| No. | Title | Journal | Authors |
| 1 | Inconsistency of Basic Optical Processes in Plasmonic Nanocomposites | Phys. Rev. B., 79, 153105-1-153105-4 | T. V. Shubina, V. A. Kosobukin, T. A. Komissarova, V. N. Jmerik, A. N. Semenov, B. Ya. Meltser, P. S. Kop’ev, S. V. Ivanov, A. Vasson, J. Leymarie, N. A. Gippius, T. Araki, T. Akagi, and Y. Nanishi |
| 2 | Indium Droplet Elimination by Radical Beam Irradiation for Reproducible and High-Quality Growth of InN by RF Molecular Beam Epitaxy | Applied Physics Express, 2, 051001-1-051001-3 | T. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 3 | Fabrication of Position-Controlled InN Nanocolumns by ECR-MBE | SPIE Photonics West 2009 Proceedings, 7216, 72160N1-8 | T. Araki, D. Fukuoka, H. Tamiya, S. Harui, T. Yamaguchi, H. Miyake, K. Hiramatsu, Y. Nanishi |
| 4 | In-Situ Cyclic Pulse-Annealing of InN on AIN/Si during IR-Lamp-Heated MBE Growth | J. Cryst. Growth, 311, 2776-2779 | A. Suzuki, Y. Bungi, T. Araki, Y. Nanishi, Y. Mori, H. Yamamoto, H. Harima |
| 5 | Growth and Characterization of N-Polar and In-Polar InN Films by RF-MBE | J. Cryst. Growth, 311, 2780-2782 | T. Yamaguchi, D. Muto, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 6 | Raman-Scattering Study of the Long-Wavelength Longitudinal-Optical-Phonon-Plasmon Coupled Modes in High-Mobility InN Layers | Phys. Rev. B, 79, 155210-1-9 | R. Cusco, J. Iba~nez, E. Alarcon, and L. Artus, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi |
| 7 | Photoexcited Carriers and Surface Recombination Velocity in InN Epilayers: A Raman Scattering Study | Phys. Rev. B., 80, 155204-1-7 | R. Cuscó, J. Ibáñez, E. Alarcón L. Artús, T. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 8 | Electron Accumulation at Nonpolar and Semipolar Surfaces of Wurtzite InN from Generalized Infrared Ellipsometry | Appl. Phys. Lett., 95, 202103/1-3 | V. Darakchieva, M. Schubert, T. Hofmann, B. Monemar, Ching-Lien Hsiao,Ting-Wei Liu, Li-Chyong Chen, W. J. Schaff, Y. Takagi, and Y. Nanishi |
| 9 | Hydrogen in InN: a Ubiquitous Phenomenon in Molecular Beam Epitaxy Grown Material | Appl. Phys. Lett., 96, 081907/1-3 | V. Darakchieva, K. Lorenz, N.P. Barradas, E. Alves, B. Monemar, M. Schubert, N. Franco, C.L Hsiao, L.C. Chen, J. Schaff, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi |
| 10 | Direct Observation of the Virtual Gate Formation in AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors | Proceedings of IEEE, 6, s968-s971 | R. Cusco, J. Iba~nez, E. Alarcon, and L. Artus, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi |
| 11 | New MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ Monitoring Technology | phys. stat. sol. (a), 207, 19-23 | T. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | Recent Progress and Challenges of InN and Related Alloys for Device Applications | 33rd
Workshop on Compound
Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE 2009) |
Y.
Nanishi and T. Yamaguchi |
| 2 | Proposal
and Potential of Simple, Reproducible, Thick and High Quality InN
Growth Method by MBE |
The 4th Asia-Pacific Workshop on Wide gap Semiconductors (APWS2009) | Y.
Nanishi and T. Yamaguchi |
| 3 | Photoluminescence
and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE |
The
4th Asia-Pacific Workshop on
Wide gap Semiconductors (APWS2009) |
K.
Wang, T. Yamaguchi, A.
Takeda, D. Muto, M. Kaneko, T. Araki and Y. Nanishi |
| 4 | Structural
Anisotropy and Free Electron Properties of a-Plane InN |
E-MRS
2009 Spring Meeting
(European Materials Research Society Spring Meeting) |
V.
Darakchieva, N. Franco, M.
Schubert, B. Monemar, C.-L. Hsiao, T.-W Liu, L.-C. Chen, D. Muto, Y.
Nanishi |
| 5 | Raman
Scattering and Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN: a Free-Electron
Density Study |
E-MRS
2009 Spring Meeting
(European Materials Research Society Spring Meeting) |
R.
