表されるGaAsやInPを基盤とする半導体光デバイスの集積化を可能とする革新的技術として、30年以上前に世界に先駆け提案した、ECR-MBE技術と、この技術により可能となったInNの高品質化さらに世界を驚かせたバンドギャップエネルギーの新発見に対し、国際社会から最高の評価をいただけたことに対し、大変うれしく思います。これらの成果は立命館大学に在籍した多くの学生や、大学院生諸君、ポスドクなどの研究スタッフ、支えていただいた大学の事務スタッフなどの長年にわたる献身的貢献により得られたもので、この喜びをこれら協力してくださった皆さんと分かち合うとともに、この場をおかりして感謝いたします。

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