| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Kelvin probe force microscopy study of surface potential transients in cleaved AlGaN/GaN high electron mobility transistors | Appl. Phys. Lett., 90, 213511-1-213511-3 (2007) | S. Kamiya, M. Iwami, T. Tsuchiya, M. Kurouchi, J. Kikawa, T. Yamada, A. Wakejima, H. Miyamoto, A. Suzuki, A. Hinoki, T. Araki, Y. Nanishi |
| 2 | Thermal and Chemical Stabilities of In-and N-Polar InN Surfaces | phys. stat. sol. (b) 244 1834-1838 (2007) | H. Naoi, D. Muto, T. Hioka, Y. Hayakawa, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 3 | Role of localized donor states in transport and photoluminescence of InN revealed by hydrostatic pressure studies | phys. stat. sol. (b) 244 1825-1828 | T. Suski, A. Kaminska, G. Franssen, H. Teisseyre, L. H. Dmowski, J. A. Plesiewicz, H. L. Lu, W. J. Schaff, M. Kurouchi, and Y. Nanishi |
| 4 | Effects of non-stoichiometry and compensation on fundamental parameters of heavily-doped InN | phys. stat. sol. (c) 4 2474-2477 | T. V. Shubina, M. M. Glazov, S. V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, B. Monemar, T. Araki, H. Naoi, and Y. Nanishi |
| 5 | Microstructure of A-plane InN grown on R-plane Sapphire by ECR-MBE | phys. stat. sol. (c) 4 2556-2559 | S. Watanabe, Y. Kumagai, A. Tsuyuguchi, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 6 | Growth of A-plane(11-20) In-rich InGaN on r-plane(10-12) sapphire by RF-MBE | phys. stat. sol. (c) 4 2560-2563 | M. Noda, Y. Kumagai, S. Takado, D. Muto, H. Na, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 7 | Correlation between the Leakage Current and the Thickness of GaN Layer of AlGaN/GaN HFET | phys. stat. sol. (c) 4 2728-2731 | A. Hinoki, S. Kamiya, T. Tsuchiya, T. Yamada, J. Kikawa, K. Kosaka, T. Araki, A. Suzuki, and Y. Nanishi |
| 8 | Gate Leakage Currents of AlGaN/GaN HEMT Structures Grown by Metalorganic Vapor Phase Epitaxy | phys. stat. sol. (c) 4 2690-2694 | T Yamada, T. Tsuchiya, K. Imada, M. Iwami, J. Kikawa, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 9 | An Analysis of the Increase in Sheet Resistance with the Lapse of Time of AlGaN/GaN HEMT Structure Wafer | phys. stat. sol. (c) 4 2678-2681 | J. Kikawa, T. Yamada, T. Tsuchiya, S. Kamiya, K. Kosaka, A. Hinoki, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 10 | Temperature Distribution Analysis of AlGaN/GaN HFETs Operated Around Breakdown Voltage Using Micro-Raman Spectroscopy and Device Simulation | phys. stat. sol. (c) 4 2744-2747 | K. Kosaka, T. Fujishima, K. Inoue, A. Hinoki, T. Yamada, T. Tsuchiya, J. Kikawa, S. Kamiya, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 11 | Growth of hexagonal GaN films on the nitridated -Ga2O3 substrates using RF-MBE | phys. stat. sol. (c) 4 2306-2309 | S. Ohira, N. Suzuki, H. Minami, K. Takahashi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 12 | GaN-Based Trench Gate Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors with Over 100c㎡/(Vs) Channel Mobility | Jpn. J. Appl. Phys. 46 L599-L601 | H. Otake, S. Egami, H. Ohta, Y. Nanishi, H. Takasu |
| 13 | In Adlayers on c-plane InN surfaces: A polarity-dependent study by x-ray photoemission spectroscopy | Phys. Rev. B 76 075313-1-075313-8 | T. D. Veal, P. D. C. King, P. h. Jefferson, L.. F. J. Piper, C. F. McConville, H. Lu, W. J. Schaff, P. M. Durbin, D. Muto, H. Naoi, Y. Nanishi |
| 14 | Universality of election accumulation at wurtzite c-and a-plane and zinc-blende InN surfaces | Appl. Phys. Lett. 91 092101-1-092101-3 | P. D. C. King, T. D Veal, and C. F. McConville, F. Fuchs, J. Futhmuller., and F. Bechstedt, P. Schley and R. Goldhhn, J. Schormann, D. J. As, and K. Lischka, D. Muto, H. Naoi, and Y. Nanishi, H. Lu and W. J. Schaff |
| 15 | Growth of In-rich InAlN films on(0001) sapphire by RF-MBE and their properties | Journal of Electronic Materials 36 1313-1319 | H. Naoi, K. Fujishima, S. Takado, M. Kurouchi, D, Muto, T. Araki, H. Na, and Y. Nanishi |
