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リフトオフ法を用いた太陽電池作製
カルコパイライト形半導体であるCIS薄膜は、約600度の高温に熱した基板上に堆積させることで、高品質な結晶を成長させることができる。そのため、使用される基板は高温プロセスに耐えることの出来る可塑性が無く重いガラス基板が一般的である。そのため、使用できる基板の種類が乏しい問題がある。本研究室では、この問題に着目し、ガラス基板上に高品質なCIS膜を堆積させた後、様々な基板に転写させるリフトオフ法を用いて様々な素材基板を用いたCIS系太陽電池開発に取り組んでいる。
また、リフトオフ法を用いて多接合太陽電池作製にも取り組んでいる。多接合化にあたってはシングル接合太陽電池の上にいくつもの太陽電池を重ねる。その際、バッファー層や透明導電膜が、カルコパイライト薄膜の成長温度に耐えられず、太陽電池性能を低下させる問題がある。その問題を改善するため、ガラス基板上に作製したシングル接合太陽電池をリフトオフした後、多接合化する新しい方法で高効率多接合薄膜太陽電池の実現を目指す。
