| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Recent Development of InN RF-MBE Growth and its Structural and Property Characterization | phys. stat. sol. (c), 1, 6, 1487-1495 (2004) | Y. Nanishi, Y. Saito, T. Yamaguchi, T. Araki and T. Miyajima |
| 2 | Effect of substrate polarity on growth of InN by RF-MBE | J. Cryst. Growth, 269, 155-161 (2004) | H. Naoi, F. Matsuda, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 3 | RF-MBE Growth of InN epitaxial films on (0001) sapphire and their properties | J. Vac. Sci. Tech. B, 22, 2139-2143 (2004) | T. Araki, Y. Saito, T. Yamaguchi, M. Kurouchi, Y. Nanishi and H. Naoi |
| 4 | Characterization of Photovoltaic Cells Using n-InN/p-Si Grown by RF-MBE | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 798, 237-242 (2004) | C. Morioka, T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 5 | Structural Characterization of Low -Temperature InN Buffer Layer Grown by RF-MBE | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 798, 243-248 (2004) | T. Araki and Y. Nanishi |
| 6 | Band-Gap Energy and Physical Properties of InN Grown by RF-Molecular Beam Epitaxyx | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 798, 189-200 (2004) | Y. Nanishi, Y. Saito, T. Yamaguchi, F. Matsuda, T. Araki, H. Naoi, A. Suzuki, H. Harima and T. Miyajima |
| 7 | Correlation among Growth Conditions, Crystal Structures and Optical Properties of InN | phys. stat. sol. (c), 2, 841-844 (2005) | H. Naoi, M. Kuroychi, T. Araki, T. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 8 | Growth and properties of In-rich InGaN films grown on (0001) sapphire by RF-MBE | phys. stat. sol. (b), 241, 12, 2843-2848 (2004) | M. Kurouchi, T. Araki, H. Naoi, T. Yamaguchi, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 9 | RF-Molecular Beam Epitaxy Growth and Properties of InN and Related Alloys | AAPPS Bulletin, 14, 3, 2-13 (2004) | Y. Nahishi, Y. Saito and T. Yamaguchi |
| 10 | Fabrication and Characterization of InN-Based Quantum Well Structures Grown by Radio-Frequency Plasma-Assisted Molecular-Beam Epitaxy | Jpn. J. Appl. Phys., 44, 7, 230-232 (2005). | M. Kurouchi, H. Naoi, T. Araki, T. Miyajima and Y. Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Improvement of In-rich InGaN Crystalline Quality by using InN Template | 2004 E-MRS Spring Meeting*1 San Francisco, CA USA |
M. Kurouchi, T. Yamaguchi, H. Naoi, A. Suzuki, T. Araki, Y. Nanishi |
| 2 | Optical Emission Spectroscopy during InN Growth by ECR-MBE | ICCG-14/ICVGE-12*2, (2004.8) | T. Koizumi, J. Wada, T. Ueno, N. Yamashita, T. Araki H. Naoi and Y. Nanishi |
| 3 | Growth of In-rich InGaN on InN template by RF-MBE | ICCG-14/ICVGE-12*2, (2004.8) | M. Kurouchi, T. Yamaguchi, H. Naoi, A. Suzuki, T. Araki, Y. Nanishi |
| 4 | Growth of high-quality InN films by insertion of high-temperature InN buffer layer | ICCG-14/ICVGE-12*2, (2004.8) | T. Yamaguchi, M. Kurouchi, H. Naoi, A.Suzuki, T. Araki1 and Y. Nanishi |
| 5 | Correlation among Growth Conditions, Crystal Structures and Optical properties of InN (Invited) | PLMCN-4*3, (2004.6) | Y. Nanishi, T. Araki, H. Naoi, M. Kurouchi, T. Yamaguchi |
| 6 | Structure and Properties of InN Growth by RF-MBE (Invited) | XXXIII International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Jaszowiec 2004), (2004.5) | Yasushi Nanishi |
| 7 | Growth and Properties of Polycrystalline InN on Silica Glass by ECR-MBE | IWN-2004*4, (2004.7) | T. Araki, T. Ueno, H. Naoi and Y. Nanishi |
| 8 | Polarity determination of InN by wet etching | IWN-2004*4, (2004.7) | D. Muto, T. Araki, H. Naoi, F. Matsuda and Y. Nanishi |
| 9 | Cubic InN Growth on R-plane (10-12) Sapphire by ECR-MBE | ISCS-2004*5 | A. Tsuyuguchi, K. Teraki, T. Koizumi, J. Wada, T. Araki, H. Naoi and Y. Nanishi |
| 10 | Effects of the nitridation process of (0001) sapphire on crystalline quality of InN grown by RF-MBE | 2004 MRS Fall Meeting*6 Hyness Convention Center, Boston, USA |
D. Muto, R. Yoneda, H. Naoi, T. Araki and Y. Nanishi |
| 11 | Growth, structure and properties of InN and InGaN alloys by MBE (Invited) | The 13th International Conference on Molecular Beam Epitaxy (MBE 2004), (2004.8) | Y. Nanishi, T. Yamaguchi, M. Kurouchi, T. Araki, H. Naoi and A. Suzuki |
