論文
1) Kei-ichi Yamaguchi, Shigeru Imai, Naoto Ishitobi, Masashi Takemoto, Hidejiro Miki and Masakiyo Matsumura, "Atomic-Layer Chemical-Vapor -Deposition of Silicon Dioxide Films with an Extremely Low Hydrogen Content", Applied Surface Science, vol.130-132, 1998, 202-207.
2) Kota Nakanishi, Hiroyuki Suzuki, Takanori Katoh, Shigeru Imai, Yasuyuki Nakayama and Hidejiro Miki, "Deposition of Polyethylene Thin Films Using Synchrotron Radiation Ablation", Japanese Journal of Applied Physics, vol.38, No.2A, February, 1999, pp.863-867.
3) Yoshihiro Akagi, Katsumi Hanamoto, Hiroyuki Suzuki, Takanori Katoh, Muneo Sasaki, Shigeru Imai, Masaru Tsudagawa, Yasuyuki Nakayama and Hidejiro Miki, "Low-Resistivity Highly Transparent Indium-Tin-Oxide Thin Films Prepared at Room Temperature by Synchrotron Radiation Ablation", Japanese Journal of Applied Physics, vol.38, No.12A, December, 1999, pp.6846-6850.
4) Hidejiro Miki, Kota Nakanishi, Hiroyuki Suzuki, Takanori Katoh, Yoshihiro Akagi, Hidekazu Nakanishi, Takeo Matsubara, Shigeru Imai, Yasuyuki Nakayama, Masayuki Okoshi and Mitsugu Hanabusa, "Deposition of Thin Films Using Synchrotron Radiation Ablation", in "Surface Engineering" (P. Vincenzini editor, Techna Srl, 1999).
5) 鈴木裕之, 中西秀和, 加藤隆典, 今井茂, 河口昭義, 中山康之, 三木秀二郎, "放射光アブレーションによるポリパラフェニレン薄膜の作製", 高分子論文集, vol.57, No.2, February, 2000, pp.86-94.
6) H. Miki, S. Lin, M. Sasaki, T. Katoh, S. Imai, Y. Nakayama, "Deposition of Functional Carbon Compound Thin Films by Synchrotron Radiation Ablation", Diamond and Related Materials, Vol. 10, 2001, pp.937-941.
7) S. Imai, H. iwasaki, H. miki, A. Nakamura, A. Itoh, "XAFS Study of Silicon Oxide Films Fabricated by Atomic-Layer CVD", Memoirs of The SR Center Ritsumeikan University, Vol.6, 2004, pp.79-86.
8) Shigeru Imai and Daichi Kawamura, "Analytical Study on a Single Electron Device with Two Islands Connected to One Gate Electrode", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 47, No. 12, December, 2008, pp.9003-9009.
9) Shigeru Imai and Daichi Kawamura, "Analytical Study on a Single Electron Device with Three Islands Connected to One Gate Electrode", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 48, No. 12, December, 2009, p.124502.
10) Shigeru Imai, "Stability Diagrams of Triple-Dot Single-Electron Device with Single Common Gate", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 50, No. 3, March, 2011, p.034302.
11) Shigeru Imai, Hiroki Kato, Yasuhiro Hiraoka, "Stability Diagrams of Single-Common-Gate Double-Dot Single-Electron Transistors with Arbitrary Junction and Gate Capacitances", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 51, No. 12, December, 2012, p.124301.
12) Shigeru Imai and Shin-ichi Moriguchi, "Single-common-gate triple-dot single-electron devices with side gate capacitances larger than the central one", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 53, No. 9, August, 2014, p.094002.
13) Shigeru Imai and Noriyuki Iwasa, "Stability diagrams and turnstile operations of single-common-gate triple-dot single-electron devices with outer junction capacitances different from inner ones", Japanese Journal of Applied Physics, vol. 54, No. 6, May, 2015, p.064001.
口頭発表（国際会議）
1) Kei-ichi Yamaguchi, Shigeru Imai, Naoto Ishitobi, Masashi Takemoto, Hidejiro Miki and Masakiyo Matsumura, "Atomic-Layer Chemical-Vapor-Deposition of Hydrogen-Free Silicon Dioxide Thin Films.", The Fourth International Symposium on Atomically Controlled Surfaces and Interfaces", October 27-30, 1997, Tokyo, Japan.
2) Hidejiro Miki, Kota Nakanishi, Hiroyuki Suzuki, Takanori Katoh, Yoshihiro Akagi, Hidekazu Nakanishi, Takeo Matsubara, Shigeru Imai, Yasuyuki Nakayama, Masayuki Okoshi and Mitsugu Hanabusa,"Deposition of Thin Films Using Synchrotron Radiation Ablation", 9th International Conference on Modern Materials & Technologies, June 14-19, 1998,Florence, Italy.
3) Hidejiro Miki, S.Lin, Muneo Sasaki, Takanori Katoh, Shigeru Imai and Yasuyuki Nakayama, "Deposition of Functional Carbon Compound Thin Films by Synchrotron Radiation Ablation", 11th European Conference on Diamond, Diamond-Like Materials, Carbon Nanotubes, Nitrides and Silicon Carbide, September 3-8, 2000, Porto, Portugal.
口頭発表（日本語の会議）
1) 石飛直人, 山口恵一, 竹本理史, 今井茂, 三木秀二郎, 松村正清, "Ｓi(ＮＣＯ)4とＮ(Ｃ2Ｈ5)3の交互供給によるＳiＯ2の原子層制御ＣＶＤ", 第４４回応用物理学関係連合講演会, 1997年3月.
2) 鈴木裕之, 中西秀和, 佐々木宗生, 今井茂, 加藤隆典, 河口昭義, 中山康之, 三木秀二郎, "放射光アブレーションによるポリパラフェニレン薄膜の形成", 第６０回応用物理学会学術講演会, 1999年9月.
