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集積デバイス工学

シラバス

到達目標 / Focus and Goal

・集積回路(LSI)を構成しているMOSFETの特性,MOSFETを組み合わせて作られるCMOS論理ゲート構成法,など電子情報デザイン学科でLSIを設計するのに必要なデバイスの特性を修得する. ・「電子情報デザイン実験U」で取り扱う「CMOSデバイス特性測定とシミュレーション」を理解するための理論を修得する.
・「電子情報デザイン実験U」で取り扱う「CMOSデバイス特性測定とシミュレーション」を理解するための理論を修得する.

受講生への学習に関するアドバイス

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履修しておくことが望まれる科目

前期の半導体工学を履修していることが必須

授業外学習の指示

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