| 授業回数 |
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| 第1回 |
| 半導体物性とＭＯＳトランジスタ復習 |
| P型半導体，N型半導体，抵抗率，PN接合，MOS構造 |
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| 第2回 |
| LSIの製造プロセス |
| フォトマスク，成膜工程，転写工程，エッチング工程，イオン注入工程 |
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| 第3回 |
| CMOSLSIの製造フロー |
| 素子分離，ウエル形成，拡散領域形成，コンタクト形成，Al配線形成，多層配線 |
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| 第4回 |
| LSIの構成要素 |
| 拡散抵抗，シート抵抗，MOS容量，接合容量 |
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| 第5回 |
| MOSトランジスタの特性（１） |
| ＭＯＳ構造のエネルギーバンド図，線形電流，飽和電流，利得係数，チャネル長変調効果 |
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| 第6回 |
| MOSトランジスタの特性（２） |
| ＰＭＯＳトランジスタの特性，サブスレッショルド特性 |
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| 第7回 |
| MOSトランジスタの特性（３） |
| しきい値電圧と基板効果 |
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| 第8回 |
| スケーリング則と短チャネル効果 |
| サブスレッショルド係数，パンチスルー |
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| 第9回 |
| CMOSインバータの伝達特性 |
| 論理しきい値電圧，貫通電流 |
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| 第10回 |
| CMOSインバータの過渡特性と消費電力 |
| 立ち上がり時間，立ち下がり時間，動的消費電力，静的消費電力 |
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| 第11回 |
| ＣＭＯＳ回路の構成方法 |
| NAND回路，NOR回路，トランスミッションゲート，複合ゲート |
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| 第12回 |
| ＳＰＩＣＥシミュレーション |
| ネットリスト，過渡解析，DC解析 |
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| 第13回 |
| ＣＭＯＳＬＳＩのレイアウト |
| インバータ，基板固定，デザインルール，ＤＲＣ，ＬＶＳ |
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| 第14回 |
| 高性能トランジスタと配線 |
| SOIトランジスタ，ひずみシリコントランジスタ，low-k層間絶縁膜 |
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| 第15回 |
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