Cusco, E.. Alarcon-Llado, J.
Ibanez, T. Yamaguchi, Y. Nanishi and L.. Artus |
| 6 | New
MBE Growth Method for High Quality InN and Related Alloys Using in Situ
Monitoring Technology |
E-MRS
2009 Spring Meeting
(European Materials Research Society Spring Meeting) |
T.
Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 7 | Proposal of New RF-MBE Growth Method for Reproducible and High-Quality InN and InGaN | 15th
Semiconducting and
Insulating Materials Conference (SIMC-15) |
Y.
Nanishi and T. Yamaguchi |
| 8 | Characterization
of Contact
Resistance of Al, Ti, and Ni in High-quality InN Films grown by RF-MBE |
Electronic
Materials Conference 2009(EMC2009) |
S.
Kikuchi, N. Maeda, T.
Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 9 | Potential
and Challenges of InN
and Related Alloys for Advanced Electronic Devices |
67th
Device Research Conference |
Y.
Nanishi, N. Maeda, T.
Yamaguchi, and M. Kaneko |
| 10 | Proposal
of New RF-MBE Method Capable for Reproducible, High-Quality InN Growth |
17th
American Conference on
Crystal Growth and Epitaxy (ACCGE-17) |
Y.
Nanishi, T. Yamaguchi |
| 11 | Present
Status and New
Challenges of Nitride Semiconductors for Advanced Electronic Devices |
2009
E-MRS Fall Meeting |
Y.
Nanishi, T. Yamaguchi |
| 12 | Growth
of InN and Related Alloys Using Droplet Elimination by Radical Beam
Irradiation |
2009
E-MRS Fall Meeting |
T.
Yamaguchi, Y. Nanishi |
| 13 | Study
of the Flat Band Voltage Shift of Metal/Insulator/n-GaN Capacitors by
Annealing |
2009
E-MRS Fall Meeting |
J.
Kikawa, M. Kaneko, H. Otake,
T. Fujishima, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 14 | Influence
of Defects, Dopants and Surface Orientation on Free Carrier Properties
of InN |
2009 E-MRS Fall Meeting | V.
Darakchieva, M. Schubert, E.
Alves, K. Lorenz, M.-Y. Xie, T. Hofmann, W.J. Schaff, L.C.
Chen,
L.W. Tu, Y. Nanishi |
| 15 | Meissner
Effect of Superconducting InN |
2009
E-MRS Fall Meeting |
T.
Inushima, D. K. Maude, D.
Muto and Y. Nanishi |
| 16 | Observation
of Surface Potential on Polar and Nonpolar InN by Kelvin-Probe Force
Microscopy |
The
8th International Conference
on Nitride Semiconductors (ICNS8) |
M.
Kaneko, Y. Takagi, K.
Kawashima, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi |
| 17 | Hydorogen
in InN |
The
8th International Conference
on Nitride Semiconductors (ICNS8) |
V.
Darakchieva, K. Lorenz, N. P.
Barradas, E. Alves, M.-Y. Xie, B. Monemar, M. Schubert,
W.J. Schaff, C.L. Hsiao, L.C. Chen, L.W. Tu, Y. Nanishi |
| 18 | RF-MBE
Growth and Characterization of M-Plane InN on LiAlO2 with C-Plane Phase
Inclusion |
The
8th International Conference
on Nitride Semiconductors (ICNS8) |
T.
Araki, H. Nozawa, Y. Takagi,
A. Takeda, T. Sakamoto, K. Kagawa, T. Yamaguchi, Y. Nanishii |
| 19 | Proposal
of Droplet Elimination
Process by Radical Beam Irradiation for Reproducible Growth of
High-quality InN and InGaN |
The
8th International Conference
on Nitride Semiconductors (ICNS8) |
T.
Yamaguchi, A. Uedono, T.
Suski and Y. Nanishi |
| 20 | PolarizedPhotoluminescence
from
Nonpolar InN Films |
The
8th International Conference
on Nitride Semiconductors (ICNS8) |
K.
Wang, T. Araki and Y. Nanishi |
| 21 | Photoexcited
Carriers in InN Layers Observed by Raman Scattering |
The
8th International Conference on Nitride Semiconductors (ICNS 2009) |
R.
Cusco, E. Alarcon-Llado, J. Ibanez, T. Yamaguchi, Y. Nanishi, L. Artus |
| 22 | Raman
Scattering by LO-Phonon-Plasmon Coupled Modes in InN Epilayers:
Dependence on the Excitation Laser Intensity and Wavelength |
2009
MRS Fall Meeting |
R.Cusco,
J.Ibanez, E.
