ダイヤモンドを中心とするワイドバンドギャップ材料のマルチスケール設計に挑戦
結晶の中の1個の原子から、産業を動かす大型パワーデバイスへ。
私たちは材料とデバイスをつなぐ研究に取り組んでいます。
材料科学とデバイス工学、基礎と応用を橋渡ししながら、社会を支える革新的半導体デバイスの実現に貢献していきます。
高臨界電界・高熱伝導率を活かした高耐圧・低損失デバイスを研究。原子構造→界面特性→デバイス機能をつなぐ設計指針を創出
高配向性グラファイト上にダイヤモンド結晶を成長させ、高性能ヒートシンクを開発
ダイヤモンド半導体中のドーパント活性化、熱処理ウィンドウの探索、電気特性評価
ゲート絶縁膜設計とチャネル制御で高耐圧・高効率化
高配向性グラファイト上にダイヤモンド結晶を成長させ、AIデバイスなど高い発熱が予想されるデバイス向けの高性能ヒートシンク
高品質なダイヤモンド結晶成長が実現できる下地基板となる材料の探索と結晶成長プロセスの確立
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| 見学・入学希望 |
先進デバイス材料科学研究室 事務局 所在地：滋賀県草津市野路東 1-1-1 立命館大学びわこくさつキャンパス Email: mnfujii [at] fc.ritsumei.ac.jp |
|---|---|
| 産学連携・共同研究 | リサーチオフィス／問い合わせ先｜研究・産学官連携｜立命館大学 |