| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Correlation Between Threading Dislocations and Nonradiative Recombination Centers in InN Observed by IR Cathodoluminescence | Journal of Electronic Materials, 37, 603-606 (2008) | T. Akagi, K. Kosaka, S. Harui, D. Muto, H. Naoi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 2 | Transmission Electron Microscopy Characterization of Position-Controlled InN Nanocolumns | Jpn. J. Appl. Phys., 47, 5330-5332 (2008) | S. Harui, H. Tamiya, T. Akagi, H. Miyake, K. Hiramatsu, T. Araki and Y. Nanishi |
| 3 | Photoreflectance of InN and InN:Mg layers: An evidence for Fermi level shift towards the valence band upon Mg doping in InN | Appl. Phys. Lett., 93, 131917/1-3 (2008) | R. Kudrawiec, T. Suski, J. Serafińczuk, J. Misiewicz, D. Muto, and Y. Nanishi |
| 4 | TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE | phys. stat. sol. (c), 6, S429-S432 | H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 5 | Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates | phys. stat. sol. (c), 6, S360-S363 | T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi |
| 6 | Direct Observation of Cross-Sectional Potential Distribution in GaN-based MIS Structures by Kelvin-probe Force Microscopy | phys. stat. sol. (c), 6, S968-S971 | M.
Kaneko, T.
Fujishima, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi, J.
Kikawa, H. Otake, and Y. Nanishi |
| 7 | Dependence
of
Annealing Temperature on Electrical Properties of GaN MIS Capacitors |
phys.
stat. sol. (c), 6, S1061-S1064 |
E.
Shibata, Y.
Horiuchi, M. Kaneko, J. Kikawa, T. Araki, H.
Ohtake, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi, T. Fujishima and Y.
Nanishi |
| 8 | Growth
of
M-plane(10-10) InN on LiAlO2(100) Substrate |
phys.
stat. sol. (c), 6, S425-S428 |
Y.
Takagi, D.
Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 9 | Correlation among material quality, performance and reliability of high power and high frequency AlGaN/GaN HFET | Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1108, 19-28 | Y. Nanishi |
| 10 | Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods | Mat. Res. Soc. Symp. Proc., 1108, 157-168 | J. Kikawa, Y. Horiuchi, E. Shibata, M. Kaneko, H. Otake, T. Fujishima, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 11 | Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE | J. Cryst. Growth, 311, 2780-2782 | T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 12 | In-Situ Cyclic Pulse-Annealing of InN on AIN/Si during IR-Lamp-Heated MBE Growth | J. Cryst. Growth, 311, 2776-2779 | A. Suzuki, Y. Bungi, T. Araki, Y. Nanishi, Y. Mori, H. Yamamoto, H. Harima |
| 13 | Fabrication
of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE |
SPIE
Photonics West 2009 Proceedings, 7216, 72160N-72160N-8 |
T.
Araki, D.
Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H.
Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi |
| 14 | RF-MBE法による R面 (10-12) Sapphire基板上、半極性面 InN の結晶成長 | 「関西支部連合大会」 特集 電子・情報・システム部門誌（Ｃ部門誌） | 中谷佳津彦、川島圭介、山
口智広、武藤大祐、荒木努、名西やすし |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Electrical Characterization of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage method | The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2008 IMFEDK) | Y. Horiuchi, E. Shibata, M. Kaneko, J. Kikawa, T. Araki, H. Otake, T. Fujishima, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi, H. Ohta, H. Takasu and Y. Nanishi |
| 2 | Annealing Effect for Insulators on the Electric Properties of GaN MIS Diode | The 2008 International Meeting for Future of Electron Devices, Kansai (2008 IMFEDK) | E. Shibata, Y. Horiuchi, M. Kaneko, J. Kikawa, T. Araki, H. Ohtake, T. Fujishima, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi, H. Ohta, H. Takasu and Y. Nanishi |
| 3 | Photoreflectance and contactless electroreflectance investigations of the energy gap and band bending for un-doped and Mg-doped InN layers | XXXⅦ International School on the Physics of Semiconducting Compounds "Jaszowiec 2008" | R. Kudrawiec, J. Misiewicz, T. Suski, D. Muto, and Y. Nanishi |
