| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Growth of High-Electron-Mobility InN by RF Molecular Beam Epitaxy | Jpn.J .Appl.Phys. 40, L91-93 (2001) | Y.Saito, N.Teraguti, T.Araki, and Y.Nanishi |
| 2 | Growth of AlN films on SiC substrates by RF-MBE and RF-MEE | J. Cryst. Growth 230, 392-397 (2001). | N.Teraguchi, A.Suzuki, Y.Saito, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi |
| 3 | Chemical bonding and electronic properties of NTCDA/metal interfaces | Surf. Sci. 493/1-3, 697-701 (2001) | T.Maruyama, N.Sugawara, A.Hirasawa, K.Akimoto |
| 4 | Effect of Annealing on the interface properties between Ni and p-GaN | phy. stat. sol. (a) 188, 375-378 (2001) | T.Maruyama, Y.Hagio, Y.Nanishi, K.Akimoto and T.Miyajima |
| 5 | Structural Control of Cubic and Hexagonal GaN by Changing the Electric Bias During ECR-MBE Growth | phy. stat. sol. (a) 188, 677-680 (2001). | T.Araki, T.Minami, M.Kijima, and Y.Nanishi |
| 6 | Polarity of High-quality Indium Nitride grown by RF Molecular Beam Epitaxy | phy. stat. sol. (b) 228, 13-16 (2001). | Y.Saito, Y.Tanabe, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi and A.Suzuki |
| 7 | Study of epitaxial relationship in InN growth on sapphire (0001) substrate without nitridation process by RF-MBE | phy. stat. sol. (b) 228, 17-20 (2001). | T.Yamaguchi, Y.Saito, K.Kano, T.Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 8 | Threading Dislocations and Optical Properties of GaN and GaInN | phy. stat. sol. (b) 228, 395-402 (2001). | T.Miyajima, T.Hino, S.Tomiya, K.Yanashima, H.Nakajima, T.Araki, Y.Nanishi, A.Satake, Y.Masumoto, K.Akimoto, T.Kobayashi, M.Ikeda |
| 9 | Cathode luminescence and Micro-Structure of Polycrystalline GaN Grown on ZnO/Si | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.639, G6.20 (2001). |
T.Araki, H.Kagatsume, H.Aono and Y.Nanishi |
| 10 | Relationship between Mircroscopic Structure and Optical Property of Polysrystalline GaN on Sillica Glass | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.639, G6.43 (2001). |
H.Kagatsume, H.Aono, T.Araki and Y.Nanishi |
| 11 | Electrical Properties of InN Grown by RF-MBE | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. Vol.639, G11.18 (2001). |
Y.Saito, N.Teraguchi, A.Suzuki, T.Yamaguchi, T.Araki and Y.Nanishi |
| 12 | Effective electron mass and phonon modes in n-type hexagonal InN | Physical Rev. B 65, 115206 (2002). | A.Kasic, M.Schuberrt, Y.Saito, Y.Nanishi and G.Wagner |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Effect of annealing in an O2 ambient on the electronic structure of Ni/p-GaN | ICNS-4*1 P14.1 Denver, Colorado, USA, July 16-20 |
T.Maruyama, Y.Hagio, Y.Nanishi, K.Akimoto and T.Miyajima |
| 2 | Structural Control of Cubic and Hexagonal GaN by Changing the Electric Bias During ECR-MBE Growth | ICNS-4*1 P20.22 Denver, Colorado, USA, July 16-20 |
T.Araki, T.Minami, M.Kijima, and Y.Nanishi |
| 3 | Polarity of High-quality Indium Nitride grown by RF Molecular Beam Epitaxy | ICNS-4*1 P20.24 Denver, Colorado, USA, July 16-20 |
Y.Saito, Y.Tanabe, T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi and A.Suzuki |
| 4 | Study of epitaxial relationship in InN growth on sapphire (0001) by RF-MBE | ICNS-4*1 P22.18 Denver, Colorado, USA, July 16-20 |
T.Yamaguchi, Y.Saito, K.Kano, T.Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 5 | Local structure analysis of GaInN alloy using x-ray absorption fine structure | ICNS-4*1 B10.1 Denver, Colorado, USA, July 16-20 |
T.Miyajima, T.Asatsuma, Y.Kudo, T.Uruga, T.Hino, T.Asano, T.Araki, Y.Nanishi |
| 6 | Threading Dislocations and Optical Properties of GaN and GaInN | ICNS-4*1 A12.1 Denver, Colorado, USA, July 16-20 |
T.Miyajima, T.Hino, S.Tomiya, K.Yanashima, H.Nakajima, T.Araki, Y.Nanishi, A.Satake, Y.Masumoto, K.Akimoto, T.Kobayashi, M.Ikeda |
| 7 | Effect of hydrogen on morphological changes in columnar structure of GaN grown by ECR-MBE | ICCG-13/ICVGE-11*2 03a-SB2-04 Doshisha University, Kyoto, July 30-August 4 |
T.Araki, A.Onogi, N.Juni, Y.Nanishi |
| 8 | Effect of sapphire substrate nitridation on determining rotation domain in GaN growth | ICCG-13/ICVGE-11*2 03a-SB2-07 Doshisha University, Kyoto, July 30-August 4 |
T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Saito, K.Kano, H.Kanazawa, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 9 | Growth of thicker and high quality InN using low-temperature intermediate layer | ICCG-13/ICVGE-11*2 03a-SB2-10 Doshisha University, Kyoto, July 30-August 4 |
Y.Saito, T.Yamaguchi, H.Kanazawa, K.Kano, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi, and A.Suzuki |
| 10 | Effect of atomic hydrogen irradiation on native oxides of InN surface | ICCG-13/ICVGE-11*2 04a-SB2-11 Doshisha University, Kyoto, July 30-August 4 |
T.Ohashi, T. Hirobe, K. Kano, Y.Saito, T.Maruyama and Y.Nanishi |
| 11 | Valence transition of Eu ions in GaN near the surface | ICCG-13/ICVGE-11*2 04a-SB2-17 Doshisha University, Kyoto, July 30-August 4 |
T.Maruyama, S.Morishima, H.Bang, K.Akimoto and Y.Nanishi |
| 12 | Interface Properties between Ni and p-GaN Studied by Photoemission Spectroscopy | SSDM2001*3 E-1-6 Chiyoda-Ku, Tokyo, September 26-28 |
Y.Hagio, T.Maruyama, Y.Nanishi, K.Akimoto, T.Miyajima and S.Kijima |
| 13 | 4f configurations of Eu and Tb ions in GaN | ISCS2001*4 TuP-16 University of Tokyo, Komaba, Tokyo, October 1-4 |
T.Maruyama, H.Bang, S.Morishima, K.Akimoto, and Y.Nanishi |
| 14 | Growth Condition Dependence of InN film a-Axis Directions on Sapphire(0001) Substrate | ISCS2001*4 TuP-2 University of Tokyo, Komaba, Tokyo, October 1-4 |
T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Saito, T.Maruyama, N.Teraguchi, A.Suzuki, Y.Nanishi |
| 15 | Growth and Characterization of GaGdN and AlGdN on SiC by RF-MBE | ICSCRM2001*5 ThB3-7 Tukuba, Oct. 28- Nov. 2 (2001) |
Nobuaki Teraguchi, Akira Suzuki and Yasushi Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | クロージング：窒化物半導体電子デバイスの展望 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) |
名西やすし |
| 2 | ECR-MBE法により成長した柱状構造GaNの形態変化に対する水素の効果 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) 31p-L-4 |
荒木努、十二紀行、小野木淳士、名西やすし |
| 3 | RF-MBE成長InN膜のキャリア濃度と移動度の関係 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) 30p-M-20 |
齋藤義樹，山口智広，金澤紘行、加野賢二，荒木 努，名西やすし、寺口信明，鈴木 彰 |
| 4 | RF―MBE法によるInN成長におけるサファイア基板窒化の効果 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) 30p-M-19 |
山口智広，齋藤義樹，加野賢二，金澤紘行、荒木 努，名西やすし、寺口信明，鈴木 彰 |
| 5 | 原子状水素によるInN自然酸化膜除去効果 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) 31p-L-7 |
大橋貴志、廣部貴紀、加野賢二，齋藤義樹，丸山隆浩、名西やすし |
| 6 | 水素・窒素混合プラズマを用いたECR-MBE成長GaNの構造と発光特性 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) 31p-L-5 |
小野木淳士、加賀爪秀隆、近藤誠、丸山隆浩、荒木努、名西やすし |
| 7 | ECR-MBE法によるGaN結晶成長におけるメッシュバイアスの効果 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) 29a-M-10 |
近藤誠、小野木淳士、加賀爪秀隆、丸山隆浩、荒木努、名西やすし |
| 8 | EuドープGaNの内殻Ｘ線光電子分光 | 第48回応用物理学関係連合講演会 明治大学,３月 (2001) 29a-L-19 |
丸山隆浩、森島進一、H.J. Bang、秋本克洋、名西やすし |
| 9 | EuおよびTbドープGaNの光電子分光 | 日本物理学会第56回年次大会 中央大学多摩校舎、３月(2001) |
