| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | ECR-MBE growth of GaN using hydrogen-nitrogen mixed gas plasma | IEICE Trans. Electron. , E83-C, No.4 p.627-632 (2000) | Y.Chiba, T.Araki and Y.Nanishi |
| 2 | Structural characterization of GaN grown by hydrogen-assisted ECR-MBE using electron microscopy | J.Cryst.Growth 209, p.368-372 (2000) | T.Araki, Y.Chiba, M.Nobata, Y.Nishioka and Y.Nanishi |
| 3 | Structural analysis of GaN layers with columnar structures grown by hydrogen-assisted ECR-MBE | J.Cryst.Growth 210, p.162-166 (2000) | T.Araki, Y.Chiba and Y.Nanishi |
| 4 | Annealing Effect of Low Temperature Growth of InN Films by RF-MBE | Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1 pp.182-185 |
Y.Saito, N.Teraguchi, A.Suzuki, T.Araki and Y.Nanishi: |
| 5 | Structural Analysis of AlN Films Grown on SiC Substrate by RF-MBE and RF-MEE | Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1 pp.194-197 |
T.Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 6 | Comparison of dislocation properties in GaN epilayer grown by MOCVD with MBE | Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1 pp.224-227 |
T.Maruyama, M.Ikeya, S.Morishima, and K.Akimoto |
| 7 | Resonant Photoemission Study of Eu doped GaN | Proc. Int. Workshop on Nitride Semiconductors IPAP Conf. Series 1 pp.482-485 |
T.Maruyama, S.Morishima, H.Kagatsume, Y.Nanishi and K.Akimoto |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Growth of Cubic and Hexagonal GaN on (0001) Sapphire by ECR-MBE with Various Electric Bias | The Third SANKEN International Symposium, SANKEN, Osaka University, March 14-15, P1-38 (2000) | T.Araki, T.Minami, M.Kijima, Y.Chiba and Y.Nanishi |
| 2 | NEDO’s Regional Consortium Project on Nitride Semiconductor, High Power, High Frequency Electronic Devices | UPD2000*1 Nara, May 31-June 2 (2000) |
Y.Nanishi |
| 3 | Growth of AlN films on SiC substrates by RF-MBE and RF-MEE | 4th European GaN Workshop, 9E, UK, July (2000) | N.Teraguchi, A.Suzuki, Y.Saito, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi |
| 4 | Electron-Cyclotron-Resonance Plasma Excited Molecular Beam Epitaxy of GaN | 1st Japan-Korea Joint Workshop on Advanced Semiconductor Process and Equipments Toyohashi, July 31-August 1 (2000) |
Y.Nanishi and T.Araki |
| 5 | Annealing Effect of Low Temperature Growth of InN Films by RF-MBE | IWN2000*2 PTD-10 Nagoya, Sept. 24-27 (2000). |
Y.Saito, N.Teraguchi, A.Suzuki, T.Araki and Y.Nanishi: |
| 6 | Structural Analysis of AlN Films Grown on SiC Substrate by RF-MBE and RF-MEE | IWN2000*2 PTD-13 Nagoya, Sept. 24-27 (2000). |
T.Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 7 | Comparison of dislocation properties in GaN epilayer grown by MOCVD with MBE | IWN2000*2 PTD-24 Nagoya, Sept. 24-27 (2000) |
T.Maruyama, M.Ikeya, S.Morishima, and K.Akimoto |
| 8 | Resonant Photoemission Study of Eu doped GaN | IWN2000*2 PTE-29 Nagoya, Sept. 24-27 (2000) |
T.Maruyama, S.Morishima, H.Kagatsume, Y.Nanishi and K.Akimoto |
| 9 | CHEMISTRY AND ELECTRIC PROPERTIES OF NTCDA/METAL INTERFACES | ISSI PDSC-2000*3 P-37 Nagoya, Oct. 17-20 (2000). |
T.Maruyama, N.Sugawara, A.Hirasawa, K.Akimoto |
| 10 | Cathodoluminescence and micro-structure of polycrystalline GaN grown on ZnO/Si | MRS 2000*4 Fall Meeting G6.20, USA Nov.27-Dec.1 (2000) |
T.Araki, H.Kagatsume, H.Aono, Y.Nanishi |
| 11 | Relationship between microscopic structure and optical property of polycrystalline GaN on silica glass | MRS 2000*4 Fall Meeting G6.43, USA Nov.27-Dec.1 (2000) |
H.Kagatsume, H.Aono, T.Araki, Y.Nanishi |
| 12 | Electrical property of InN grown by RF-MBE | MRS 2000*4 Fall Meeting G11.18, USA Nov.27-Dec.1 (2000) |
Y.Saito, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi, A.Suzuki |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | RF-MBE法によるInNの低温成長−アニール効果 | 第47回応用物理学関係連合講演会 28a−YQ−2 青山学院大学,３月 (2000) |
斎藤義樹、山口智広、木幡健児、金澤紘行、加野賢二、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 2 | RF-MBE法及びRF-MEE法によるSiC基板上のAlN成長 | 第47回応用物理学関係連合講演会 28a−YQ−7 青山学院大学,３月 (2000) |
寺口信明、鈴木彰、斎藤義樹、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 3 | RF-MBE成長GaNのCAICISSによるその場観察 | 第47回応用物理学関係連合講演会 28p−YN−3 青山学院大学,３月 (2000) |
二本柳亘児、斎藤義樹、田邊佳史、千葉恭男、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 4 | In-situ observation of RF-MBE grown GaN by CAICISS | EMS '2000*5 Izu-Nagaoka, June, H4 (2000) |
Y.Tanabe, K.Nihonyanagi, Y.Saito, T.Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 5 | 水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE成長GaN薄膜の構造評価 | 第31回結晶成長国内会議 (NCCG-31) 26aB02 名古屋大学,7月 (2000) |
荒木努、十二紀行、木島雅史、千葉恭男、名西やすし |
| 6 | RF-MBE法によるInN膜の電気的特性 | 第61回応用物理学会学術講演会3a-Y-19 北海道工業大学,９月 (2000) |
齋藤義樹，山口智広，加野賢二，荒木 努，名西やすし，寺口信明，鈴木 彰 |
| 7 | 低温成長/アニール多層成長を用いたInNの表面モフォロジーに関する検討 | 応用物理学会学術講演会3a-Y-21 北海道工業大学,９月 (2000) |
加野賢二，齋藤義樹，木幡健児，金澤紘行，荒木 努，名西やすし，寺口信明，鈴木 彰 |
| 8 | NTCDA/金属界面の結合状態 | 第61回応用物理学会学術講演会3p-ZG-3 北海道工業大学,９月 (2000) |
丸山隆浩、菅原規司、平沢明、秋本克洋 |
| 9 | 水素・窒素混合プラズマを用いたRF-MBE法によるGaN/SiC成長 | 第61回応用物理学会学術講演会4a-Y-9 北海道工業大学,９月 (2000) |
山口智広，齋藤義樹，木幡健児，金澤紘行，加野賢二，荒木 努，名西やすし，寺口信明，鈴木 彰 |
| 10 | ECR-MBE成長GaN薄膜の結晶性に及ぼす水素の影響 | 第61回応用物理学会学術講演会4a-Y-10 北海道工業大学,９月 (2000) |
木島雅史，十二紀行，荒木 努，名西やすし |
| 11 | 水素混入ECR-MBE成長GaNの結晶構造のV/III比依存性 | 第61回応用物理学会学術講演会4a-Y-11 北海道工業大学,９月 (2000). |
十二紀行，木島雅史，荒木 努，名西やすし |
| 12 | ZnO基板上多結晶GaNのCL評価 | 第61回応用物理学会学術講演会4a-Y-14 北海道工業大学,９月 (2000) |
荒木 努，青野弘明，加賀爪秀隆，小野木淳士，近藤 誠，名西やすし，門田道雄 |
| 13 | （001）ルチル型TiO2基板上の立方晶GaN成長の予備検討 | 第61回応用物理学会学術講演会4a-Y-16 北海道工業大学,９月 (2000) |
谷村 篤，加賀爪秀隆，木島雅史，荒木 努，名西やすし，田中秀尚 |
| 14 | 石英ガラス基板上多結晶GaNの極微構造と発光特性の関連性 | 第61回応用物理学会学術講演会5a-Y-6 北海道工業大学,９月 (2000) |
加賀爪秀隆、青野弘明、荒木 努、名西やすし |
| 15 | EuドープGaNの共鳴光電子分光 | 第61回応用物理学会学術講演会7a-L-2 北海道工業大学,９月 (2000) |
丸山隆浩、森島進一、H.J. Bang、秋本克洋 |
| 16 | RF-MBE成長InNにおけるサファイヤ基板窒化の効果 | 平成12年電気関係学会関西支部連合大会G7-7 大阪電気通信大学,11月 (2000) |
山口智弘、斎藤義樹、木島雅史、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 17 | レーザ干渉を用いた二次元フォトニック結晶作製法の提案と平面波展開法を用いたGaNフォトニック結晶の評価 | 平成12年電気関係学会関西支部連合大会G9-14 大阪電気通信大学,11月 (2000) |
滝川和伸、長尾大介、荒木努、名西やすし |
| 18 | ZnO/Si基板上多結晶GaNの低温バッファ層の検討 | 平成12年電気関係学会関西支部連合大会G7-26 大阪電気通信大学,11月 (2000) |
青野弘明、加賀爪秀隆、荒木努、名西やすし |
| 19 | 基板バイアス変化によるECR-MBE成長GaN結晶の構造制御 | 平成12年電気関係学会関西支部連合大会G7-8 大阪電気通信大学,11月 (2000) |
南匡、木島雅史、十二紀行、荒木努、名西やすし |
| No. | Title | Meeting | Authors |
| 1 | 金属上のNTCDA薄膜成長〜薄膜形成過程と吸着状態〜 | 電子情報通信学会, 信学技報 OME2000-47 p.27-32 (2000). | 丸山隆浩、菅原規司、平沢明、秋本克洋 |
| 2 | ZnO/Siおよび石英ガラス基板上多結晶GaNの極微構造とCL特性 |
電子情報通信学会, 信学技報、電子デバイス研究会(ED2000-166)、電子部品・材料研究会 (CPM2000-105)、p.25-30 (2000). |
荒木努、加賀爪秀隆、名西やすし |
| 3 | RF-MBE法を用いて成長したInN膜の電気的特性 | 電子情報通信学会, 信学技報、電子デバイス研究会(ED2000-173)、電子部品・材料研究会(CPM2000-112)、p.25-30 (2000). |
斎藤義樹、山口智広、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
*1 UPD 2000 (Ultra-Low-Loss Power Device Technology)
*2 IWN2000 (International Workshop on Nitride Semiconductors )
*3 ISSI PDSC-2000 (International Symposium on Surface and Interface -properties
of different symmetry crossing)
*4 MRS 2000 (Material Research Society)
*5 EMS '2000 (19th Electronic Materials Symposium)