| 16 | Effects of Traps Formed by Threading Dislocation on Off-State Breakdown Characteristics in GaN Buffer Layer for AlGaN/GaN Heterostructure Field-Effect Transistors | Applied Physics Express 1 011103-1-011103-3 | A. Hinoki, J. Kikawa, T. Yamada, T. Tsuchiya, S. Kamiya, M. Kurouchi, K. Kosaka, T. Araki, A. Suzuki and Y. Nanishi |
| 17 | Position-Controlled InN Nano-dot Growth on Patterned Substrates by ECR-MBE | Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955 0955-I07-40 | T. Yamaguchi, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 18 | Mg-doped N-polar InN Grown by RF-MBE | Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 955 0955-I08-01 | D. Muto, H. Naoi, S. Takado, H. Na, T. Araki, and Y. Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Study on Growth of Mg-doped InN by RF-MBE and its Electrical Properties | The 19th Indium Phosphide and Related Materials Conference (IPRM2007) | D. Muto, H. Naoi, S. Takado, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 2 | Infrared Cathodoluminescence measurementsｔs of InN films | TMS 2007 ELECTRONIC MATERIALS CONFERENCE | T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 3 | Study on ECR-MBE Growth and Properties of A-plane InN on R-plane Sapphire | International Conference on Crystal Growth (ICCG15) | T. Araki, Y. Kumagai, S. Watanabe, T. Akagi, H. Naoi, Y. Nanishi |
| 4 | Growth of InN hexagonal pyramids on hole-patterned GaN templates by ECR-MBE | International Conference on Crystal Growth (ICCG15) | D. Fukuoka, T. Yamaguchi, S. Harui, T. Akagi, K. Hiramatsu, H. Miyake, H. Naoi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 5 | Study on surface electron accumulation on A-plane InN by electrolyte-based capacitance-voltage measurements | 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) | M. Noda, S. Fukumoto, D. Muto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. AgerⅢ, E. E. Haller, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi and W. Walukiewicz |
| 6 | Fabrication of patterned InN nano-columns by ECR-MBE | 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) | T. Araki, T. Yamaguchi, S. Harui, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi |
| 7 | Microscopic Thermal Analysis of AlGaN/GaN HFETs Using Micro-Raman Spectroscopy and Electro-Thermal Simulation | 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) | K. Kosaka, T. Fujishima, K. Inoue, A. Hinoki, T. Yamada, T. Tsuchiya, J. Kikawa, S. Kamiya, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 8 | Electrical Properties of P-type N-polar InN Grown by RF-MBE | 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) | D. Muto, H. Naoi, S. Fukumoto, K. M. Yu, N. Miller, R. E. Jones, J. W. AgerⅢ, E. E. Haller, T. Araki, Y. Nanishi, and W. Walukiewicz |
| 9 | A study on the off-state breakdown characteristics for the GaN buffer layer of AlGaN/GaN HFET using space-charge-limited current conduction mechanism | 7th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS-7) | A. Hinoki, J. Kikawa, T. Yamada, T. Tsuchiya, S. Kamiya, M. Kurouchi, K. Kosaka, T. Araki, A .Suzuki, Y. Nanishi |
| 10 | Progress and Challenges of High Power and High Frequency Nitride Electronic Devices | 2007 Korea-Japan Joint Workshop On Advanced Semiconductor Processes and Equipments (ASPE 2007) | Y. Nanishi |
| 11 | Present Status and Future Prospect of High Power and High Frequency Nitride Electronic Devices | The 4th SNU-Ritsumeikan Joint Workshop on Nitride Semiconductors | Y. Nanishi |
| 12 | Numerical estimation of turn-on voltage in GaN-Based Trench MOSFETs | International Conference on Silicon Carbide and Related Materials 2007 (ICSCRM2007) | T. Fujishima, H. Otake, K. Chikamatsu, H. Ohta, Y. Nanishi, and H. Takasu |
| 13 | Three Essential Technical Issues on AlGaN/GaN HFET Epi-wafers | Richmond Workshop | Y. Nanishi |
| 14 | TEM Characterization of position-controlled InN nanocolumns | 2007 MRS Fall MEETING | S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki, Y. Nanishi |
| 15 | Investigation of cross-sectional potential distribution in GaN-based field effect transistors by Kelvin probe force microscopy | SPIE Photonics West 2008 (OPTO2008) | M. Kaneko, A. Hinoki, T. Araki, A. Suzuki, and Y. Nanishi |
