| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Effect of hydrogen on morphological changes in columnar structure ofGaN grown by ECR-MBE | J. Cryst. Growth 237-239, 983-987 (2002). | T.Araki, A.Onogi, N.Juni, Y.Nanishi |
| 2 | Effect of sapphire substrate nitridation on determining rotation domain in GaN growth | J. Cryst. Growth 237-239, p.993-997 (2002). | T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Saito, K.Kano, H.Kanazawa, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 3 | Growth of thicker and high quality InN using low-temperatureintermediate layer | J. Cryst. Growth 237-239, p.1017-1021 (2002). | Y.Saito, T.Yamaguchi, H.Kanazawa, K.Kano, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi, and A.Suzuki |
| 4 | Effect of atomic hydrogen irradiation on native oxides of InN surface | J. Cryst. Growth 237-239, p.1022-1026 (2002). | T.Ohashi, T. Hirobe, K. Kano, Y.Saito, T.Maruyama and Y.Nanishi |
| 5 | Valence transition of Eu ions in GaN near the surface | J. Cryst. Growth 237-239, p.1167-1171 (2002). | T.Maruyama, S.Morishima, H.Bang, K.Akimoto and Y.Nanishi |
| 6 | Marked enhancement of 320-360nm ultraviolet emission in quaternary InxAlyGa1-x-yN with In-segregation effect | Appl.Phys.Lett., 80, p.207-209 (2002). | H.Hirayama, A.Kinoshita, T.Yamabi, Y.Enomono, A.Hirata, T.Araki, Y.Nanishi, Y.Aoyagi |
| 7 | Unusual properties of the fundamental band gap of InN | Appl.Phys.Lett., 80, p.3967-3969 (2002). | J.Wu, W.Walukiewicz, K.M.Yu, J.W.AgerIII, E.E.Haller, H.Lu, W.J.Schaff, Y.Saito, Y.Nanishi |
| 8 | Growth and Characterization of GaGdN and AlGdN on SiC by RF-MBE | Materials Science Forum vols. 389- 393, pp.1477-1480 (2002). |
Nobuaki Teraguchi, Akira Suzuki and Yasushi Nanishi |
| 9 | Effect of nitridation on cystallinity of polycrystalline GaN | phys. stat. sol. (c) 0 200-204 (2002) | T.Araki, H.Kagatsume, T.Noguchi, T.Maruyama and Y.Nanishi |
| 10 | Optical properties of InxGa1-xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE | phys. stat. sol. (b) 234 750-754 (2002) | M.Hori, K.Kano, T.Yamaguchi, Y.Saito, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi and A.Suzuki |
| 11 | Growth Temperature Dependence of Indium Nitride Crystalline Quality Grown by RF-MBE | phys. stat. sol. (b) 234 796-800 (2002) | Y.Saito, H.Harima, E.Kurimoto, T.Yamaguchi, N.Teraguchi, A.Suzuki,T.Araki and Y.Nanishi |
| 12 | Influence of Growth Condition on Superconducting Characteristics of InN on Sapphire(0001) | phys. stat. sol. (c) 0 364-367 (2002) | T.Inushima, T.Takenobu, M.Motokawa, K.Koide, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Saito, T.Yamaguchi and Y.Nanishi |
| 13 | Structure Analysis of InN film using Extended X-ray Absorption Fine Structure Method | phys. stat. sol. (b) 234 801-804 (2002) | T.Miyajima, Y.Kudo,K.-.Lui, T.Uruga, T.Honma, Y.Saito, M.Hori, Y.Nanishi, T.Kobayashi and S.Hirata |
| 14 | Growth Condition Dependence of InN film a-Axis Directions on Sapphire(0001) Substrate | Inst. Phys. Conf. Ser. 170 765-770 (2002) | T.Yamaguchi, T.Araki, Y.Saito, T.Maruyama and Y.Nanishi, N.Teraguchi, A.Suzuki |
| 15 | 4f configurations of Eu and Tb ions in GaN | Inst. Phys. Conf. Ser. 170 731-736 (2002) | T.Maruyama, H.Bang, S.Morishima, K.Akimoto and Y.Nanishi |
