| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Growth of high-quality In-rich InGaN alloys by RF-MBE for the fabrication of InN-based quantum well structures | J.Cryst.Growth 288, 283-288 (2005). | H. Naoi, M. Kurouchi, D. Muto, T. Araki, T. Miyajima and Y. Nanishi |
| 2 | Optical Emission Spectroscopy during InN Growth by ECR-MBE | J.Cryst.Growth 275, e1073-e1077(2005). | T. Koizumi, J. Wada, T. Ueno, N. Yamashita, T. Araki, H. Naoi and Y. Nanishi |
| 3 | Growth of high-quality InN films by insertion of high-temperature InN buffer layer | J.Cryst.Growth 275 e1321-e1326(2005). | T. Yamaguchi, M. Kurouchi, H. Naoi, A.Suzuki, T. Araki and Y. Nanishi |
| 4 | Effects of the nitridation process of (0001) sapphire on crystalline quality of InN grown by RF-MBE | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 831 E4.2(2005). | D. Muto, R. Yoneda, H. Naoi, T. Araki and Y. Nanishi |
| 5 | Extended X-ray Absorption Fine Structure Studies of InGaN Epilayers | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 831 E3.30(2005). | V. Katchkanov, K. P. O'Donnell, J. F. W. Mosselmans, S. Hernandez, R. W. Martin, Y. Nanishi, M. Kurouchi, I. Watson, W. Van der Stricht and E. Calleja |
| 6 | The composition dependence of the optical properties of InN-rich InGaN grown by MBE | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 831 E3.6(2005). | R. W. Martin, R. R. Edwards, S. Hernandez, K. Wang, I. Fernandez-Torrente, M. Kurouchi, Y. Nanishi and K. P. O'Donnell |
| 7 | Correlation among Growth Conditions, Crystal Structures and Optical Properties of InN | phys. stat. sol. (c), 2, 841-844 (2005). | H. Naoi, M. Kuroychi, T. Araki, T. Yamaguchi and Y.Nanishi |
| 8 | Dependence of the E2 and A1(LO) Modes on InN Fraction in InGaN Epilayers | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 831 E3.22(2005). | S. Hernandez, R. Cusco, L. Artus, K.P. O'Donnell, R.W. Martin, I.M. Watson, Y. Nanishi, M. Kurouchi, and W. Van der Stricht |
| 9 | Cubic InN Growth on R-plane (10-12) Sapphire by ECR-MBE | Inst. Phys. Conf. Ser. 184 239-242(2005). | A. Tsuyuguchi, K. Teraki, T. Koizumi, J. Wada, T. Araki, H. Naoi and Y. Nanishi |
| 10 | Structural and luminescence properties of In-rich InGaN layers grown on InN templates by RF-MBE | phys. stat. sol.(a) 202 2642-2647(2005). | H. Naoi, M. Kurouchi, S. Takado, D. Muto, T. Araki and Y. Nanishi |
| 11 | Polarity determination of InN using KOH solutions | 信学技報 39-42(2005). | 武藤大祐、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 12 | Dependence of Optical Properties of InN on Its Crystalline Quality | 信学技報 43-48(2005). | 直井弘之、黒内正仁、荒木努、山口智広、名西やすし |
| 13 | Influences of Thermal Oxidation on Properties of Indium Nitride Films | 信学技報 49-54(2005). | 荒木努、米田亮太郎、早川祐矢、萬謙太郎、直井弘之、鈴木彰、名西やすし |
| 14 | 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 | 信学技報 105 325 1-4(2005). | 武藤大祐、直井弘之、荒木努、北川幸雄、黒内正仁、羅炫石、名西やすし |
| 15 | RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 | 信学技報 105 325 23-28(2005). | 黒内正仁、高堂真也、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 16 | GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 | 信学技報 105 325 71-74(2005). | 檜木啓宏、廣山雄一、土屋忠厳、山田朋幸、岩見正之、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 17 | ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 | 信学技報 105 325 9-12(2005). | 熊谷裕也、露口招弘、寺木邦子、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 18 | 原子状水素照射によるInNの極性評価 | 信学技報 105 325 13-16(2005). | 早川祐矢、武藤大祐、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 19 | AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク | 信学技報 105 325 75-78(2005). | 山田朋幸、土屋忠厳、城川潤二郎、岩見正之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Growth and structural characterization of InN-based quantum well structures grown by RF-MBE on (0001) sapphire | 2005 Electronic Materials Conference University of California (Santa Barbara, CA, USA)(2005.6) |