| 4 | GaN and InN intermixing during RF-MBE growth observed by XRD | 2008Electronic Materials Conference | D. Muto, T. Yamaguchi, S. Sawada, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 5 | Characterization of Epi-layers for Development of High Power and High Frequency AlGaN/GaN HFETs | The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2) | Y. Nanishi |
| 6 | Study on Initial Growth Process of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE | The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2) | T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi |
| 7 | Growth and characterization of N-polar and In-polar InN films by RF-MBE | The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2) | T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 8 | In-Situ Cyclic Pulse-Annealing of InN on AlN/Si during IR-Lamp-Heated MBE Growth | The Second International Symposium on Growth of Ⅲ-Nitrides (ISGN-2) | A. Suzuki, Y. Bungi, T. Araki, Y. Nanishi, Y. Mori, H. Yamamoto, H. Harima |
| 9 | Potential, Achievements and Issues of InN and Related Alloys for Device Applications | International Conference on Optical, Optoelectronic and Photonic Materials Applications 2008 (ICOOPMA 08） | Y. Nanishi, D. Muto, M. Noda, S. Harui, T. Yamaguchi, T. Araki |
| 10 | Recent Progress of InN and InGaN Growth for Device Applications | International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | Y. Nanishi, T. Araki, T. Yamaguchi, D. Muto |
| 11 | New insight into the free carrier properties of InN | International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | V. Darakchieva, T. Hofmann, M. Schubert, B. Monemar, H. Lu, W. J. Schaff, C.-L.Y. Hsiao, T.-W. Liu, L.-C. Chen, D. Muto, Y. Nanishi |
| 12 | Direct Observation of Cross-Sectional Potential Distribution in GaN-based MIS Structures by Kelvin-probe Force Microscopy | International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | M. Kaneko, T. Fujishima, K. Chikamatsu, J. Kikawa, H. Otake, and Y. Nanishi |
| 13 | TEM Characterization of M-plane InN Grown on (100) LiAlO2 Substrate by RF-MBE | International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | H. Nozawa, Y. Takagi, S. Harui, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 14 | Novel InN growth method under In-rich condition on GaN/Al2O3(0001) templates | International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, N. Maeda, and Y. Nanishi |
| 15 | Growth of M-plane(10-10) InN on LiAlO2(100) Substrate | International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | Y. Takagi, D. Muto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 17 | Dependence of Annealing Temperature on Electrical Properties of GaN MIS Capacitors | International Workshop on Nitride semiconductors (IWN2008) | E. Shibata, Y. Horiuchi, M. Kaneko, J. Kikawa, H. Ohtake, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi, T. Fujishima and Y. Nanishi |
| 18 | Recent Progress and Material Issues of High Power and High Frequency AlGaN/GaN HFETs | The 9th International Conference on Solid-State and Integrated-Circuit Technology (ICSICT 2008) | Y. Nanishi |
| 19 | Correlation among material quality, performance and reliability of high power and high frequency AlGaN/GaN HFET | Materials Research Society Fall Meeting 2008(MRS2008) | Y. Nanishi |
| 20 | Detailed investigation of GaN metal-insulator-semiconductor structures by capacitance-voltage and deep level transient spectroscopy methods | Materials Research Society Fall Meeting 2008(MRS2008) | J. Kikawa, Y. Horiuchi, E. Shibata, M. Kaneko, H. Otake, T. Fujishima, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 21 | Fabrication
of
Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE |
SPIE
International Symposium on
Integrated Optoelectronic Devices 2009 |
T.
Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya,
S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi |
| 22 | Growth
and Characterization of
Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE |
PDI
Topical workshop on
MBE-grown Nitride Nanowires |
Y.
Nanishi, T. Araki |
| 23 | Proposal
and Potential of
simple, reproducible, thick and high quality InN growth method by MBE |
First
International Symposium on
Advanced Plasma Science and its Applications (ISPlasma 2009) |
Y.