| 16 | Room-temperature observation of ferromagnetism in diluted magnetic semiconductor GaGdN grown by RF-molecular beam epitaxy | solid state communications 122 651-653 (2002) | N.Teraguchi, A.Suzuki, Y.Nanishi, Y.K.Zhou, M.Hashimoto, H. Asahi |
| 17 | The c-axis and a-axis orientations in InN grown directly on (0001) sapphire substrate by RF-MBE | Proceedings of 14th Indium Phosphide at Related Materials 643-646 | T.Yamaguchi, Y.Saito, K.Kano, T. Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 18 | Superconducting Characteristics of InN Grown on Sapphire(0001) | Physics of Microstructured Semiconductors 2 131-136 (2002) | T.Inushima, T.Takenobu, M.Motokawa, K.Koide, A.Hashimoto, A.Hashimoto, Y.Saito, T.Yamaguchi and Y.Nanishi |
| 19 | Two Step Growth of InN Films on Sapphire(0001) Substrates without Nitridation Process by RF-MBE | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 693 I3.41 (2002) | T.Yamaguchi,Y.Saito,K.Kano,T.Muramatu,T.Araki,N.Teraguchi, A.Suzuki and Y.Nanishi |
| 20 | Investigation of the Optimum Growth Conditions of Wide-Bandgap Quaternary InAlGaN for UV-LEDs | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 693 I3.42 | T. Yamabi, A. Kinoshita, H. Hirayama, M. Ainoya, A. Hirata, T. Araki, Y. Nanishi, and Y. Aoyagi |
| 21 | Interface Properties between Ni and p-GaN Studied by Photoemission Spectroscopy | Jpn.J.Appl.Phys. 41 2493-2496 (2002) | Y. Hagio, H. Sugahara, T. Maruyama, Y. Nanishi, K. Akimoto, T. Miyajima and S. Kijima |
| 22 | 窒化物半導体の新展開 | 日本結晶成長学会誌 29 3-11 (2002) | 名西やすし、荒木努、齋藤義樹、山口智広 |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | The c-axis and a-axis orientations in InN grown directly on (0001) sapphire substrate by RF-MBE | IPRM 2002*1 Stocholm, Sweden May(2002) PII-41 |
T.Yamaguchi, Y.Saito, K.Kano, T.Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki, Y.Nanishi |
| 2 | Influence of growth condition on superconducting characteristics of InN on sapphire (0001) | IWN 2002 *2 Aachen, Germany July (2002) 167-P-157 |
T.Inushima, T.Takenobu, M.Motokawa, K.Koide, A.Hashimoto, A.Yamamoto, Y.Saito, T.Yamaguchi, Y.Nanishi |
| 3 | Structure Analysis of InN and Ga1-xInxN Alloy using X-ray Absorption Fine Structure Method | IWN 2002 *2 Aachen, Germany July (2002) 168-P-187 |
T.Miyajima, Y.Kudo, K.Y.Liu, T.Uruga, Y.Saito, K.Kano, Y.Nanishi, T.Yamaguchi, S.Kijima, S.Goto, S Tomiya, T.Kobayashi, M.Ikeda |
| 4 | Optical properties of InxGa1-xN with entire alloy composition on InN buffer layer grown by RF-MBE | IWN 2002 *2 Aachen, Germany July (2002) 171-P-231 |
M.Hori, K.Kano, T.Yamaguchi, Y.Saito, T.Araki, Y.Nanishi, N.Teraguchi, A.Suzuki |
| 5 | Effect of nitridation on crystallinity of polycrystalline GaN on silica glass by ECR-MBE | IWN 2002 *2 Aachen, Germany July (2002) 279-P-225 |
T.Araki, H.Kagatsume, T.Noguchi, T.Maruyama, Y.Nanishi |
| 6 | Growth temperature dependence of Indium Nitride crystalline quality grown by RF-MBE | IWN 2002 *2 Aachen, Germany July (2002) 090-A11-230 |
Y.Saito, H.Harima, E.Kurimoto, T.Yamaguchi, N.Teraguchi, A.Suzuki, T.Araki and Y.Nanishi |