T. Araki,M. Kurouchi,H. Naoi and Y. Nanishi |
| 2 | Study on GaMnN Films | The third international school and conference on spintronics and quantum
information technology (Spintech Ⅲ) 淡路夢舞台国際会議場（兵庫県津名郡）(2005.8) |
S. Sonoda,F. Oba,T. Yamamoto,H. Ikeno,T. Araki,K. Suga,Y. Yamamoto,I. Tanaka,Y. Nanishi,K. Kindo,H. Hori and Y. Akasaka |
| 3 | Growth of In-rich InGaN of improved quality on high-quality InN templates by RF-MBE and its use for the fabrication of InN-based quantum well structures | 5th International Conference on Physics of Light-Matter Coupling in Nanostructures
(PLMCN5) The McCance Building (John Anderson Campus) of the University of Strathclyde (Glasgow, UK)(2005.6) |
H. Naoi,M. Kurouchi,S. Takado,D. Muto,T. Araki and Y. Nanishi |
| 4 | MBE Growth of InN and InGaN for 1μm Wavelength Optical Device Applications | The 17th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2005) Thistle Hotel (Glasgow, Scotland, UK) (2005.5) |
Y. Nanishi,M. Kurouchi,H. Naoi,T. Araki and T. Miyajima |
| 5 | High-quality InN grown on KOH wet etched N-polar InN template by RF-MBE | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) The Congress Center Bremen (Bremen, Germany)(2005.8) |
D. Muto,H. Naoi,T. Araki and Y. Nanishi |
| 6 | A-plane (11-20) InN Growth on Nitridated R-plane (10-12) Sapphire by ECR-MBE | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) The Congress Center Bremen (Bremen, Germany)(2005.8) |
Y. Kumagai,A. Tsuyuguchi,H. Naoi,T. Araki and Y. Nanishi |
| 7 | Fabrication of InN/InGaN Quantum Well Structures by RF-MBE | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) The Congress Center Bremen (Bremen, Germany)(2005.8) |
M. Kurouchi,H. Naoi,D. Muto,S. Takado,T. Aｒaki,T. Miyajima and Y. Nanishi |
| 8 | Synthesis of c-GaN on the surface of β-Ga2O3 single crystalline using N2 exited ECR plasma | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) The Congress Center Bremen (Bremen, Germany)(2005.8) |
S. Ohira,J. Wada,C. Morioka,K. Fujiwara,T. Yamaguchi,T. Araki,Y. Nanishi and T. Shishido |
| 9 | Growth and properties of InN, InGaN, and InN/InGaN quantum wells (Invited) | European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS Fall Meeting) Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland(2005.9) |
Y. Nanishi,H. Naoi,T. Araki,M. Kurouchi,D. Muto and T. Miyajima（代理発表：直井弘之） |
| 10 | Contactless electroreflectance spectroscopy of InN layers grown by MBE | European Materials Research Society Fall Meeting (E-MRS Fall Meeting) Warsaw University of Technology, Warsaw, Poland(2005.9) |
M. Motyka,R. Kudrawiec,J. Misiewicz,M. Kurouchi,T. Araki and Y. Nanishi |
| 11 | Correlation between resistivity and yellow luminescence intensity of MOCVD-grown GaN layers | 2005 Materials Research Society Fall Meeting (2005 MRS Fall Meeting) Hynes Convention Center (Boston, MA, USA)(2005.11) |
A. Hinoki,Y. Hiroyama,T. Tsuchiya,T. Yamada,M. Iwami,K. Imada,J. kikawa,T. Araki,A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 12 | Al mole fraction dependence of deep levels in AlGaN/GaN-HEMT structures estimated by CV profiling | 2005 Materials Research Society Fall Meeting (2005 MRS Fall Meeting) Hynes Convention Center (Boston, MA, USA)(2005.11) |
J. Kikawa,K. Imada,T. Yamada,T. Tsuchiya,Y. Hiroyama,M. Iwami,T. Araki,A. Suzuki,Y. Nanishi |
