| 授業回数 |
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講義ノート |
| 第1回 |
| 半導体物性とMOSトランジスタ復習 |
| P型半導体，N型半導体，抵抗率，PN接合，MOS構造 |
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| 第2回 |
| LSIの製造プロセス(1) |
| トランジスタの構造，歩留まり，フォトマスク，成膜工程，転写工程 |
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| 第3回 |
| LSIの製造プロセス(2) |
| エッチング工程，イオン注入工程 |
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| 第4回 |
| CMOSLSIの製造フロー |
| 素子分離，ウエル形成，拡散領域形成，コンタクト形成，Al配線形成，多層配線 |
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| 第5回 |
| LSIの構成要素 |
| 拡散抵抗，シート抵抗，MOS容量，接合容量 |
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| 第6回 |
| MOSトランジスタとインバータ(1) |
| PMOSトランジスタの特性，インバータ，論理しきい値電圧 |
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| 第7回 |
| MOSトランジスタとインバータ(2) |
| DC特性，トランジスタのスイッチングモデル |
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| 第8回 |
| MOSトランジスタとインバータ(3) |
| AC特性，立ち上がり/立下り時間，消費電力 |
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| 第9回 |
| CMOS回路の構成方法(1) |
| NAND回路，NOR回路，トランスミッションゲート，マルチプレクサ |
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| 第10回 |
| CMOS回路の構成方法(2) |
| 複合ゲート，Dラッチ，Dフリップフロップ |
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| 第11回 |
| CMOSLSIのレイアウト |
| インバータ，基板固定，デザインルール，DRC，LVS |
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| 第12回 |
| SPICEシミュレーション |
| ネットリスト，過渡解析，DC解析 |
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| 第13回 |
| スケーリング則と短チャネル効果 |
| チャネル長変調効果，サブスレッショルド係数，パンチスルー，短チャネル効果 |
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| 第14回 |
| 高性能トランジスタと配線 |
| SOIトランジスタ，ひずみシリコントランジスタ，low-k層間絶縁膜 |
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| 第15回 |
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