立命館オープンコースウェアへようこそ

立命館大学立命館アジア太平洋大学

Homeコース一覧

集積デバイス工学

講義ノート

授業回数
テーマ
キーワード
講義ノート
第1回
半導体物性とMOSトランジスタ復習
P型半導体,N型半導体,抵抗率,PN接合,MOS構造
01.pdf
第2回
LSIの製造プロセス(1)
トランジスタの構造,歩留まり,フォトマスク,成膜工程,転写工程
02.pdf
第3回
LSIの製造プロセス(2)
エッチング工程,イオン注入工程
03.pdf
第4回
CMOSLSIの製造フロー
素子分離,ウエル形成,拡散領域形成,コンタクト形成,Al配線形成,多層配線
04.pdf
第5回
LSIの構成要素
拡散抵抗,シート抵抗,MOS容量,接合容量
05.pdf
第6回
MOSトランジスタとインバータ(1)
PMOSトランジスタの特性,インバータ,論理しきい値電圧
06.pdf
第7回
MOSトランジスタとインバータ(2)
DC特性,トランジスタのスイッチングモデル
07.pdf
第8回
MOSトランジスタとインバータ(3)
AC特性,立ち上がり/立下り時間,消費電力
08.pdf
第9回
CMOS回路の構成方法(1)
NAND回路,NOR回路,トランスミッションゲート,マルチプレクサ
09.pdf
第10回
CMOS回路の構成方法(2)
複合ゲート,Dラッチ,Dフリップフロップ
10.pdf
第11回
CMOSLSIのレイアウト
インバータ,基板固定,デザインルール,DRC,LVS
11.pdf
第12回
SPICEシミュレーション
ネットリスト,過渡解析,DC解析
12.pdf
第13回
スケーリング則と短チャネル効果
チャネル長変調効果,サブスレッショルド係数,パンチスルー,短チャネル効果
13.pdf
第14回
高性能トランジスタと配線
SOIトランジスタ,ひずみシリコントランジスタ,low-k層間絶縁膜
14.pdf
第15回
定期試験