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立命館大学 理工学部 電気電子工学科 光電子物性デバイス研究室

連絡先

荒木研究室
〒525-8577
滋賀県草津市野路東1-1-1
立命館大学理工学部
電気電子工学科

業績Achievement

立命館大学 研究者データベース

荒木努

2021年度  業績一覧

学術論文誌
No. 題目 掲載誌 著者
1 Repeatability and Mechanisms of Threading Dislocation Reduction in InN Film Grown with In Situ Surface Modification by Radical Beam Irradiation
『材料』 70, 10, 732-737 (2021) T. Araki, F. Abas, R. Fujita and S. Mouri
2 Observation of Defect Structure in ScAlMgO4 Crystal using X-ray Topography J. Cryst. Growth 580, 126477 (2022) K. Ishiji, T. Fujii, T. Araki, T. Fukuda
3 Cathodoluminescence Study of m-Plane α-Ga2O3 Grown by Mist Chemical Vapor Deposition phys. stat. sol. (b) 2100598/1-5 R. Moriya, J. Kikawa, S. Mouri, T. Shinohe, S. Xiao, H. Miyake, T. Araki
国際学会発表
No. 題目 学会 発表者
1 Effect of Supported Substrate on van der Waals Epitaxy of Nitride Semiconductors on Graphene by MBE NT21: International Conference on the Science and Application of Nanotubes and Low-Dimensional Materials S. Mouri, K. Matsushima, Y. Kawase, T. Araki
2 Surface Potential of MoS2 Depending on the Polarity of GaN Substrate Measured by Kelvin Probe Force Microscope The 12th Recent Progress in Graphene and Two-dimensional Materials Research Conference (RPGR 2021) R. Kaipeng, Y. Komichi, T. Araki and S. Mouri
3 Microstructural Characterization of Nitride Semiconductor Films Grown on ScAlMgO4 Substrate by RF-MBE 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022) Y. Wada, Y. Kuroda, S. Kayamoto, N. Goto, T. Fuji, S. Mouri, Y. Shiraishi, T. Fukuda and T. Araki
4 Growth of Ultra-Thin GaN/AlN Superlattice Structure toward Deep-UV Emission 14th International Symposium on Advanced Plasma Science and its Applications for Nitrides and Nanomaterials (ISPlasma 2022) N. Mokutani, Y. Wada, S. Mouri, K. Shojiki, S. Xiao, H. Miyake and T. Araki
国内学会発表
No. 題目 学会 発表者
1 透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO4基板上RF-MBE 成長GaN の極微構造評価 日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 和田邑一, 黒田悠弥, 栢本聖也, 後藤直樹, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石裕児, 福田承生, 荒木努
2 Snドープm面α-Ga2O3の抵抗値温度依存性 日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 山下修平, 城川潤二郎, 柳生慎悟, 四戸孝, 荒木努
3 カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga2O3の深い準位に関する研究 日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 守屋亮, 城川潤二郎, 四戸孝, 肖世玉, 三宅秀人, 荒木努
4 アルコールCVD法を用いたnon-Bernal積層グラフェンの作製 日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 浅田智浩, 薮田翔平, 荒木努, 毛利真一郎
5 Metal Deposition on a Suspended Graphene Surface 第61回フラーレン・ナノチューブ・グラフェン総合シンポジウム Y. Kawase, K. Matsushima, J. Doi, T. Araki, S. Mouri
6 透過X線トポグラフィーによるScAlMgO4結晶の転位の評価 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 石地耕太朗, 藤井高志, 荒木努, 福田承生
7 THz-TDSエリプソメトリを用いたグラフェンの電気的特性評価 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 鈴木拓輝, 藤井高志, 毛利真一郎, 岩本敏志, 上田悠貴, 成塚重弥, V .C. Agulto, 中嶋誠, 荒木努
8 透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO4基板上RF-MBE成長GaNの極微構造評価 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 和田邑一, 黒田悠弥, 栢本聖也, 後藤直樹, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石裕児, 福田承生, 荒木努
9 RF-MBE法を用いたScAlMgO4基板上InGaNエピタキシャル成長Ⅱ 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 後藤直樹, 栢本聖也, 黒田悠弥, 和田邑一, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石佑児, 福田承生, 荒木努