| 7 | Growth and properties of polycrystalline GaN on ZnO/Si substrates by ECR-MBE | ISCS 2002*3 Lausanne, Switzerland October (2002) Mo-P-5 |
K.Kitamura, H.Mamiya, T.Araki, Y.Nanishi |
| 8 | Single crystalline InN films grown on Si (111) substrates | ISCS 2002*3 Lausanne, Switzerland October (2002) Mo-P-7 |
T.Yamaguchi, K.Mizuo, Y.Saito, T.Araki, Y.Nanishi |
| 9 | SINGLE CRYSTALLINE InN FILMS GROWN ON Si SUBSTRATES BY USING A BRIEF SUBSTRATE NITRIDATION PROCESS | MRS 2002 Fall Meeting*4 Boston, America December (2002) L3.26 |
Tomohiro Yamaguchi, Kazuhiro Mizuo, Yoshiki Saito, Takuma Noguchi, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi |
| 10 | STUDY ON CUBIC GaN GROWTH ON (001) RUTILE TiO SUBSTRATES BY ECR-MBE | MRS 2002 Fall Meeting*4 Boston, America December (2002) L3.27 |
Tsutomu Araki, Hisashi Mamiya, Ken Kitamura, Yasushi Nanishi |
| 11 | ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF InN/Si HETEROSTRUCTURE | MRS 2002 Fall Meeting*4 Boston, America December (2002) L11.26 |
Kazuhiro Mizuo, Tomohiro Yamaguchi, Yoshiki Saito, Tsutomu Araki, Yasushi Nanishi |
| 12 | Potential and Issues of High-power,High-frequency AlGaN/GaN HFETs Yasushi Nanishi | APWS-2003*5 （Invited Speaker) AWAJI YUMEBUTAI International Conference Center,Hyogo,Japan BP02 (2003) |
Yasushi Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Full Band Monte Carlo Simulation によるAlGaN/GaN HFETに関する検討 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002) 29p-YK-12 |
中里昌人、安藤裕二、葛原正明、名西やすし |
| 2 | RF-MBE成長InN結晶性の成長温度依存性 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002) 28p-ZM-13 |
齋藤義樹、播磨弘、栗本英治、山口智広、寺口信明、鈴木彰、荒木努、名西やすし |
| 3 | RF-MBE成長したサファイア基板上InN薄膜のTEM観察 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002) 28p-ZM-15 |
荒木努、山口智広、齋藤義樹、寺口信明、鈴木彰、名西やすし |
| 4 | RF-MBE法InN成長における低温InNバッファ層の効果 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002) 28p-ZM-16 |
山口智広、齋藤義樹、加野賢二、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 5 | ECR-MBE法による（001）ルチル型TiO2基板上c-GaN成長の検討 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002)28p-ZM-33 |
間宮恒、北村健、荒木努、丸山隆浩、名西やすし |
| 6 | 硫化アンモニウムによるInNのエッチング処理 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002)28p-ZM-35 |
丸山隆浩、萬謙太郎、菅原秀忠、萩尾義知、齋藤義樹、秋本克洋、名西やすし |
| 7 | KOHを用いた光電気化学エッチングによるGaNの評価 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002)28p-ZM-36 |
岩井大輔、木野村淳、堀野裕治、荒木努、名西やすし |
| 8 | ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの3段階成長に関する検討 | 第49回応用物理学関係連合講演会 東海大学、３月(2002) 30a-ZM-12 |
北村健、加賀爪秀隆、間宮恒、荒木努、丸山隆浩、名西やすし |
| 9 | Growth of InN on Si (111) substrates by RF-MBE | EMS-21*6 Extended Abstracts of the 21th Electronic Materials Symposium, C3, Izu-Nagaoka, June 19-21, 2002 |
T.Yamaguchi, K.Mizuo, Y.Saito, T.Araki, N.Teraguchi, A.Suzuki, Y.Nanishi |
| 10 | Growth and optical properties of In1-xGaxN with entire alloy composition grown on InN buffer layer by RF-MBE | EMS-21*6 Extended Abstracts of the 21th Electronic Materials Symposium, K3, Izu-Nagaoka, June 19-21, 2002 |
T.Araki, M.Hori, K.Kano, T.Yamaguchi, Y.Saito and Y.Nanishi, N.Teraguchi and A.Suzuki |
| 11 | RF-MBE 成長したInN/(0001)Sapphire の極微構造観察 | 第32回結晶成長国内会議(NCCG-32) 1aB10 若里ホール、長野、８月(2002) |
荒木努、山口智広、斎藤義樹、名西やすし |
| 12 | ECR-MBE 法を用いた(001)ルチル型TiO2 基板上立方晶GaN 成長 | 第32回結晶成長国内会議(NCCG-32) 1aB11 若里ホール、長野、８月(2002) |
