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Cu(In,Ga)Se2薄膜太陽電池の研究開発
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太陽電池の特徴として、禁制帯幅をCIS(1.04eV)―CGS(1.68eV)に制御できることが挙げられる。 禁制帯幅が約1.2eVで最高変換効率20.3%を記録しているが、これは太陽電池の理想禁制帯幅1.4eVに比べて小さい。 この原因の1つとして、Ga添加量増加に伴う結晶粒の小粒径化、及び結晶粒界の増加が考えられる。 本研究では禁制帯幅、成膜時の温度条件などを変化させた時の変換効率、結晶粒界への影響を評価している。
CIGS太陽電池の構造
Ga濃度違いのサンプルにおけるJ-V特性
EBIC(Electron Beam Induced Current)法によるCIGSセル表面の観察