| 12 | Influences of thermal oxidation on properties of InN films | 2004 Joint International Meeting (NITRIDE AND WIDE BANDGAP SEMICONDUCTORS FOR SENSORS, PHOTONICS AND ELECTRONICS V), (2004.10) | T. Araki, R. Yoneda, K. Yorozu, H. Naoi, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 13 | Present Status and Material Issues of AlGaN/GaN HFETs (Invited) | Symposium on Advanced Materials and NanoScience, (2004.8) | Yasushi Nanishi |
| 14 | Present Status and Challenges of AlGaN/GaN HFETs (Invited) | ICSICT 2004*7, (2004.10) | Yasushi Nanishi |
| 15 | Growth and properties of InGaN alloys by RF-MBE (Invited) | AFOSR Indium Nitride Workshop2, (2005.1) | Y. Nanishi, M. Kurouchi, H. Naoi and T. Araki |
| 16 | Growth, structure and properties of InN, InNGaN and InN/InGaN quantum wells (Invited) | Japan-Germany Colloquium 2005 Semiconductor Physics and Technology, (2005.2) | Yasushi Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Polarity determination of InN by wet etching | EMS-23*8 Extended Abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium, Shizuoka, July 7-9, 2004 |
D. Muto, T. Araki, H. Naoi, F. Matsuda and Y. Nanishi |
| 2 | Basic Study on Selective Area Growth of GaN by MBE for Fabrication of Photonic Crystal | EMS-23*8 Extended Abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium, Shizuoka, July 7-9, 2004 |
Y. Nakao, N. Yamashita, T. Araki, H. Naoi and Y. Nanishi |
| 3 | Growth of high In-composition InGaN on InN template by RF-MBE | EMS-23*8 Extended Abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium, Shizuoka, July 7-9, 2004 |
M. Kurouchi, H. Naoi, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 4 | Influences of thermal oxidation on properties of InN films | EMS-23*8 Extended Abstracts of the 23rd Electronic Materials Symposium, Shizuoka, July 7-9, 2004 |
R. Yoneda, K. Yorozu, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 5 | ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶InN結晶成長とその特性評価 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
荒木努、上野朝隆、直井弘之、名西やすし |
| 6 | MBE法を用いたGaN選択成長に関する検討 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
中尾依子、山下直樹、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 7 | ECR-MBE法を用いたInGaN成長中のプラズマ発光分光分析 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
寺木邦子、露口招弘、小泉豪、和田純一、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 8 | ECR-MBE法によるR面サファイア基板上の立方晶InN成長 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
露口招弘、寺木邦子、小泉豪、和田純一、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 9 | MBE法による窒化Ga2O3基板上立方晶GaN成長(1)基板窒化処理の効果 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
和田純一、森岡千晴、藤原圭祐、山口智広、荒木努、名西やすし、大平重男、宍戸統悦 |
| 10 | MBE法による窒化Ga2O3基板上立方晶GaN成長(2)GaN成長温度依存性 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
森岡千晴、和田純一、藤原圭祐、山口智広、荒木努、名西やすし、大平重男、宍戸統悦 |
| 11 | ウェットエッチングによるInNの極性評価 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
武藤大祐、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 12 | 熱酸化によるInNの特性への影響 (1)大気圧下での熱酸化 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
早川祐矢、米田亮太郎、萬謙太郎、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 13 | 熱酸化によるInNの特性への影響 (2)大気圧下での熱酸化 | 秋季第65回応用物理学会学術講演会 東北学院大学、9月(2004) |
米田亮太郎、早川祐矢、萬謙太郎、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 14 | ECR-MBE法による石英ガラス基板上多結晶InN成長 | 第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）（2004.8） | 荒木努、上野朝隆、直井弘之、名西やすし |
| 15 | RF-MBE法による高In組成InGaN成長におけるInNテンプレートの効果 | 第34回結晶成長国内会議（NCCG-34）（2004.8） | 黒内正仁、荒木努、直井弘之、鈴木彰、名西やすし |
| 16 | AlGaN/GaNヘテロ構造におけるAlGaN偏光PL特性 | 春季第52回応用物理学会学術講演会 埼玉大学、3月(2005) |
北川幸雄、小坂賢一、土屋忠厳、鈴木彰、荒木努、名西やすし |
| 17 | InNテンプレートを用いたInN/InGaN量子井戸構造の作製と評価 | 春季第52回応用物理学会学術講演会 埼玉大学、3月(2005) |
黒内正仁、直井弘之、荒木努、宮嶋孝夫、名西やすし |
| 18 | AlGaN/GaN HFET構造におけるAlGaN中Deep LevelのCL評価 | 春季第52回応用物理学会学術講演会 埼玉大学、3月(2005) |
小坂賢一、北川幸雄、土屋忠厳、鈴木彰、荒木努、名西やすし |
| 19 | 原子状水素照射によるInNの極性評価 | 春季第52回応用物理学会学術講演会 埼玉大学、3月(2005) |
早川祐矢、武藤大祐、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 20 | RF-MBEを用いた (0001) サファイア基板上 高InN組成InxAl1-x成長と光学的評価 | 春季第52回応用物理学会学術講演会 埼玉大学、3月(2005) |
藤原圭祐、黒内正仁、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 21 | （0001）サファイア基板の窒化条件によるInNの結晶性への影響 | 春季第52回応用物理学会学術講演会 埼玉大学、3月(2005) |
武藤大祐、米田亮太郎、直井弘之、黒内正仁、荒木努、名西やすし |
| 22 | Si (111) 基板上InN結晶成長におけるA1Nバッファ層膜厚依存症 | 春季第52回応用物理学会学術講演会 埼玉大学、3月(2005) |
森岡千晴、宮原学、田中岳利、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 23 | RF-MBE法を用いたシリコン基板上窒化インジウム結晶成長に関する検討 | 第10回電子情報通信学会関西支部学生会研究発表講演会 近畿大学、3月(2005) |
宮原学、森岡千晴、田中岳利、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |