M2修論発表プログラム

 日程 : 2月23日(10:00〜15:15)  会場 :F201

発表時間:各発表20分厳守(発表15分+質疑応答5分) 一鈴:10分、二鈴:15分 三鈴:20分

研究室

発表時間

発表題目

発表者

小西研

10:00〜10:20

非接触搬送システムによる物体マニピュレーション 浦田直紀
10:20〜10:40 バイオインタフェース用マイクロチャンネルアレイ 江崎隆博
10:40〜11:00 マイクロパラレルリニアアクチュエータシステム 大野和幸
11:00〜11:20 神経インタフェースのための接触制御用カフアクチュエータ 小林大造
11:20〜11:40 高アスペクト比構造を用いた低G用静電容量型加速度センサ 疋田雄児
 

11:40〜12:40

休憩

杉山研

12:40〜13:00

LIGAプロセスによる高アスペクト比高周波厚膜磁心の製作に関する研究 瀧本晋輔
13:00〜13:20 シリコンナノワイヤピエゾ抵抗素子の製作と特性評価に関する研究 谷本靖忠
13:20〜13:40 シンクロトロン放射光を用いた三次元微細エッチングに関する研究 西 信嘉
13:40〜14:00 UV厚膜レジストを用いた高密度実装用マイクロコネクタの製作に関する研究 横山好彦

田畑研

14:00〜14:20 可変剛性積層フィルム構造体とアクチュエータへの応用に関する研究 伊藤雄一
14:20〜14:40 振動式加速度センサに関する研究 倉嶋毅尚
14:40〜15:00 XeF2エッチングに関する研究 菅野公二
 

15:00〜15:15

総評

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