3)中西秀和, 鈴木裕之, 加藤隆典, 佐々木宗生, 今井茂, 中山康之, 三木秀二郎, "放射光アブレーションによるフラーレン薄膜の作製", 電気学会光・量子デバイス研究会, 1999年９月.
4)山ノ井健文, 平井宜彦, 小林誠佳, 鶴岡直樹, 今井茂, 岩崎博, 三木秀二郎, 松村正清, "原子層制御ＣＶＤ法により作製したＳiＯ2薄膜の特性評価", 第62回応用物理学会学術講演会, 2001年9月, 13a-C-3.
5)山ノ井健文, 平井宜彦, 小林誠佳, 鶴岡直樹, 岩崎博, 今井茂, 三木秀二郎, 松村正清, "原子層制御ＣＶＤ法により作製したＳiＯ2薄膜の放射光による特性評価", 日本放射光学会第１５回年会, 2002年1月, p. 106
6)今井茂, 杉山広樹, 寺尾文兵,"横方向拡散により形成したソース／ドレインを有するＦin型ダブルゲートＭＯＳＦＥＴの作製",第66回応用物理学会学術講演会, 2005年9月, 9p-ZN-17.
7)今井茂, 川村大地,"2つの島と容量結合した1つのゲートを有するマルチドットライク単電子デバイスの動作",第67回応用物理学会学術講演会, 2006年8月, 31p-M-14.
8)加藤弘樹, 張哲, 今井茂,"非対称ダブルドット単電子単電子トランジスタの解析",第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月, 10p-ZH-5.
9)今井茂,"3つのドット−ゲート間容量を有する単電子デバイスのターンスタイル動作解析",第70回応用物理学会学術講演会, 2009年9月, 10p-ZH-6.
10)大山輝明, 大上俊, 今井茂,”不均一な接合容量を有するトリプルドット単電子デバイスの解析(1)”,第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月, 20a-P14-9.
11) 大上俊, 大山輝明, 今井茂,”不均一な接合容量を有するトリプルドット単電子デバイスの解析(2)”,第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月, 20a-P14-10.
12) 森安瑠維, 森口慎一, 今井茂,”ゲート間容量が不均一なトリプルドット単電子デバイスのターンスタイル動作解析”,第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月, 20a-P14-11.
13) 伊藤雅人, 今井茂,”共通ゲートを有する四重ドット単電子デバイスの動作解析”,第57回応用物理学関係連合講演会, 2010年3月, 20a-P14-12.
14)森口慎一, 森安瑠維, 今井茂,”ゲート容量の異なるトリプルドット単電子デバイスの動作解析”,第71回応用物理学会学術講演会, 2010年9月, 17a-ZT-1.
15)伊東俊輔, 大久保源志郎, 廣瀬靖彦, 今井茂,”ペンタセンを用いたトップコンタクト型トランジスタの製作と評価”,平成22年電気関係学会関西連合大会, 2010年11月, 4P302-10.
16)荒木兼, 中出瑛太, 今井茂,”Gas Phase TransferによりSiO2上に直接成長させたPentacene単結晶を用いたトランジスタの製作”,平成22年電気関係学会関西連合大会, 2010年11月, 4P302-11.
17)宮田昂一郎, 今井茂,”Gas Phase Transferにより基板上に直接成長させたルブレン単結晶を用いたOFETの製作”,平成22年電気関係学会関西連合大会, 2010年11月, 4P302-12.
18)大久保源志郎, 廣瀬靖彦, 小林大祐, 牧野淳平,今井茂,”真空蒸着により堆積したルブレンを用いたトップコンタクト型のOFETの製作”,第72回応用物理学会学術講演会, 2011年9月, 1a-R-3.
19)森口慎一, 森安瑠維, 今井茂,”ゲート容量の異なるトリプルドット単電子デバイスの動作解析2”,第72回応用物理学会学術講演会, 2011年9月, 1p-ZQ-9.
20)森安瑠維, 森口慎一, 今井茂,”熱エネルギーを考慮した単電子デバイスのターンスタイル動作解析”,第72回応用物理学会学術講演会, 2011年9月, 1p-ZQ-10.
21)小林大祐, 大久保源志郎, 今井茂,” Ar雰囲気下で熱処理を施したルブレン蒸着膜を用いたOTFTの作製”,平成23年電気関係学会関西連合大会, 2011年10月, 30P4-3.
22)牧野淳平, 廣瀬靖彦, 大久保源志郎, 今井茂,”貼り合わせによる高性能なOTFTの製作”,平成23年電気関係学会関西連合大会, 2011年10月, 30P4-8.
23)今井 茂, 平岡 靖啓,” ダブルドット単電子トランジスタの安定領域”,第73回応用物理学会学術講演会, 2012年9月, 12a-C8-9.
24)中嶌篤志, 今井 茂,”ゲート容量が非対称な共通ゲート三重ドット単電子ターンスタイルの動作解析”,第74回応用物理学会秋季学術講演会, 2013年9月, 19p-D7-16.
25)雨堤雅樹, 今井茂,”ゲート容量の異なる共通ゲート４重ドット単電子ターンスタイルの動作解析”,平成25年電気関係学会関西連合大会, 2013年11月, G6-16.
26)久保田直樹、今井茂,”接合容量が非対称な共通ゲート三重ドット単電子デバイスの動作解析”,平成26年電気関係学会関西連合大会, 2014年11月, G6-21.
27)小端哲平、今井茂,”非対称なゲート容量を持つ共通ゲート三重ドット単電子デバイスのポンプ動作解析”,平成26年電気関係学会関西連合大会, 2014年11月, G6-22.
