| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Microstructure of Cubic and Hexagonal GaN Grown on Sapphire (0001) by ECR-MBE with Various Electric Biases | Phys.Stat.Sol.176, p.487-491 (1999) | T.Araki, T.Minami and Y.Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Microstructure of Cubic and Hexagonal GaN Grown on Sapphire (0001) by ECR-MBE with Various Electric Biases | ICNS3*1 France, Th-15 July(1999) |
T.Araki, T.Minami and Y.Nanishi |
| 2 | Structural characterization of GaN grown by hydrogen-assisted ECR-MBE using transmission electron microscope | ICCBE-7*2 Tsukuba, We2-6 July(1999) |
T.Araki, Y.Chiba, M.Nobara, Y.Nishioka and Y.Nanishi |
| 3 | Structural Analysis of GaN Layers with Columnar Domains Grown by Hydrogen-Assisted ECR-MBE | DRIP-8*3 Narita, P7-04 Sept.(1999) |
T.Araki, Y.Chiba and Y.Nanishi |
| 4 | Structure and morphology characters of GaN grown by ECR-MBE using hydrogen-nitrogen mixed gas plasma | MRS '99*4Fall meeting Boston Masachusetts, USA MRS Symposium Proceedings, Vol.595, W3.37 Nov.(1999). |
T.Araki, Y.Chiba and Y.Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | 酸素との反応により生成するPd(111)表面上単原子層Cuの二種の酸化状態 | 日本化学会第76春季年会 講演番号1E402 神奈川大学 ３月 (1999) |
山田正理、竹広直樹、田中虔一、I.Stensgaard |
| 2 | V/III比変化に伴うGaN結晶構造変化に関する研究 | 電子情報通信学会 関西支部 学生会研究発表講演会 B-23 大阪府立大学 ３月 (1999) |
山田正理、竹広直樹、田中虔一、I.Stensgaard |
| 3 | 水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE GaN成長における構造変化 | 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集28p-L-5 東京理科大学 ３月 (1999) |
荒木努、野畑真純、西岡義人、小林靖英、千葉恭男、名西やすし |
| 4 | RF-MBE法によるInN/(0001)Sapphire結晶成長 | 第46回応用物理学関係連合講演会予稿集28p-L-16 東京理科大学 ３月 (1999) |
齋藤義樹、西岡義人、山下直之、寺口信明、鈴木彰、名西やすし |
| 5 | Structural characterization of cubic and hexagonal GaN grown on sapphire (0001) by ECR-MBE with various electric biases | EMS '99*5 Extended Abstracts of the 17th Electronic Materials Symposium, Kii-Shirahama, F11 June 30-July 2(1999) |
T.Araki, T.Minami, A.Tanimura, Y.Chiba and Y.Nanishi |
| 6 | Surface Morphology of GaN Grown by ECR-MBE using Hydrogen-Nitrogen Mixed Gas Plasma | EMS '99*5 Extended Abstracts of the 17th Electronic Materials Symposium, Kii-Shirahama, F12 June 30-July 2(1999). |
Y.Chiba, T.Araki and Y.Nanishi |
| 7 | 基板バイアスにより制御したECR-MBE成長立方晶・六方晶GaNの構造評価 | 第60回応用物理学会学術講演予稿集1a-V-7 甲南大学 ９月 (1999) |
荒木努、青野弘明、谷村篤、南匡、千葉恭男、名西やすし |
| 8 | 水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE GaN成長における構造変化(II) | 第60回応用物理学会学術講演予稿集1a-V-9 甲南大学 ９月 (1999) |
千葉恭男、青野弘明、谷村篤、荒木努、名西やすし |
| 9 | RF-MBE法により作成されたInN膜のフォノンモード観察 | 第60回応用物理学会学術講演予稿集3a-W-3 甲南大学 ９月 (1999) |
栗本英治、曽根義弘、播磨弘、西岡義人、齋藤義樹、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 10 | ECR-MBE法における励起Gaの再脱離量に関する検討 | 平成11年電気関係学会関西支部連合大会講演論文集Ｇ9-7 姫路工業大学 11月, G236 (1999) |
小林靖英、青野弘明、谷村篤、千葉恭男、名西やすし |
| No. | Title | Meeting | Authors |
| 1 | プラズマ発光分光分析によるGaN電子サイクロトロン共鳴プラズマ励起分子線エピタクシャル成長の観察 | J. Vac. Soc. Jpn. (真空) vol.42, No.4, p.530-534 (1999) |
千葉恭男、冨成達也、名西やすし |
| 2 | MBE法によるGaN成長と励起窒素源に関する検討 | 電子情報通信学会 信学技報、電子デバイス研究会(ED99-203)35-42 電子部品・材料研究会(CPM99-114), p.35-41 (1999) |
千葉恭男、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
*1 ICNS3 (3rd International Conference on Nitride Semiconductors)
*2 ICCBE-7 (7th International Conference on Chemical Beam Epitaxy and Related
Growth Techniques)
*3 DRIP-8 (8th International Conference on Defects-Recognition, Imaging
and Physics inSemiconductors)
*4 MRS '99 (Material Research Society '99)
*5 EMS '99 (Electronic Materials Symposium)