| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | ECR-MBE growth of GaN on LiGaO2 | J. Cryst. Growth 189/190, p.213-217 (1998) | M.Okada, Y.Higaki, T.Yanagi, Y.Shimizu, Y.Nanishi, T.Ishii, S.Miyazawa |
| 2 | Optical Emission Spectroscopy as the monitoring tool in ECR-MBE growth of GaN | J. Cryst. Growth 189/190, p.317-320 (1998) | Y.Chiba, Y.Shimizu, T.Tominari, S.Hokuto, Y.Nanishi |
| 3 | Structural Dependence of GaN/Al2O3 on Electric Bias during Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy (ECR-MBE) Growth | Jpn. J. Appl. Phys. 37, L700-L702 (1998) | Y.Shimizu, T.Tominari, S.Hokuto, Y.Chiba and Y.Nanishi |
| 4 | Crystal Growth and Optical Property of GaN on Silica Glass by Electron-Cyclotron-Resonance Plasma-Excited Molecular Beam Epitaxy | Jpn. J. Appl. Phys. 37, L1214-L1216 (1998) | N.Murata, H.Tochishita, Y.Shimizu, T.Araki and Y.Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Very Strong Photoluminescence from Polycrystalline GaN Grown on C-oriented ZnO/Si substrate by ECR-MBE | 2nd ISBLLED*1 Tu-P21, Kisarazu, Chiba, Sep. 29, p. 174-177 (1998). |
H.Tochishita, N.Murata, A.Yabe, Y.Shimizu, Y.Nanishi and M.Kadota |
| 2 | Effect of Hydrogen on ECR-MBE Growth Process of GaN | ISCS 25*2 Nara, Oct.16, Fr2A-4 Inst. Phys. Conf. Ser. No.162: Chap. 12, p.651-656 (1998) |
Y.Chiba, T.Tominari, M.Nobata and Y.Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | ECR-MBE法による多結晶GaNの結晶成長と発光特性 | 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集28a-ZQ-2 東京工科大学、3月 (1998) |
清水有威、平林純一、栃下光、名西やすし、門田道雄 |
| 2 | ECR-MBE法によるGaN成長速度に対する水素混入の効果 | 第45回応用物理学関係連合講演会講演予稿集30p-ZP-2 東京工科大学、3月 (1998) |
冨成達也、野畑真純、西岡義人、小林靖英、千葉恭男、名西やすし |
| 3 | Properties of GaN films on C-axis oriented polycrystalline ZnO/Si and silica glass by ECR-MBE | EMS'98*3 Extended Abstracts of the 17th Electronic Materials Symposium, SB-2, p.225-226 (1998) |
H.Tochisita, A.Yabe, N.Murata, Y.Shimizu, Y.Nanishi and M.Kadota |
| 4 | ECR-MBE Growth of GaN Using Nitrogen-Hydrogen Mixed Gas Plasma | EMS'98*3 Extended Abstracts of the 17th Electronic Materials Symposium , SB-6, p.239-240 (1998) |
Y.Chiba, T.Tominari, M.Nobata, Y.Nishioka, Y.Kobayashi and Y.Nanishi |
| 5 | ECR-MBE法による多結晶ZnO基板上のGaN結晶成長と構造評価 | 日本結晶成長学会第29回結晶成長国内会議(NCCG-29) 14pB8 浜松、7月, A38 (1998) |
栃下光、矢部督、村田直也、西岡義人、名西やすし、門田道雄 |
| 6 | ECR-MBE法による石英ガラス基板上のGaNの成長と発光特性 | 日本結晶成長学会第29回結晶成長国内会議(NCCG-29)14pB9 浜松、7月, A39 (1998) |
村田直也、栃下光、名西やすし |
| 7 | 窒素・水素混合プラズマを用いたGaN ECR-MBE成長 | 日本結晶成長学会第29回結晶成長国内会議(NCCG-29)14pB10 浜松、7月, A40 (1998) |
千葉恭男、野畑真純、西岡義人、小林靖英、名西やすし |
| 8 | ｃ軸配向ZnO/Si基板上GaNのECR-MBE成長と強いＰＬ発光 | 第59回応用物理学会学術講演予稿集17a-YB-6 広島大学、9月 (1998) |
栃下光、矢部督、村田直也、名西やすし、門田道雄 |
| 9 | ECR-MBE法による水素のGaN成長速度に対する効果 | 第59回応用物理学会学術講演予稿集17a-YB-13 広島大学、9月 (1998) |
千葉恭男、野畑真純、小林靖英、名西やすし |
| 10 | ECR-MBE法による各種基板上の多結晶GaN成長と構造評価 | 電気関係学会関西支部連合大会講演論文集G9-4 大阪府立大学, 11月, G221 (1998) |
矢部督、栃下光、村田直也、名西やすし、梶山健二、門田道雄 |
| 11 | 水素・窒素混合プラズマを用いたGaN結晶成長と表面モフォロジーの検討 | 電気関係学会関西支部連合大会講演論文集G9-5 大阪府立大学, 11月, G222 (1998) |
野畑真純、西岡義人、小林靖英、千葉恭男、名西やすし |
| 12 | 水素及びヘリウム混入のMBE GaN結晶成長への影響 | SiC及び関連ワイドバンドギャップ半導体研究会第７回講演会予稿集p-49 京都工芸繊維大学, 11月 (1998) |
西岡義人、野畑真純、千葉恭男、小林靖英、寺口信明、鈴木彰、名西やすし |
| No. | Title | Meeting | Authors |
| 1 | ECR-MBE法によるGaN系化合物半導体の結晶成長 | 日本真空協会関西支部第１回研究例会 立命館大学、5月 (1998) |
千葉恭男、冨成達也、名西やすし |
| 2 | ZnO/Si基板上および石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶構造と発光特性 | 電子情報通信学会、 信学技報、電子デバイス研究会(ED98-135), 電子部品・材料研究会(CPM98-138), p.13-18 (1998). |
村田直也、栃下光、荒木努、門田道雄、名西やすし |
| 3 | ECR-MBE法によるGaN成長過程への水素添加の効果 | 平成１０年度東北大学電気通信研究所・共同プロジェクト研究会 仙台・秋保、10月 (1998). |
名西やすし、千葉恭男 |
| 4 | 発光分光分析によるGaN ECR-MBE成長の観察と窒素プラズマ中への水素混入の効果 | 東京化学会館ホール, 11月 応用電子物性分科会誌、第４巻、第５号、p.193-197 (1998). |
千葉恭男、野畑真純、名西やすし |
*1 2nd ISBLLED (2nd International Symposium on Blue Laser and Light Emitting
Diodes )
*2 ISCS 25 (25th Int. Symp. on Compound Semiconductors)
*3 EMS '98 (17th Electronic Materials Symposium)