Nanishi and T. Yamaguchi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Growth of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE on Hole-Patterned GaN Template | 27th Electronic Materials Symposium (EMS27) | T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi |
| 2 | Fabrication and Electrical Characterization of InN MES and MIS Diode Structures | 27th Electronic Materials Symposium (EMS27) | S. Kikuchi, T. Sato, A. Hinoki, D. Muto, N. Maeda, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 3 | GaN テンプレート上ＩｎＮ 成長におけるＲＨＥＥＤ その場観察法を用いた実効的Ｖ/ＩＩＩ比制御 | 2008 年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会 | 山口智 広、野沢浩一、武藤大祐、荒木努、前田就彦、 名西やすし |
| 4 | CTLM 法による ＩｎＮ オーミックコンタクト抵抗の評価 Characterization of Ohmic Contact resistance on InN by CTLM Method | 2008 年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会 | 菊池将 悟、佐藤丈、檜木啓宏、山口智広、前田就彦、 荒木努、名西やすし |
| 5 | ＧａＮ MIS キャパシタの電気的特性の絶縁膜アニール温度依存性 | 2008 年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会 | 柴田英 次、堀内佑樹、金子昌充、城川潤二郎、大獄浩 隆、近松健太郎、山口敦司、藤嶌辰也、名西やすし |
| 6 | KFM による trench-gate GaN MISFET の断面電位分布直接評価 | 2008 年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会 | 金子昌 充、藤嶌辰也、近松健太郎、山口敦司、城川潤 二郎、大獄浩隆、名西やすし |
| 7 | GaN MiS構造のCV特性検討２ | 2008 年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会 | 城川潤二 郎、堀内佑樹、柴田英次、金子昌充、大獄浩 隆、藤嶌辰也、近松健太郎、山口敦司、名西やすし |
| 8 | TEM を用いたＭ面（10-10)InN の極微構造評価 | 2008 年（平成20年） 秋季 第69回応用物理学会学術講演会 | 野沢浩 一、高木悠介、春井聡、武藤大祐、山口智広、 荒木努、名西やすし |
| 9 | GaN/InNヘテロ構造の成長と評価 | 2008 年（平成20年） 秋季 第６９回応用物理学会学術講演会 | 武藤大 祐、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 10 | LiAlO2 （１00)基板上MgドープM面 (10-10)InNの結晶成長 | 2008 年（平成20年） 秋季 第６９回応用物理学会学術講演会 | 高木悠 介、武藤大祐、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 11 | RF- MBE法を用いた高In組成InGaNに 対するMg doping の検討 | 第38 回結晶成長国内会議（NCCG-38） | 福本英 太、澤田慎也、武藤大祐、山口智広、荒木努、 名西やすし |
| 12 | RF- MBE法によるR面 (10-12) Sapphire基板上、半極性面 InN の結晶成長 | 電気 関係学会関西支部連合大会 | 中谷佳津 彦、川島圭介、山口智広、武藤大祐、荒木 努、名西やすし |
| 13 | RF- MBE法を用いたLiAlO2基板上無極 性Ｍ面InNの結晶成長および構造評価 | 電子 情報通信学会 | 高木悠 介、野沢浩一、山口智広、荒木努、名西やすし |
| 14 | CV測
定によるGaN-MIS構造に於けるSiN成膜条件の検討 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
城川潤
二郎、堀内佑樹、柴田英二、金子昌充、大嶽浩隆、藤嶌辰也、近松健太郎、山口敦司、荒木努、名西憓之 |
| 15 | KFM
によるInN表面電位の直接評価 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
金子昌
充、山口智広、名西憓之 |
| 16 | LiAlO2
基板上C面混在M面InN薄膜の構造評価 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
荒木
努、野沢浩一、高木悠介、武藤大祐、山口智広、名西憓之 |
| 17 | AlN/InN
ヘテロ構造の作製と評価 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
奥村昌
平、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西憓之 |
| 18 | 段差
AlGaN/GaN基板上へのInN再成長構造の作製と電気的特性評価 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
前田就
彦、山口智広、菊池将悟、廣木正伸、名西憓之 |
| 19 | 低温
InNバッファ層を用いた高品質A面(11-20)InNの結晶成長 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
川島圭
介、山口智広、武藤大祐、荒木努、名西憓之 |
| 20 | RF-MBE
法を用いたメタルリッチ条件下でのInGaN成長 |
2009 年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 | 山口智
広、荒木努、名西憓之 |
| 21 | CTLM
法によるAl, Ti, Ni, のInNへのコンタクト抵抗評価 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
菊池将
悟、前田就彦、山口智広、名西憓之 |
| 22 | AlGaN
-LEDの転位密度の違いによる最適量子井戸数の検討 |
2009
年（平成21年） 春季 第56回応用物理学関係連合講演会 |
林洋
平、武内道一、荒木努、名西憓之、青柳克信 |