公開シンポジウム開催のお知らせ
このたび、文部科学省科学研究費補助金 特定領域
「窒化物光半導体のフロンティア −材料潜在能力の極限発現−」公開シンポジウムを
下記の日程にて開催する運びとなりました。
多くの皆様のご出席およびご討論を御願い致したく、ご案内申し上げます。
日時： 平成２０年８月１日(金)〜８月２日（土）
場所： 学士会館
東京都千代田区神田錦町3-28
地下鉄都営三田線・新宿線、東京メトロ半蔵門線
「神保町」駅下車A9出口1分
(詳しくはアクセスマップをご参照下さい)
参加費： シンポジウム 無料
懇親会 3,000円
(事前に参加登録をお願い致します)
参加申込： WEBでの受け付けは終了いたしました。多数の方よりお申し込み頂きありがとうございました。
参加希望の方は、下記問い合わせ先までご連絡ください。
問い合わせ先： 立命館大学 荒木努 077-561-3994 tara@se.ritsumei.ac.jp
プログラム （ポスターセッションタイトルを含めた詳細プログラムはこちらからダウンロードください）
第1日目 8月1日（金）
10：00〜10：10 はじめに 領域代表 立命館大学 名西 やすし
10：10〜10：45 A01-1統括 立命館大学 名西 やすし
「RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成」
10：45〜11：20 A03-1統括 名城大学 天野 浩
「ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現にむけて」
11：20〜13：00 昼食
13：00〜13：25 A01-2 東京大学 藤岡 洋
「パルス励起堆積法による窒化インジウム系半導体の低温成長」
13：25〜13：50 A01-3 三重大学 平松 和政
「選択横方向成長法を用いた窒化物半導体の欠陥密度低減と歪み制御」
13：50〜14：15 A01-4 東京農工大学 纐纈 明伯
「HVPE法によるAlN及びAlGaN成長における成長温度の影響 」
14：15〜14：40 A01-5 東京大学 尾鍋 研太郎
「有機N原料によるInN薄膜のMOVPE成長」
14：40〜14：55 休憩
14：55〜15：20 A01-6 名古屋大学 本田 善央
「加工Si基板上(1-101)及び(11-22)GaNへのInGaNヘテロ成長」
15：20〜15：45 A03-2 工学院大学 川西 英雄
「高品質AlGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス −交互供給によるAlGaN層の高品質化−」
15：45〜16：10 A03-3 理化学研究所 平山 秀樹
「InAlGaN窒化物４元混晶を用いた紫外高効率発光デバイスの研究」
16：10〜17：40 ポスターセッション
18：00〜20：00 懇親会
第2日目 8月2日（土）
09：30〜10：05 A02-1統括 千葉大学 吉川 明彦
「極広域分光によるp型伝導InN薄膜の精密評価」
10：05〜10：40 A04-1統括 上智大学 岸野 克巳
「AlGaInN系ナノコラム結晶と紫外〜赤外域発光」
10：40〜10：55 休憩
10：55〜11：20 A02-2 京都大学 川上 養一
「高In組成InGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御」
11：20〜11：45 A02-3 筑波大学 上殿 明良
「陽電子を用いたIII族窒化物半導体の点欠陥の研究」
11：45〜13：15 昼食
13：15〜13：40 A02-4 北海道大学 橋詰 保
「GaNおよびAlGaNの欠陥準位・表面準位の評価と制御」
13：40〜14：05 A02-5 東京大学 近藤 高志
「窒化物半導体の非線形光学定数の精密評価と内部電界による制御」
14：05〜14：30 A02-6 山口大学 山田 陽一
「窒化アルミニウム系深紫外半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性」
14：30〜14：55 A02-7 九州大学 桑野 範之
「窒化物半導体結晶のナノレベル構造評価解析支援技術の革新」
14：55〜15：10 休憩
15：10〜15：35 A04-2 福井大学 山本 あき勇
「In-rich InAlNのMOVPE成長とその評価」
15：35〜16：00 A04-3 大阪大学 近藤 正彦
「再現性に優れるGaInNAs結晶技術の確立および長波長半導体レーザへの適用」
16：00〜16：25 A04-4 大阪大学 朝日 一
「InNをベースとした長波長円偏光半導体レーザー創製に関する研究」
16：25〜16：30 ｸﾛｰｼﾞﾝｸﾞ 領域代表 立命館大学 名西 やすし