| 13 | Polarized Photoluminescence Study on AlGaN of AlGaN/GaN Heterostructure | 2005 Materials Research Society Fall Meeting (2005 MRS Fall Meeting) Hynes Convention Center (Boston, MA, USA)(2005.11) |
S. Kitagawa,K. Kosaka,T. Tsuchiya,A. Suzuki,T. Araki and Y. Nanishi |
| 14 | Growth of c-GaN films on the nitridated β-Ga2O3 substrates using RF-MBE | 2005 Materials Research Society Fall Meeting (2005 MRS Fall Meeting) Hynes Convention Center (Boston, MA, USA)(2005.11) |
T. Araki,C. Morioka,J. Wada,K. Fujiwara,H. Minami,Y. Nanishi,S. Ohira,N. Suzuki and T. Shishido |
| 15 | Growth, structure and properties of InN, InGaN and InN/InGaN quantum Wells by RF-MBE | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) The Congress Center Bremen (Bremen, Germany)(2005.8) |
Yasushi Nanishi |
| 16 | Valance band structure of InN from x-ray photoemission studies | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) The Congress Center Bremen (Bremen, Germany)(2005.8) |
L. F. J. Piper,T. D. Veal,P. H. Jefferson,C. F. McConville,F. Fuchs,J. Furthmuller,F. Bechstedt,H. Lu,W. J. Schaff,H. Naoi and Y. Nanishi |
| 17 | Polarity determination of InN by atomic hydrogen irradiation | 6th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-6) The Congress Center Bremen (Bremen, Germany)(2005.8) |
Y. Hayakawa,D. Muto,H. Naoi,T. Araki,A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 18 | Preparation and properties of InN and InGaN layers and ｈeterostructuers | HETECH05（14th International Workshop on Heterostructuer Technology ） The Congress Centre of the Slovak Academy of Sciences(CC SAS),Smolenice Castle, Slovakia(2005.10) |
Y. Nanishi,H. Naoi,T. Araki,M. Kurouchi,D. Muto and Y. Kumagai |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | InNの光学的特性の結晶品質依存性 | 電子情報通信学会 合同研究会 三重大学、5月(2005) |
直井 弘之、黒内 正仁、荒木 努、山口 智弘、名西 やすし |
| 2 | KOH水溶液を用いたInNの極性評価 | 電子情報通信学会 合同研究会 三重大学、5月(2005) |
武藤大祐、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 3 | RF-MBE成長したInN薄膜に対する熱酸化処理の影響 | 電子情報通信学会 合同研究会 三重大学、5月(2005) |
荒木努、米田亮太郎、早川祐矢、直井弘之、鈴木彰、名西やすし |
| 4 | Cathodoluminescence Study on Deep Level in AlGaN of AlGaN/GaN HFET Structure | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
K. Kosaka, S. Kitagawa, T. Tsuchiya, A. Suzuki, T. Araki and Y. Nanishi |
| 5 | Effects of (0001) sapphire substrate nitridation conditions on crystalline quality of InN | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
D. Muto, R. Yoneda, H. Naoi, M. Kurouchi, T. Araki and Y. Nanishi |
| 6 | Non-polar A-plane InN Growth on Nitridated R-plane Sapphire by ECR-MBE | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki and Y. Nanishi |
| 7 | AlN buffer layer thickness dependence of InN grown on (111) Si | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
M. Miyahara, C. Morioka, T. Tanaka, N. Naoi, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 8 | Formation of c-GaN on the surface of β-Ga2O3 single crystalline using N2 plasma generated by ECR | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
S. Ohira, N. Suzuki, J. Wada2, C. Morioka, K. Fujiwara, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi and T. Shishido |
| 9 | Correlation between resistivity and luminescence intensity of GaN layers grown by MOCVD | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
A. Hinoki, Y. Hiroyama, T. Tsuchiya, T. Yamada, M. Iwami, K. Imada, J. Kikawa, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 10 | Growth of InN/InGaN Quantum Well Structures by RF-MBE | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
M. Kurouchi, H. Naoi, T. Araki, T. Miyajima and Y. Nanishi |