丸山隆浩、名西やすし、森島進一、H.J. Bang、秋本克洋 |
| 10 | Effect of hydrogen on morphological changes in columnar structure of GaN grown by ECR-MBE | EMS '2001*6 Nara, June 20-22 Extended Abstracts of the 20th Electronic Materials Symposium (EMS '2001) C17 |
T.Araki, N.Juni, A.Onogi and Yasushi Nanishi |
| 11 | Effect of nitridation of sapphire (0001) substrates on InN growth by RF-MBE | EMS '2001*6 Nara, June 20-22 Extended Abstracts of the 20th Electronic Materials Symposium (EMS '2001) C18 |
T.Yamaguchi, Y.Saito, K.Kano, N.Teraguchi*, A,Suzuki*, T.Araki and Y.Nanishi |
| 12 | CAICISSを用いたRF-MBE成長InNの極性評価 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 11a-Q-4 |
齋藤義樹、山口智広、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 13 | 基板バイアス変化による立方晶・六方晶GaN構造制御に対する水素混入の効果 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 11a-Q-8 |
荒木努、南匡、木島雅史、名西やすし |
| 14 | InNの表面酸化 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 11p-Q-1 |
野口琢磨、齋藤義樹、丸山隆浩、名西やすし |
| 15 | Ni/p-GaN界面状態の温度変化 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 11p-Q-4 |
丸山隆浩、萩尾義和、菅原秀忠、喜嶋悟、宮嶋孝夫、名西やすし、秋本克洋 |
| 16 | Ni/p-GaNにおける酸素中アニールの効果 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 11p-Q-5 |
萩尾義和、菅原秀忠、方炯軫、丸山隆浩、名西やすし、秋本克洋、宮嶋孝夫、喜嶋悟 |
| 17 | ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaN高温成長に関する基本検討 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 12p-Q-1 |
北村健、加賀爪秀隆、大橋貴史、荒木努、丸山隆浩、名西やすし |
| 18 | RF-MBE法による高In組成InGaN結晶成長に関する検討 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 12p-Q-9 |
加野賢二、齋藤義樹、山口智広、金沢紘行、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 19 | RF-MBE法によるGaGdNの成長 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 12p-Q-10 |
寺口信明、鈴木彰、名西やすし |
| 20 | RF-MBE法による窒化処理なしサファイア基板上InN薄膜二段階成長 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 12p-Q-11 |
山口智広、齋藤義樹、加野賢二、村松智、荒木努、名西やすし |
| 21 | サファイア(0001)基板上InN薄膜のa軸方位と成長条件の関係 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 12p-Q-14 |
山口智広、荒木努、齋籐義樹、丸山隆浩、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 22 | X線回折による水素混入ECR-MBE成長GaN薄膜の評価 | 第62回応用物理学会学術講演会 愛知工業大学、９月(2001) 13a-Q-11 |
疋田徹、小野木淳士、木島雅史、荒木努、名西やすし |
| 23 | Ni/AlGaNの界面反応と電気的特性についての検討 | 平成13年電気関係学会関西支部連合大会(KJCIEE2001) 神戸市立工業高等専門学校、11月 (2001) G7-13 |
廣部貴紀、野口琢磨、丸山隆浩、名西やすし、早村光雄、丸谷幸利 |
| 24 | 平面は展開法による2次元フォトニック結晶のバンド構造の解析 | 平成13年電気関係学会関西支部連合大会(KJCIEE2001) 神戸市立工業高等専門学校、11月 (2001) G9-10 |
山田良彦、長尾太介、荒木努、名西やすし |
| No. | Title | Meeting | Authors |
| 1 | ナイトライド系半導体高周波パワーデバイスに対する期待と課題 | 応用物理学会応用電子物性分科会研究例会 次世代高周波パワーGaN ・SiC 電子デバイス 機械振興会館(東京都港区)、5月（2001） 応用電子物性分科会誌、第7巻、第3号、p.157 -162 (2001) |
名西やすし |
| 2 | RF-MBE法によるSiC基板上へのGaN系半導体のエピタキシャル成長 | 電子情報通信学会, 信学技報 ED2001-132, CPM2001-85 p.37 -41(2001). | 寺口信明、鈴木彰、名西やすし |
| No. | Title | Article | Authors |
| 1 | 石英ガラスおよびZnO/Si基板上多結晶GaNの極微構造とCL特性 | 立命館大学理工学研究所紀要 第59号､p.1-9 | 荒木努、加賀爪秀隆、青野弘明、名西やすし |
| 2 | RF-MBE成長InN膜の表面構造と電気的特性 | 立命館大学理工学研究所紀要 第59号､p.11-18 | 齋藤義樹、寺口信明、鈴木彰、山口智広、金澤紘行、加野賢二、荒木努、名西やすし |
| 3 | EuドープGaNの光電子分光 | 立命館大学理工学研究所紀要 第59号､p.19-30 |
丸山隆浩、秋本克洋、名西やすし |
*1 ICNS-4 (The 4th International Conference on Nitride Semiconductors )
*2 ICCG-13/ICVGE-11 (The 13th Internationals Conference on Crystal Growth
in conjunction with The 11th International Conference on Vapor Growth and
Epitaxy)
*3 SSDM2001 (2001 International Conference on Solid State Devices and Materials)
*4 ISCS2001 (28thInternational Symposium on Compound Semiconductors)
*5 ICSCRM2001 (International Conference on Silicon Carbide and Related
Materials 2001)
*6 EMS'2001 (20th Electronic Materials Symposium)