| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | ECR-MBE growth of GaN on LiGaO2 | ICNS 97*1 Tokushima, Oct. 27-31, p.140-141 (1997) |
M.Okada, Y.Higaki, T.Yanagi, Y.Shimizu and Y.Nanishi |
| 2 | Optical emission spectroscopy as the monitoring tool in ECR-MBE growth of GaN | ICNS 97*1 Tokushima, Oct. 27-31, p.322-323 (1997) |
Y.Chiba, Y.Shimizu, T.Tominari, S.Hokuto and Y.Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | ECR-MBE法によるGaN結晶成長中のプラズマ発光分光分析 | 第44回応用物理学関係連合講演会予稿集 30p-K-8、日本大学船橋校舎、3月 (1997) | 千葉恭男、加藤光司、冨成達也、名西やすし |
| 2 | Optical Emission Spectroscopy during Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular-Beam Epitaxy (ECR-MBE) of GaN | EMS '97*2 Minoo, Osaka, July 9-11, p.167-168 (1997) |
Y.Chiba, K.Kato, T.Tominari and Y.Nanishi |
| 3 | Measurement and Control of Nitrogen Plasma for GaN Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular-Beam Epitaxy (ECR-MBE) | 2nd Topical Meeting on Structural Dynamics of Epitaxy and Quantum Mechanical Approach, Kobe, Jan. 22-23, p.127-131 (1997) | Y.Nanishi and Y.Chiba |
| 4 | GaN ECR-MBE成長のプラズマ発光分光分析による観察 | 第28回結晶成長国内会議(NCCG-28), 23aB8, 北海道大学、札幌、７月 日本結晶成長学会誌、vol. 24, No. 2, p.174 (1997) |
千葉恭男、上西紀行、清水有威、冨成達也、名西やすし |
| 5 | ECR-MBE法によるLGO(LiGaO2)基板上GaN成長初期過程の検討 | 第28回結晶成長国内会議(NCCG-28),23aB9, 北海道大学、札幌、７月 日本結晶成長学会誌、vol. 24, No. 2, p.175 (1997) |
岡田誠、檜垣幸弘、柳隆之、名西やすし |
| 6 | サファイア上にECR-MBE成長したGaN結晶の構造制御の検討 | 第28回結晶成長国内会議(NCCG-28),23aB10, 北海道大学、札幌、７月 日本結晶成長学会誌、vol. 24, No. 2, p.176 (1997) |
清水有威、冨成達也、北東慎吾、千葉恭男、名西やすし、篠田明典、門田道雄 |
| 7 | ECR-MBE法によるLiGaO2基板上GaNの結晶成長 | 第58回応用物理学会学術講演会予稿集 4p-Q-4、秋田大学、10月 (1997) | 岡田誠、檜垣幸弘、柳隆之、名西やすし |
| 8 | N2・He混合プラズマを用いたECR-MBE法によるGaN成長 | 第58回応用物理学会学術講演会予稿集 4p-Q-9、秋田大学、10月 (1997) | 千葉恭男、清水有威、冨成達也、西岡義人、名西やすし |
| 9 | サファイア上にECR-MBE成長させたGaNの基板バイアスによる構造変化 | 第58回応用物理学会学術講演会予稿集 4p-Q-10、秋田大学、10月 (1997). | 清水有威、冨成達也、北東慎吾、千葉恭男、名西やすし |
| 10 | 経験的原子間ポテンシャルによるGaNの凝集エネルギー計算 | 平成９年電気関係学会関西支部連合大会、関西大学、11月 (1997) | 北東慎吾、上西紀行、名西やすし: |
| 11 | モンテカルロ法によるGaNの電子輸送現象の検討 | 平成９年電気関係学会関西支部連合大会、関西大学、11月 (1997) | 上西紀行、北東慎吾、名西やすし |
| 12 | ECR-MBE法によるGaNの電気伝導特性の評価 | 平成９年電気関係学会関西支部連合大会、関西大学、11月 (1997) | 柳隆之、山下直之、名西やすし |
| 13 | GaN結晶のフォトルミネッセンス法による評価と深い準位からの発光の起源 | 平成９年電気関係学会関西支部連合大会、関西大学、11月 (1997) | 中川道雄、岡田誠、柳隆之、栃下光、山下直之、名西やすし |
| 14 | 発光分光分析によるGaN ECR-MBE成長の観測 | 平成９年電気関係学会関西支部連合大会、関西大学、11月 (1997) | 千葉恭男、清水有威、冨成達也、北東慎吾、名西やすし |
| No. | Title | Meeting | Authors |
| 1 | サファイアｃ面上にECR-MBE成長したGaNの構造変化 | 電子情報通信学会、 信学技報、電子デバイス研究会(ED97-125), 電子部品・材料研究会(CPM97-112), p.45-50 (1997) |
清水有威、冨成達也、北東慎吾、千葉恭男、名西やすし |
| 2 | ECR-MBE法によるLiGaO2基板上GaNの表面形態の評価 | 電気学会電子材料研究会, EFM-97-5, 工学院大学、東京、9月 (1997). | 檜垣幸弘、岡田誠、柳隆之、名西やすし、石井隆生、宮澤信太郎 |
*1 ICNS 97 (The Second International Conference on Nitride Semiconductors)
*2 EMS '97 (Record of the 16th Electronic Materials Symposium)