授業回数 |
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講義ノート |
第1回 |
半導体物性とMOSトランジスタ復習 |
P型半導体,N型半導体,抵抗率,PN接合,MOS構造 |
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第2回 |
LSIの製造プロセス(1) |
トランジスタの構造,歩留まり,フォトマスク,成膜工程,転写工程 |
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第3回 |
LSIの製造プロセス(2) |
エッチング工程,イオン注入工程 |
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第4回 |
CMOSLSIの製造フロー |
素子分離,ウエル形成,拡散領域形成,コンタクト形成,Al配線形成,多層配線 |
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第5回 |
LSIの構成要素 |
拡散抵抗,シート抵抗,MOS容量,接合容量 |
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第6回 |
MOSトランジスタとインバータ(1) |
PMOSトランジスタの特性,インバータ,論理しきい値電圧 |
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第7回 |
MOSトランジスタとインバータ(2) |
DC特性,トランジスタのスイッチングモデル |
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第8回 |
MOSトランジスタとインバータ(3) |
AC特性,立ち上がり/立下り時間,消費電力 |
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第9回 |
CMOS回路の構成方法(1) |
NAND回路,NOR回路,トランスミッションゲート,マルチプレクサ |
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第10回 |
CMOS回路の構成方法(2) |
複合ゲート,Dラッチ,Dフリップフロップ |
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第11回 |
CMOSLSIのレイアウト |
インバータ,基板固定,デザインルール,DRC,LVS |
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第12回 |
SPICEシミュレーション |
ネットリスト,過渡解析,DC解析 |
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第13回 |
スケーリング則と短チャネル効果 |
チャネル長変調効果,サブスレッショルド係数,パンチスルー,短チャネル効果 |
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第14回 |
高性能トランジスタと配線 |
SOIトランジスタ,ひずみシリコントランジスタ,low-k層間絶縁膜 |
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第15回 |
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