ダイヤモンドを中心とするワイドバンドギャップ材料のマルチスケール設計に挑戦
結晶の中の1個の原子から、産業を動かす大型パワーデバイスへ。
私たちは材料とデバイスをつなぐ研究に取り組み、半導体技術の限界を超える新しい道を見つけようとしています。
材料科学とデバイス工学、基礎と応用を橋渡ししながら、社会を支える革新的半導体デバイスの実現に貢献していきます。
高臨界電界・高熱伝導率を活かした高耐圧・低損失デバイスを研究。原子構造→界面特性→デバイス機能をつなぐ設計指針を創出
高配向性グラファイト上にダイヤモンド結晶を成長させ、高性能ヒートシンクを開発
ダイヤモンド半導体中のドーパント活性化、熱処理ウィンドウの探索、電気特性評価
ゲート絶縁膜設計とチャネル制御で高耐圧・高効率化
高配向性グラファイト上にダイヤモンド結晶を成長させ、AIデバイスなど高い発熱が予想されるデバイス向けの高性能ヒートシンク
高品質なダイヤモンド結晶成長が実現できる下地基板となる材料の探索と結晶成長プロセスの確立
研究室見学、技術相談、共同研究のご提案を随時受け付けています。
所在地:滋賀県草津市野路東1-1-1 立命館大学びわこくさつキャンパス
e-mail: mnfujii at fc.ritsumei.ac.jp ※"at"を@に変えてご使用ください