間宮恒、北村健、荒木努、丸山隆浩、名西やすし |
| 13 | ECR-MBE 法を用いたパターニング基板上多結晶GaN 成長の検討 | 第32回結晶成長国内会議(NCCG-32) 1aB12 若里ホール、長野、８月(2002) |
上野朝隆、北村健、間宮恒、山田良彦、山下直樹、荒木努、名西やすし |
| 14 | サファイア基板上InN 成長での回転ドメインの存在 | 第32回結晶成長国内会議(NCCG-32) 1aB13 若里ホール、長野、８月(2002) |
山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 15 | SiC 基板上のGaN のエッチングによる転位密度評価 | 第32回結晶成長国内会議(NCCG-32) 1pB10 若里ホール、長野、８月(2002) |
村松智、世古明義、荒木努、名西やすし、寺口信明、鈴木彰 |
| 16 | 窒化石英ガラス基板上多結晶GaNの発光特性 | 第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 25p-YH-14 |
上野朝隆、北村健、間宮恒、山下直樹、加賀爪秀隆、荒木努、名西やすし |
| 17 | ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶GaN成長における基板窒化効果 | 第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 25p-YH-15 |
荒木努、加賀爪秀隆、野口琢磨、丸山隆浩、名西やすし |
| 18 | RF-MBE法を用いたSi基板上単結晶InN薄膜成長 ―短時間基板窒化の効果― |
第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 26a-YH-4 |
山口智広、水尾和洋、齋藤義樹、野口琢磨、荒木努、名西やすし |
| 19 | RF-MBE法を用いたSiC基板上InN膜成長 ―成長温度の基板極性依存― |
第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 26a-YH-5 |
齋藤義樹、村松智、山口智広、松田文絵、荒木努、名西やすし |
| 20 | RF-MEE法を用いた単結晶InN成長と評価 | 第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 26a-YH-8 |
松田文絵、齋藤義樹、荒木努、名西やすし |
| 21 | RF-MBE法で成長した高In組成InGaNの光学的特性 | 第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 26p-YH-3 |
黒内正仁、堀正輝、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西やすし |
| 22 | RF-MBE法により作成したInN/Siヘテロ接合の電気的・光学的特性評価 | 第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 26p-YH-4 |
水尾和洋、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西やすし |
| 23 | 硫化アンモニウムによるGaNの表面処理 | 第63回応用物理学会学術講演会 新潟大学、９月(2002) 26p-YH-7 |
萬謙太郎、野口琢磨、丸山隆浩、齋藤義樹、荒木努、名西やすし |
| 24 | 6H-SiC基板上RF-MBE成長GaNの欠陥評価 | 平成14年電気関係学会関西支部連合大会 近畿大学、11月(2002) G7-1 |
前田竜良、荒木努、名西やすし |
| 25 | ECVプロファイラによるRF-MBE成長AlGaN/GaNヘテロ構造のキャリア濃度分布評価 | 平成14年電気関係学会関西支部連合大会 近畿大学、11月(2002) G7-2 |
黒内正仁、木野村淳、堀野裕治、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 26 | 窒化石英ガラス基板上多結晶GaNの結晶成長と発光特性 | レーザー学会学術講演会第23回年次大会 浜松、1月(2003) 30aVII7 |
荒木努、上野朝隆、名西やすし |
| 25 | RF-MBEによる高In組成InGaNの結晶成長と光学的評価 | レーザー学会学術講演会第23回年次大会 浜松、1月(2003) 30aVII11 |
黒内正仁、堀正輝、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西やすし |
| 26 | 石英ガラス基板上の多結晶GaN、コラムナーGaNの強力発光 | 日本結晶成長学会 第3回ナノ構造・エピタキシャル成長分科会シンポジウム 東京農工大学、2月(2003) |
荒木努、名西やすし |
| No. | Title | Meeting | Authors |
| 1 | ECR-MBE法によるZnO/Si基板上多結晶GaNの結晶成長 | 電子情報通信学会 電子部品・材料(CPM)/電子デバイス(ED)/シリコン材料・デバイス（SDM）合同研究会 名古屋大学、5月(2002) ED2002-18 |
荒木努、北村健、間宮恒、丸山隆浩、名西やすし |
| 2 | RF-MBE法を用いた高In組成InxGa1-xNの結晶成長と特性評価 | 電子情報通信学会 電子部品・材料(CPM)/電子デバイス(ED)/シリコン材料・デバイス（SDM）合同研究会 名古屋大学、5月(2002) ED2002-19 |
堀正輝、加野賢二、山口智広、齋藤義樹、荒木努、名西やすし |
| 3 | RF-MBE成長単結晶InN膜の光学特性 | 電子情報通信学会・ICNS-5 合同研究会 信学技報、レーザー・量子エレクトロニクス研究会(LQE2002-41)/電子デバイス研究会(ED2002-66) 同志社大学、6月 p.89-92 (2002) |
齋藤義樹、堀正輝、山口智広、寺口信明、鈴木彰、荒木努、名西やすし |
| 4 | InN、InGaNのRF-MBE成長と電気・光学的評価 | 応用電子物性分科会研究例会 島津製作所関西支社マルチホール 1月 p.26-31 (2003) |
名西やすし、齋藤義樹、山口智広、堀正輝、荒木努 |
2003.4.3 現在
*1 IPRM 2002 (14th Indium Phosphide and Related Materials Conference)
*2 IWN 2002 (International Workshop on Nitride Semiconductors)
*3 ISCS 2002 (International Symposium on Compound Semiconductors)
*4 MRS 2002 (Material Research Society)
*5 APWS-2003 (First Asia-Pacific Workshop ON Widegap Semiconducors)
*6 EMS-21 (21st Electronic Materials Symposium)