10 Snドープm面α-Ga2O3の抵抗値温度依存性 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 山下修平, 城川潤二郎, 柳生慎悟, 四戸孝, 荒木努
11 【学生優秀発表賞受賞】ラマン分光を用いた架橋ツイスト2層グラフェンの熱伝導測定 日本物理学会2021年秋季大会 土井惇太郎, 荒木努, 毛利真一郎
12 RF-MBE法による極薄GaN/AlN超格子構造の作製 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 杢谷直哉, 和田邑一, 毛利真一郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努
13 RF-MBE法によるGaN/ScAlMgO4成長形態の基板ステップ間隔依存性 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 黒田悠弥, 和田邑一, 栢本聖也, 後藤直樹, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石裕児, 福田承生, 荒木努
14 AlNテンプレート基板上にRF-MBE法で成長したInNの発光特性 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 中山大輝, 毛利真一郎, 福田安莉, 高林佑介, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努
15 DERI法を用いたInN結晶成長の成長温度依存性に関する研究 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 張同舟, 後藤直樹, 毛利真一郎, 荒木努
16 RF-MBE法を用いたN極性AlNテンプレート基板上InN結晶成長 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 篠田悠平, 福田安莉, 橘秀紀, 毛利真一郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努
17 架橋グラフェン上における窒化インジウムのファンデルワールスエピタキシー 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 河瀬裕太, 松島健太, 土井惇太郎, 荒木努, 毛利真一郎
18 TEM観察を用いたSapphireオフ基板上成長α-Ga2O3の結晶欠陥評価 2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 山下修平, 早川紘生, 城川潤二郎, 柳生慎悟, 四戸孝, 荒木努
19 Growth and Raman Characterization of Non-Bernal Stacking Few-Layer Graphene by Alcohol CVD Method 40th Electronic Materials Symposium T. Asada, S. Yabuta, T. Araki and S. Mouri
20  Anisotropy of Electrical Characteristics in M-Face α-Ga2O3 Grown by Mist CVD 40th Electronic Materials Symposium S.Yamashita, J. Kikawa, S. Yagyu, T. Shinohe, T. Araki
21  Photoluminescence Properties of MBE-Regrown GaN on Free-Standing GaN Substrate 40th Electronic Materials Symposium D. Nakayama, R. Imamura, S. Mouri, T. Araki
22  Temperature Dependence of the Current Voltage Characteristics of Ni Schottky Barrier Diodes on Highly Doped n Type α Ga2O3 40th Electronic Materials Symposium Y. Yamafuji, J. Kikawa, S. Yagyu, T. Shinohe, T. Araki
23  Microstructural Characterization of GaN Films Grown on ScAIMgO4 Substrate via RF-MBE 40th Electronic Materials Symposium Y. Wada, Y. Kuroda, S. Kayamoto, N. Goto, T. Fuji, S. Mouri, Y. Shiraishi, T. Fukuda, and T. Araki
24  DERI法を応用したScAlMgO4基板上InGaNエピタキシャル成⻑ 第50回結晶成長国内会議(JCCG-50) 後藤直樹,栢本聖也,黑田悠弥,和田邑一,藤井高志,毛利真一郎,白石佑児,福田承生,荒木努
25  【チュートリアル】ScAlMgO4基板上窒化物半導体結晶RF-MBE 成長の最近の進展 第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 荒木努
26  グラフェン上での InN MBE 成長における窒素プラズマ照射時間の検討 第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 松島健太、土井惇太郎、荒木努、毛利真一郎
27  透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO4基板上RF-MBE成長InGaNの構造評価 第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 和田邑一、黒田悠弥、栢本聖也、後藤直樹、藤井高志、毛利真一郎、白石裕児、福田承生、杉江隆一、荒木努
28  アルコールCVD法を用いたGaN上への酸化グラフェン成長 2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 薮田翔平, 河瀬流星, 荒木努, 毛利真一郎
29  RF-MBE法によるDERI法を用いたScAlMgO4基板上GaN結晶成長 2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 黒田悠弥,和田邑一,栢本聖也,後藤直樹,藤井高志, 毛利真一郎,荒木努
30  THz-TDSEを用いたr面サファイア基板上グラフェンの電気的特性評価 2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 鈴木拓輝, 渡邉迅登, 藤井高志, 毛利真一郎, 岩本敏志, 福西康寛, 成塚重弥, 荒木努
31  ミストCVD法によるScAlMgO4基板上Ga2O3成長 2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 守屋亮, 高根倫史, 山下修平, 山藤祐人, 城川潤二郎, 松倉誠, 小島孝広, 四戸孝, 金子健太郎, 荒木努
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