| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Al mole fraction dependence of deep levels in AlGaN/GaN-HEMT structures estimated by CV profiling | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. FF10-01 892 (2006). | J. Kikawa, K. Imada, T. Yamada, T. Tsuchiya, Y. Hiroyama, M. Iwami, T. Araki, A. Suzuki, Y. Nanishi |
| 2 | Polarized Photoluminescence Study on AlGaN of AlGaN/GaN Heterostructure | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. FF23-03, 892(2006). | S. Kitagawa, K. Kosaka, T. Tsuchiya, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 3 | Correlation between resistivity and yellow luminescence intensity of GaN layers grown by MOCVD | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. FF28-06 892(2006). | A. Hinoki, Y. Hiroyama，T. Tsuchiya，T. Yamada, M. Iwami, K. Imada, J. Kikawa, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 4 | Growth of c-GaN films on the nitridated β-Ga2O3 substrates using RF-MBE | Mat. Res. Soc. Symp. Proc. FF28-06 892(2006). | T. Araki, C. Morioka, J. Wada, K. Fujiwara, H. Minami, Y. Nanishi, S. Ohira, N. Suzuki, T. Shishido |
| 5 | High-quality InN grown on KOH wet etched N-polar InN template by RF-MBE | phys. stat. sol. (a). 1691-1695 203(2006). | D. Muto, H. Naoi, T. Araki, S. Kitagawa, M. Kurouchi, H. Na and Y. Nanishi |
| 6 | Coexistence of Mn2+ and Mn3+ in ferromagnetic GaMnN | J. Phys. Cond. Mat. 4615-4621 18(2006). | S. Sonoda, I. Tanaka, H. Ikeno, T. Yamamoto, F. Oba, T. Araki, Y. Yamamoto, K. Suga, Y. Nanishi, Y. Akasaka, K. Kindo and H. Hori |
| 7 | Fabrication of InN/InGaN multiple quantum well structures by RF-MBE | phys. stat. sol. (c), 1599-1603 3(2006). | M. Kurouchi, H. Na, H. Naoi, D. Muto, S. Takado, T. Araki, T. Miyajima and Y. Nanishi |
| 8 | Analysis of the local structure of InN with a bandgap energy of 0.8 and 1.9 eV and annealed InN using X-ray absorption fine structure measurements | phys. stat. sol. (c) 1746-1749 3(2006). | T. Miyajima, Y. Kudo, A. Wakahara, T. Yamaguchi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 9 | A-plane(1120) InN growth on nitridated R-plane(1012) sapphire by ECR-MBE | phys. stat. sol. (b). 1468-1471 243(2006). | Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi |
| 10 | Localized donor state above the conduction band minimum in InN revealed by high pressure and temperature transport experiments | phys. stat. sol.(a) 1679-1686 243(2006). | L. H. Dmowski, K. Dybko, J. Plesiewicz, T. Suski, H. Lu, W. Schaff, M. Kurouchi, Y. Nanishi, L. Konczewicz, V. Cimalla, O. Ambacher |
| 11 | Superconductivity of InN with a well defined Fermi surface | phys. stat. sol. (b) 1679-1686 243(2006). | T. Inushima, N. Kato, D. K. Maude, Hai Lu, W. J. Schaff, R. Tauk, Y. Meziani, S. Ruffenack, O. Briot, W. Knap, B. Gil, H. Miwa, A. Yamamoto, D. Muto, Y. Nanishi, M. Higashiwaki, T. Matsui |
| 12 | Awaking of ferromagnetism in GaMnN through control of Mn valence | Appl. Phys. Lett. 012504-1-012504-3 90(2006). | S. Sonoda, I. Tanaka, F. Oba, H. Ikeno, H. Hayashi, T. Yamamoto, Y. Yuba, Y. Akasaka, K. Yoshida, M. Aoki, M. Asari, T. Araki Y. Nanishi, K. Kindo, H. Hori |
| 13 | Investigation of polarization-induced electric field screening in InGaN light emitting diodes by means of hydrostatic pressure | phys. stat. sol. (b) 32-37 244(2006). | G. Franssen, T. Suski, P. Perlin, R. Bohdan, W. Trzeciakowski, H. Teisseyre, A. Khachapuridze, G. Targowski, K. Krowicki, R. Czernecki, M. Leszczyski, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. Lu, W. Schaff |
| 14 | Effect of low temperature InGaN interlayers on structural and optical properties of In-rich InGaN | J. Cryst. Growth 177-181 300(2006). | H. Na, S. Takado, S. Sawada, M. Kurouchi, T. Akagi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 15 | Thermal Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Electro-Thermal Simulation and Micro-Raman Spectroscopy | Proceedings of SPIE 647317-1-647317-10 6473(2006). | T. Fujishima, K. Inoue, K. Kosaka, A. Hinoki, T. Yamada, T. Tsuchiya, J. Kikawa, S. Kamiya, A. Suzuki, and Y. Nanishi |
