研究内容
名西研究室では21世紀に必要な「最先端の半導体エレクトロニクスの研究」を行っています。 超高真空中でプラズマ状態を利用し、新しい波長領域、環境領域で動作する先端電子デバイス、先端光デバイスを化合物半導体の構造を原子レベルで制御しながら作製します。目に見えない原子構造はX線や電子ビーム、イオンビーム、原子間力を用いて調べています。また、電気的特性は、磁場中の電子の動きを調べ(ホール効果測定)、光学的特性は、レーザ光や電子線を照射して、発光特性から調べています(フォトルミネッセンス、カソードルミネッセンス)。このような技術を利用して全員で協力して、デバイスを作ったり、評価したり、測定したりするのが名西研究室の研究内容です。
【結晶成長技術】 新しい基板材料の探索 低温成長と結晶構造制御 結晶成長機構の検討 ヘテロ構造・量子構造の制御
【プラズマプロセス技術】 ECRプラズマ・RFプラズマ プラズマ発光分光分析 プラズマ励起状態制御 イオン照射ダメージ制御 サブミクロン・ナノ構造の作製
【評価技術】 X線・電子線回折による結晶構造評価 PL, CLによる光学的評価 AFM-STMによる表面構造評価 XPSによる表面電子状態評価 ドーピングと電気的評価 CAICISSによる最表面構造評価
研究装置