Alarcon-Llado, T. Yamaguchi, Y. Nanishi and L. Artus |
| 23 | New Reproducible MBE Growth method for High Quality InN and InGaN | Advanced
Workshop on 'Frontiers in Electronics' (WOFE 09) |
Y.
Nanishi, T. Yamaguchi |
| 24 | Hydrogen
in InN: Ubiquitous Phenomena in Molecular Beam Epitaxy Grown Material |
CIMTEC2010
(5th Forum on New Materials) |
V.
Darakchieva, K. Lorenz, N. P. Barradas, E. Alves, M.-Y. Xie, B.
Monemar, M. Schubert, W.J. Schaff, C.L. Hsiao, L.C. Chen, L.W.
Tu, T. Yamaguchi, Y. Nanishi |
| 25 | Fabrication
of InN/InGaN Multi Quantum Well Structures by Droplet Elimination by
Radical-Beam Irradiation |
ISPlasma2010 |
H.
Umeda, T. Yamaguchi, T. Sakamoto, T. Araki, E. Yoon and Y. Nanishi |
| 26 | In
Situ Monitoring of InN Grown by RF-MBE |
ISPlasma2010 |
K.
Wang, T.Yamaguchi, T. Araki, E.. Yoon, Y. Nanishi |
| No. | Title | Conference | Authors |
| 1 | MBE 法によるGaN加工基盤上配列制御InNナノコラムの作製 | 第１ 回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2) | 片岡佳 大、田宮秀敏、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西憓之 |
| 2 | Photoluminescence and Raman Spectroscopy Study of InN Films Grown by RF-MBE | 第１ 回窒化物半導体結晶成長講演会(Post-ISGN2) | K. Wang, T. Yamaguchi, A. Takeda, D. Muto, M. Kaneko, T. Araki and Y. Nanishi |
| 3 | Indium Incorporation Behavior in InGaN Growth by RF-MBE | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | T. Yamaguchi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 4 | Simple and Reproducible Growth of High-Quality InN by DERI | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | T. Yamaguchi, R. Iwamoto, N. Maeda, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 5 | Evaluation of surface Fermi level of MBE-grown InN by Kelvin-probe force microscopy | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | M. Kaneko, T. Yamaguchi, and Y. Nanishi |
| 6 | Structural characterization of M-plane InN grown on LiAlO2 substrate with C-plane phase inclusion | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | T. Araki, H. Nozawa, Y. Takagi, A. Takeda, K. Kagawa, T. Yamaguchi, Y. Nanishi |
| 7 | Plarized photoluminescence from polar and nonpolar InN films | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | K. Wang, T. Yamaguchi, T. Araki and Y. Nanishi |
| 8 | Characterization of Metal Contact Resistance Using Al, Ti, and Ni on High-quality InN Films grown by RF-MBE | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | S. Kikuchi, N. Maeda, T. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 9 | Study of anneal induced flat band voltage shift in Metal/SiN/GaN capacitors | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | J. Kikawa, M. Kaneko, H. Otake, T. Fujishima, K. Chikamatsu, A. Yamaguchi and Y. Nanishi |
| 10 | Designing of Multiple Quantum Well Structures to Increase Emission Intensity from AlGaN LEDs | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | M. Kurouchi, Y. Hayashi, M. Takeuchi, T. Araki, Y. Nanishi and Y. Aoyagi |
| 11 | V/III ratiodependence on M-plane InN growth on LiAlO2(100) substrates by RF-MBE | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | K. Kagawa, Y. Takagi, T. Yamaguchi, T. Araki, and Y. Nanishi |
| 12 | Mg doping of In-rich InGaN grown by RF-MBE | 28th Electronic Materials Symposium (EMS28) | E. Fukumoto, T. Yamaguchi, T. Araki, Y. Nanishi |
| 13 | 紫外 発光素子の進展 -イントロダクトリートーク- | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 名西憓之 |