| 16 | Growth of InN nanocolumns by RF-MBE | J. Cryst. Growth 490-495 301-302(2006). | S. Nishikawa, Y. Nakao, H. Naoi, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi |
| 17 | Dielectric function and Van Hove singularities for In-rich InGaN alloys:comparison of N-and metal-face materials | Phys. Rev. B 205204-1-205204-8 75(2006). | P. Schley, R. Goldhahn, A. T. Winzer, G. Gobsch, V. Cimalla, O. Ambacher, H. Lu, W. J. Schaff, M. Kurouchi, Y. Nanishi, M. Rakel, C. Cobet and N. Esser |
| 18 | マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET 高負荷時の温度分布解析 | 信学技報 39-43 106(2006). | 小坂賢一、藤嶌辰也、井上薫、檜木啓宏、山田朋幸、土屋忠厳、城川潤二郎、神谷慎一、鈴木彰、荒木努、名西やすし |
| 19 | ECR-MBE法による加工基板上InN ナノドットの配列・サイズ制御 | 信学技報 117-120 106(2006). | 山口泰平、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 20 | Development of AlGaN/GaN High Power and High Frequency HFETs under NEDO's Japanese National Project | DIGEST OF 2006 International Conference on Compound Semiconductor manufacturing technology 45-48 1(2006). | Y. Nanishi, H. Miyamoto, A. Suzuki, H. Okumura and N. Shibata |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Temperature Distribution Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy | The 2006 International Meeting for Future of Electron Devices,Kanasai Kyoto University Clock Tower Centennial Hall(Kyoto,Japan)(2006.4) |
K. Kosaka, T. Fujishima, A. Hinoki, K. Inoue, T. Yamada, T. Tsuchiya, J. Kikawa, S. Kamiya, A. Suzuki, T. Araki, Y. Nanishi |
| 2 | Development of AlGaN/GaN High Power and High Frequency HFETs under NEDO's Japanese National Project | The 2006 International Conference on Compound Semiconductor Manufacturing
Technology Conference(MANTECH2006) Fairmont Hotel Vancouver(Vancouver,Canada)(2006.4) |
Y. Nanishi, H. Miyamoto, A. Suzuki, H. Okumura and N. Shibata |
| 3 | Potential, Present status and Issues of InN, InGaN and Those Heterostructures Grown by RF-MBE | The International Symposium on Blue Laser and Light Emitting Diodes (ISBLLED-2006) Montpellier, France(2006.5) |
Y. Nanishi |
| 4 | RF-MBE Growth of InN and In-rich InGaN | First International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-1) Linkoping(Sweden) (2006.6) |
Y. Nanishi, H. Naoi, T. Araki, M. Kurouchi, D. Muto and Y. Kumagai |
| 5 | Improvement on surface morphology of In-rich InGaN layers by low temperature InGaN interlayers | First International Symposium on Growth of III-Nitrides(ISGN-1) Linkoping(Sweden)(2006.6) |
H. Na, S. Takado, S. Sawada, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 6 | Electrical Properties of Magnesium Doped InN | ⅹⅹⅹⅴInternational School on the Physics of Semiconducting Compounds(Jaszowiec 2006) Ustron(Poland)(2006.6) |
L. Dmowski, R. Piotrzkowski, J. Plesiewicz, T. Suski, H. Lu, W. Schaff, M. Kurouchi, Y. Nanishi |
| 7 | Mechanism of Radiative Recombination in InN and In-Rich InGaN | ⅹⅹⅹⅴInternational School on the Physics of Semiconducting Compounds(Jaszowiec 2006) Ustron(Poland)(2006.6) |
T. Suski, G. Franssen, H. Teisseyre, L. H. Dmowski, J. A. Plesiewicz, P. Perlin, A. Kaminska, M. Kurouchi, |
| 8 | Optical studies of InN crystals | ⅹⅹⅹⅴInternational School on the Physics of Semiconducting Compounds(Jaszowiec 2006) Ustron(Poland)(2006.6) |
I. Wysocka, D. Wasik, A. Witowski, M. Kaminska, M. Kurouchi, Y. Nanishi |
| 9 | Growth of In-rich InAlN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties | TMS 2006 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE Pennsylvania State University(Pennsylvania,USA)(2006.6) |
H. Naoi, K. Fujiwara, M. Kurouchi, D. Muto, T. Araki, H. Na and Y. Nanishi |
| 10 | A Dynamic Micro-Analysis of Temperature Distribution and Electrical Potential Distribution of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy and Kelvin-Force Microscopy | TMS 2006 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE Pennsylvania State University(Pennsylvania,USA)(2006.6) |