| 11 | Estimate of deep levels in AlGaN/GaN-HEMT structures by CV method | 第24回 電子材料シンポジウム 24th Electronic Materials Symposium (EMS24) メルパルク松山（愛媛県松山市）、7月(2005) |
J. Kikawa, K. Imada, T. Yamada, T. Tsuchiya, Y. Hiroyama, M. Iwami, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 12 | InNテンプレート上RF-MBE成長InGaNの極微構造評価 | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 徳島大学、9月(2005) |
荒木努、黒内正仁、武藤大祐、直井弘之、名西やすし |
| 13 | ECR-MBE法によるR面サファイア基板上A面InNの成長 | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 徳島大学、9月(2005) |
熊谷裕也、露口招弘、寺木邦子、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 14 | InNテンプレートを用いたInN/InGaN多重量子井戸構造の作製とその評価 | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 徳島大学、9月(2005) |
黒内正仁、高堂真也、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 15 | InNおよびInGaNの結晶成長と構造および特性の評価 | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 （第27回応用物理学会
解説論文賞受賞記念講演） 徳島大学、9月(2005) |
名西やすし、荒木努、宮嶋孝夫 |
| 16 | AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク(2) | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 （第27回応用物理学会
解説論文賞受賞記念講演） 徳島大学、9月(2005) |
山田朋幸、土屋忠厳、岩見正之、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 17 | 電流ニラプス発生時のAlGaN/GaN HEMTの表面電位分布KFM測定 | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 （第27回応用物理学会
解説論文賞受賞記念講演） 徳島大学、9月(2005) |
土屋忠厳、岩見正之、山田朋幸、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 18 | KFMを用いたAlGaN/GaN-HEMTの電界分布測定 (2) | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 （第27回応用物理学会
解説論文賞受賞記念講演） 徳島大学、9月(2005) |
岩見正之、山田朋幸、土屋忠厳、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 19 | GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関 | 2005年（平成17年） 秋季 第66回応用物理学会学術講演会 （第27回応用物理学会
解説論文賞受賞記念講演） 徳島大学、9月(2005) |
檜木啓宏、土屋忠厳、山田朋幸、岩見正之、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 20 | RF-MBE法によるInN/InGaN量子井戸構造の作製とその評価 | 電子情報通信学会 合同研究会 立命館大学、10月 (2005) |
黒内正仁、高堂真也、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 21 | GaNバッファ層リーク電流とルミネセンス強度との相関に関する研究 | 電子情報通信学会 合同研究会 立命館大学、10月 (2005) |
檜木啓宏、廣山雄一、土屋忠厳、山田朋幸、岩見正之、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 22 | ECR-MBE法による(10-12)サファイア基板上(11-20)InNの成長 | 電子情報通信学会 合同研究会 立命館大学、10月 (2005) |
熊谷裕也、露口招弘、寺木邦子、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 23 | 原子状水素照射によるInNの極性評価 | 電子情報通信学会 合同研究会 立命館大学、10月 (2005) |
早川祐矢、武藤大祐、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 24 | 凹凸加工InNテンプレートを用いたInNの高品質化 | 電子情報通信学会 合同研究会 立命館大学、10月 (2005) |
武藤大祐、直井弘之、荒木努、北川幸雄、黒内正仁、羅炫石、名西やすし |
| 25 | AlGaN/GaN HEMTのゲートリーク | 電子情報通信学会 合同研究会 立命館大学、10月 (2005) |
山田朋幸、土屋忠厳、城川潤二郎、岩見正之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 26 | InGaN/InN-MQWにおける内部電界の検討 | 2006年（平成18年） 春季 第53回応用物理学会学術講演会 武蔵工業大学（東京都世田谷区）、3月(2005) |
熊本哲郎、山本雅之、笠原健一、黒内正仁、荒木努、名西やすし |
| 27 | Ｒ面サファイア基板上Ａ面InNの極微構造評価 | 2006年（平成18年） 春季 第53回応用物理学会学術講演会 武蔵工業大学（東京都世田谷区）、3月(2005) |
渡辺幸夫、熊谷裕也、露口招弘、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 28 | ECR-MBE法を用いた窒化Ｒ面サファイア基板上Ａ面InN成長とその成長機構 | 2006年（平成18年） 春季 第53回応用物理学会学術講演会 武蔵工業大学（東京都世田谷区）、3月(2005) |
熊谷裕也、露口招弘、渡辺幸夫、黒内正仁、寺木邦子、荒木努、直井弘之、名西やすし |
| 29 | 凸凹加工InNテンプレートを用いた高品質InNの成長 | 2006年（平成18年） 春季 第53回応用物理学会学術講演会 武蔵工業大学（東京都世田谷区）、3月(2005) |
武藤大祐、直井弘之、荒木努、黒内正仁、名西やすし |
| 30 | FeドープGaN層を用いたAlGaN/GaN-HEMTの表面電位分布KFM測定 | 2006年（平成18年） 春季 第53回応用物理学会学術講演会 武蔵工業大学（東京都世田谷区）、3月(2005) |
神谷慎一、岩見正之、土屋忠厳、檜木啓宏、城川潤二郎、山田朋幸、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 31 | Micro-Raman 分光法を用いたAlGaN/GaN HFET の温度分布解析 | 2006年（平成18年） 春季 第53回応用物理学会学術講演会 武蔵工業大学（東京都世田谷区）、3月(2005) |
小坂賢一、藤嶌辰也、井上薫、山田朋幸、土屋忠厳、城川潤二郎、神谷慎一、鈴木彰、荒木努、名西やすし |
| 32 | ECR-MBE法による加工基板上InN ナノドットの配列制御 | 2006年（平成18年） 春季 第53回応用物理学会学術講演会 武蔵工業大学（東京都世田谷区）、3月(2005) |
山口泰平、露口招弘、寺木邦子、中尾依子、荒木努、直井弘之、名西やすし |