| 14 | Metal/SiN/GaN 構造のアニールによるフラットバンドシフトの検討 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 城川潤 二郎、金子昌充、太嶽浩隆、藤嶌辰也、近松健太郎、山口敦司、名西憓之 |
| 15 | Al薄 膜堆積によるC面InNの表面改質効果 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 髙木俊 樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 16 | AlGaN 量子井戸構造に対するⅢ族元素を用いたポストアニール効果 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 吉田 薫、武内道一、荒木努、名西憓之、青柳克信 |
| 17 | 極性及 び無極性InNの表面電位評価 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 金子昌 充、川島圭介、山口智広、 名西憓之 |
| 18 | CTLM 法によるIn極性及びN極性の高品質InN薄膜へのコンタクト抵抗評価 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 森本健 太、菊池将悟、 前田就彦、山口智広、名西 憓之 |
| 19 | DERI 法により作製されたInNの光反射率その場観察 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 王科、 山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 20 | カソー ドルミネッセンス法によるr面サファイア基板上InN薄膜の光学的評価 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 武田彰 史、川島圭介、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 21 | 超格子 はく離層を用いた AlGaN 系レーザリフトオフ法によるダメージの評価 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 高橋 聡、武内道一、荒木努、名西憓之、青柳克信 |
| 22 | 高品質 InN 上薄膜 AlN 成長構造の作成と電気的特性の評価 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 菊池将 悟、山口智広、前田就彦、名西憓之 |
| 23 | RF-MBE InN 成長における DERI 法の有用性 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 山口智 広、王科、荒木努、名西憓之 |
| 24 | 電気化 学的手法を用いたInNのバンド端位置の決定 | 2009 年（平成21年） 秋季 第70回応用物理学会学術講演会 | 小山貴 裕、平子晃、大川和宏、山口智広、名西憓之 |
| 25 | RF-MBE 法によるr面(10-12)Sapphire 基板上 InN の結晶成長 | 平成 21年電気関係学会関西支部連合大会 | 川島圭 介、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 26 | RF-MBE 法を用いたLiAlo2(100)基板上へのInNの結晶成長 | 平成 21年電気関係学会関西支部連合大会 | 香川和 明、高木悠介、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 27 | 窒化イ ンジウム半導体の進展 | 第25 回京都賞記念ワークショップ 先端技術部門 | 名西憓 之 |
| 28 | DERI 法を用いた InN/InGaN 量子井戸構造の作製 | 第39 回結晶成長国内会議（NCCG-39) | 梅田英 知、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 29 | InN へのMg ドーピングにおける成長条件依存性 | 第39 回結晶成長国内会議（NCCG-39) | 岩本亮 輔、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 30 | InN ナノウォールの作製と評価 | 第39 回結晶成長国内会議（NCCG-39) | 片岡佳 大、岩本亮輔、山口智広、三宅秀人、平松和政、荒木努、名西憓之 |
| 31 | DERI 法を用いたRF-MBE InN結晶成長と各種その場観察評価 | 第39 回結晶成長国内会議（NCCG-39) | 山口智 広、荒木努、王科、岩本亮輔、名西やすし |
| 32 | RF-MBE 法を用いた高品質InN結晶成長-配列制御InNナノコラム成長について- | 2009 年度 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会 | 荒木 努、山口智広、金子昌充、名西憓之 |
| 33 | RF-MBE 法における新規高品質InN結晶成長手法の提案とInGaN結晶成長への応用 | 2009 年度 電子情報通信学会 レーザ・量子エレクトロニクス研究会 | 山口智 広、名西やすし |
| 34 | Adsorption and Desorption of Indium Adlayer on GaN Surface | 2010 年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 | 王 科、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 35 | In組 織揺らぎのメカニズム解明に向けた RF-MBE 成長 InGaN のCL 測定評価 | 2010 年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 | 木村拓 也、福本英太、山口智広、王科、金子昌充、武田彰史、荒木努、名西憓之 |
| 36 | A面 InN 成長のための低温 InN バッファ層最適成長条件の検討 | 2010 年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 | 荒木 努、川島圭介、山口智広、名西憓之 |
| 37 | LiAlO2 (100)基板上 M 面 InN 低温バッファ層利用に向けた M 面 GaN 下地層の有効性 | 2010 年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 | 香川和 明、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 38 | C 面、A 面、M 面 ＩｎＮ の表面化学状態の解析 | 2010 年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 | 髙木俊 樹、金子昌充、山口智広、荒木努、名西憓之 |
| 39 | 硬 X 線光電子分光による InN バルク評価 | 2010 年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 | 金子昌 充、山口智広、井村将隆、山下良之、名西憓之 |
| 40 | 深紫外 線LED を用いた水の消毒 | 2010 年春季 第57回 応用物理学関係連合講演会 | 吉田 薫、安井宣仁、武内道一、荒木努、神子直之、名西やすし、青柳克信 |