A. Suzuki, S. Kamiya, M. Iwami, Y. Hiroyama, T. Tsuchiya, T. Yamada, J. Kikawa, K. Kosaka, T. Araki and Y. |
| 11 | CORRELATION BETWEEN ELECTRIC STRUCTURE OF Mn AND MAGNETISM IN GaMnN | 28TH International Conference on the Physics of Semiconductors(ICPS-28) Vienna,Austris(2006.7) |
S. Sonoda, I. Tanaka, H. Ikeno, T. Yamamoto, F. Oda, T. Araki, Y. Yamamoto, K. Suga, Y. Nanishi, Y. Akasaka, K. Kindo and H. Hori |
| 12 | CORRELATION BETWEEN ELECTRIC STRUCTURE OF Mn AND MAGNETISM IN GaMnN | International Conference on Magnetism(ICM2006) Kyoto International Conference Hall(2006.8) |
S. Sonoda, I. Tanaka, H. Ikeno, T. Yamamoto, F. Oda, T. Araki, Y. Yamamoto, K. Suga, Y. Nanishi, Y. Akasaka, K. Kindo and H. Hori |
| 13 | RF-MBE Growth of InN, In-rich InGaN and Those Microstructures | The 13th International Symposium on the Physics of Semiconductors and Applications (ISPSA-2006) Ramada Plaza Jeju Hotel,Jeju (KOREA)(2006.8) |
Y. Nanishi, H. Naoi, T. Araki, M. Kurouchi, D. Muto, and Y. Kumagai |
| 14 | Effect of low temperature InGaN layers on structural properties of In-rich InGaN grown by RF-MBE | 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2006) Waseda University, Tokyo, Japan(2006.9) |
H. Na, S. Takado, S. Sawado, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 15 | Growth of InN nanocolumns by RF-MBE | 14th International Conference on Molecular Beam Epitaxy(MBE2006) Waseda University, Tokyo, Japan(2006.9) |
S. Nishikawa, Y. Nakao, H. Naoi, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi |
| 16 | X-ray Photoelectron Spectroscopy Study on Natural-Oxidation Process of In-and N-polar InN Surfaces | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
T. Hioka, D. Muto, T. Fukuda, H. Naoi, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 17 | Effects of non-stoichoimetry and compensation on fundamental parameters of heavily-doped InN | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
T. V. Shubina, M. M. Glazov, S. V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, B. Monemar, T. Araki, H. Naoi, and Y. Na |
| 19 | Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 20 | Growth of A-plane(11-20) In-rich InGaN on r-plane(10-12) sapphire by RF-MBE | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 21 | Correlation between Electric Structure and Magnetism in Mn Doped GaN Films | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
S. Sonoda, I. Tnaka, H. Ikeno, T. Yamamoto, F. Oba, T. Araki, Y. Yamamoto, K. Suga, Y. Nanishi |
| 22 | Correlation between the Leakage Current and the Thickness of GaN Layer of AlGaN/GaN HFET | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
A. Hinoki, S. Kamiya, T. Tsuchiya, T. Yamada, J. Kikawa, K. Kosaka, T. Araki, A. Suzuki, and Y. Nanishi |
| 23 | Gate Leakage Currents of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
T Yamada, T. Tsuchiyaa, K. Imadaa, M. Iwami, J. Kikawa, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 24 | An Analysis of the Increase in Sheet Resistance with the Lapse of Time of AlGaN/GaN HEMT Structur | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
J. Kikawa, T. Yamada, T. Tsuchiya, S. Kamiya, K. Kosaka, A. Hinoki, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 25 | Temperature Distribution Analysis of AlGaN/GaN HFETs Operated around Breakdown Voltage Using Micro-Raman Spectroscopy and Device Simulation | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
K. Kosaka, T. Fujishima, K. Inoue, A. Hinoki, T. Yamada, T. Tsuchiya, J. Kikawa, S. Kamiya, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 26 | Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 27 | Physical properties of InN and In-rich InGaN revealed by hydrostatic pressure studies | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
T. Suski, G. Franssen, H. Teisseyre, L. H. Dmowski, J. A. Plesiewicz, P. Perlin, A. Kami_ska, M. Kurouchi, Y. Nanishi, H. L. Lu, and W. J. Schaff |
| 28 | Polar and non-polar growth of InN and InGaN by RF-MBE | The Third International Indium Nitride WorkShop Hotel Itapemar(Ilhabela、Brazil)(2006.11) |
