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ECR-MBE この装置は高真空中で低エネルギーで高密度のプラズマを発生することのできる ECR(電子サイクロトロン共鳴:Electron Cyclotron
Resonance)プラズマ源と 膜厚制御や急峻な界面の形成に優れたMBE(分子線エピタキシー:Molecular Beam
Epitaxy)装置とを組み合わせた、独自の設計により作製したECR-MBE装置です。 |
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RF-MBE RF-MBE法とは、成長原料を分子線および13.56 Mhzの高周波(Radio
Frequency)放電によって生成されたRFプラズマの形で加熱された基板に供給する事により、 単結晶薄膜を成長させる技術です。
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SEM・CL
※共同利用装置 SEM・CLでは試料に電子線を照射し、発生する2次電子(SEM)や光(CL)を検出します。 |
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PL フォトルミネッセンス(Photoluminescence,
PL)とは、試料に禁制帯幅より大きいエネルギーの光を照射して発光させる方法です。 |
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TEM ※共同利用装置 TEM(透過電子顕微鏡)とは電子線を用いた顕微鏡の一つで、原理は光学顕微鏡と同じです。 |
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XPS X線光電子分光法(XPS)はX線を試料に入射させ、光電効果によって放出された電子の運動エネルギー分布を測定し、各準位にある電子の結合エネルギーを評価する方法です。 |
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XRD ※共同利用装置 半導体薄膜の「結晶性評価」「格子定数測定」および「結晶内部の歪み測定」を行うことができる評価装置です。 |
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ECV
プロファイラー ECVプロファイラーは電解液(硫酸等)をショットキー電極とし、 C-V測定からキャリア濃度を求める事と結晶のエッチングを同時に行い、 結晶成長方向のキャリアの密度分布がどのようになっているか調べる装置です。 |
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AFM・STM AFM(Atomic Force
Microscopy)は探針と試料間の微小な引力、斥力を主なパラメーターとして走査し解析する装置です。 |
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ホール効果測定装置 ホール効果測定装置は、半導体に磁場を加えた状態で電流を流すときにおきる現象(ホール効果)を利用した装置で、半導体の電気的特性を測定することができます。 |