| 16 | Growth and structural investigation of high-In-composition InGaN/GaN Nanostructures | Workshop on Frontier Photonic and Electronic Materials and Devices -2008 Japanese-German-Spanish joint Workshop- | T. Yamaguchi, A. Pretorius, A. Rosenauer, D. Hommel, T. Araki, and Y. Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Thermal Analysis of AlGaN/GaN HFETs Operated around Breakdown Voltage Using Micro-Raman Spectroscopy and Device Simulation | 26th Electronic Materials Symposium (EMS26) | K. Kosaka, T. Fujishima, K. Inoue, A. Hinoki, T. Yamada, T. Tsuchiya, J. Kikawa, S. Kamiya, A. Suzuki, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 2 | The dependence of the off-state breakdown voltage of the GaN buffer layer on traps and threading dislocations | 26th Electronic Materials Symposium (EMS26) | A. Hinoki, J. Kikawa, T. Yamada, T. Tsuchiya, S. Kamiya, M. Kurouchi, K. Kosaka, T. Araki, A. Suzuki, Y. Nanishi |
| 3 | 「窒化物半導体のフロンティア」－材料潜在能力の極限発現 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 名西やすし |
| 4 | AlGaN/GaN HFET の開発と評価技術‐‐‐トラップの功罪‐‐‐ | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 名西やすし、鈴木彰、城川潤二郎、荒木努 |
| 5 | 水素・窒素混合プラズマ照射によるＩｎＮの表面エッチングに関する検討 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 和田伸之、澤田慎也、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 6 | ECR-MBE法を用いた加工ＧａＮ基板上の配列制御したＩｎＮナノコラム成長 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 田宮秀敏、春井聡、山口泰平、赤木孝信、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西やすし |
| 7 | 原子状水素照射によるＲＦ－ＭＢＥ成長ＩｎＮの光学特性の変化 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 草塩卓矢、福田貴之、武藤大祐、野田光彦、赤木孝信、直井弘之、荒木努、名西やすし |
| 8 | ECV方を用いたA面InNの表面電荷蓄積層の評価 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 野田光彦、武藤大祐、K. M. Yu , R. E. Jones , W. Walukiewicz, 山口智広、荒木努、名西やすし |
| 9 | GaNバッファ層膜厚の異なるAlGaN/GaN-HFETの断面電位分布KFM評価 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 檜木啓広、神谷慎一、城川潤二郎、小坂賢一、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 10 | P形MgドープInNの結晶成長とその電気的特性評価 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 武藤大祐、野田光彦、K. M. Yu , J. W. Ager Ⅲ, W. Walukiewicz, 山口智広、荒木努、名西やすし |
| 11 | TEMを用いた配列制御InNナノコラムの極微構造評価 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 春井聡、田宮秀敏、赤木孝信、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西やすし |
| 12 | 光加熱RF-MBE法によるSi基板上へのInN薄膜の成長 | 2007年（平成19年） 秋季 第68回応用物理学会学術講演会 | 分木優、森靖晃、荒木努、名西やすし、鈴木彰 |
| 13 | RF-MBE法による(100)LiAlO2基板上Ｍ面(10-10)InNの結晶成長 | 第37回結晶成長国内会議（NCCG-37） | 高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 14 | Mg ドープＡ面（11-20)InNの結晶成長と電気的特性評価 | 第37回結晶成長国内会議（NCCG-37） | 野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 15 | AlGaN/GaN微小ショットキ素子の電気特性と欠陥との相関 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 山田朋幸、土屋忠厳、城川潤二郎、中山達峰、宮本広信、荒木努、鈴木彰、名西やすし |
| 16 | X線光電子分光法によるMgドープInNの表面評価 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 緩利友晶紀、野田光彦、武藤大祐、山口智広、金子昌充、荒木努、名西やすし |
| 17 | 容量DLTS法を用いたGaN MISダイオード電気的特性における絶縁膜アニール依存性の評価 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 柴田英次、堀内佑樹、金子昌充、城川潤二郎、大嶽浩隆、藤嶌辰也、近松健太郎、山口敦司、太田裕朗、荒木努、名西やすし |
| 18 | RF-MBE法を用いたβ-Ga2O3基板上GaN成長における低温GaNバッファ層の効果 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 高橋功次、荒木努、鈴木悟仁、大平重男、名西やすし |
| 19 | A面（11-20）InNに対するMgドーピングの効果 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 20 | InN MISダイオードの順方向電気的特性 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 佐藤丈、檜木啓宏、武藤大祐、前田就彦、荒木努、名西やすし |
| 21 | M面(10-10）InN結晶成長および電気的特性の評価 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 高木悠介、野田光彦、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 22 | GaN/InN界面におけるInとGaのインターミキシング | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 武藤大祐、山口智広、澤田慎也、荒木努、名西やすし |
| 23 | AlGaN/GaN HFETの断面電位分布KFM評価 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 竹下敦史、金子昌充、檜木啓宏、城川潤二郎、荒木努、名西やすし |
| 24 | TEMを用いたN極性MgドープInNの極微構造評価 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 野沢浩一、春井聡、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 25 | GaN MIS構造のCV特性検討 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 堀内佑樹、柴田英次、金子昌充、城川潤二郎、大嶽浩隆、藤嶌辰也、近松健太郎、山口敦司、太田裕朗、荒木努、名西やすし |
| 26 | 低速陽電子ビームを用いたMgドープInNの点欠陥の検出 | 2008年（平成20年） 春季 第55回応用物理学関係連合講演会 | 成田幸輝、伊東健一、中森寛人、本多典宏、上殿明良、武藤大祐、荒木努、名西やすし、石橋章司 |