Y. Nanishi, H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, Y. Kumagai, M. Noda, and T. Araki |
| 29 | Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE | 2006 Materials Research Society Fall Meeting (2006 MRS Fall Meeting) Hynes Convention Center & Sheraton Boston Hotel (Boston, MA, USA)(2006.11) |
T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 30 | Mg-doped N-polar InN Grown by Rf-MBE | 2006 Materials Research Society Fall Meeting (2006 MRS Fall Meeting) Hynes Convention Center & Sheraton Boston Hotel (Boston, MA, USA)(2006.11) |
D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 31 | Valence Band Photoemission and Surface Fermi Level of In-polar and N-polar InN | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
C. F. McConville, T. D. Veal, L. F. J. Piper, P. H. Jefferson, P. A. Anderson, S. M. Durbin, D. Muto, H. Naoi, Y. Nanishi, H. Lu, and W. J. Schaff |
| 32 | Threading dislocation reduction in InN regrown on micro-faceted InN template by RF-MBE | International Workshop on Nitride Semiconductors(IWN2006) Kyoto, Japan(2006.10) |
T. Araki, D. Muto, H. Naoi and Y. Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE | 第25回電子材料シンポジウム 25th Electronic Materials Symposium (EMS25) ホテルサンバレー富士見（静岡県田方郡伊豆長岡町）、7月(2006) |
S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 2 | Thermal Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy and Device Simulation | 第25回電子材料シンポジウム 25th Electronic Materials Symposium (EMS25) ホテルサンバレー富士見（静岡県田方郡伊豆長岡町）、7月(2006) |
T. Fujishima, K. Kosaka, A. Hinoki, K. Inoue, T. Yamada, T. Tsuchiya, J. Kikawa, S. Kamiya, A. Suzuki, T. Araki, Y. Nanishi |
| 3 | XPSによるIn極性およびN極性InNの自然酸化過程の評価 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
日岡健、武藤大祐、福田貴之、直井弘之、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 4 | RF-MBE法によるInNナノコラム結晶の成長 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
西川誠二、中尾依子、直井弘之、荒木努、羅炫石、名西やすし |
| 5 | RF-MBE法によるMgドープInNの成長 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
武藤大祐、直井弘之、高堂真也、羅炫石、荒木努、名西やすし |
| 6 | 凹凸加工InNテンプレート上InN再成長による貫通転位密度低減 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
荒木努、武藤大祐、赤木孝信、直井弘之、名西やすし |
| 7 | In0.78Ga0.22N/InN-MQWにおける内部電界の検討（Ⅱ） | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
熊本哲郎、山本雅之、笠原健一、黒内正仁、荒木努、名西やすし |
| 8 | RF-MBE法によるR面サファイア基板上高In組成A面InGaNの成長 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
野田光彦、熊谷裕也、高堂真也、武藤大祐、羅炫石、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 9 | RF-MBE法により成長させた高In組成InAlN薄膜におけるサファイア基板低温窒化の効果 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
直井弘之、藤原圭祐、澤田慎也、高堂真也、武藤大祐、羅炫石、荒木努、名西やすし |
| 10 | 低温InGaN中間層を用いた高In組成InGaNの表面平坦性の改善 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
澤田慎也、羅炫石、高堂真也、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 11 | GaNバッファー層リーク電流および耐圧とGaN層膜厚との相関 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
檜木啓宏、神谷慎一、小坂賢一、土屋忠厳、山田朋幸、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 12 | 半絶縁性SiC基板上GaN層の電圧印加による電位分布KFM測定 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
神谷慎一、岩見正之、土屋忠厳、檜木啓宏、城川潤二郎、山田朋幸、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 13 | 導電性AFMによるGaN系薄膜の電気特性評価 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
山田朋幸、土屋忠厳、岩見正之、城川潤二郎、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 14 | AlGaN/GaN HFET破壊電圧付近の温度分布解析 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
黒内正仁、高堂真也、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 15 | AlGaN/GaN-HEMT構造ウエーハのシート抵抗に於ける経時変化 | 2006年 （平成18年） 秋季 第67回応用物理学会学術講演会 立命館大学びわこ・くさつキャンパス、8月(2006) |
城川潤二郎、山田朋幸、土屋忠厳、神谷慎一、黒内正仁、小坂賢一、檜木啓宏、荒木努、鈴木彰、名西やす |
| 16 | マイクロラマン分光によるAlGaN/GaN HFET 高負荷時の温度分布解析 | 電子情報通信学会 合同研会 京都大学桂キャンパス、10月(2006) |
小坂賢一、藤嶌辰也、井上薫、檜木啓宏、山田朋幸、土屋忠厳、城川潤二郎、神谷慎一、鈴木彰、荒木努、名西やすし |
| 17 | ECR-MBE法による加工基板上InN ナノドットの配列・サイズ制御 | 電子情報通信学会 合同研会 京都大学桂キャンパス、10月(2006) |
山口泰平、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 18 | MBE法による窒化β-GaO基板上への六方晶ＧａＮ成長 | 第36回結晶成長国内会議（NCCG-36） 大阪大学、11月(2006) |
南礼史、高橋功次、荒木努、鈴木悟仁、大平重男、名西やすし |