| No. |
Title |
Conference |
Author |
| 1 |
透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO4基板上RF-MBE 成長GaN の極微構造評価 |
日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 |
和田邑一, 黒田悠弥, 栢本聖也, 後藤直樹, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石裕児, 福田承生, 荒木努 |
| 2 |
Snドープm面α-Ga2O3の抵抗値温度依存性 |
日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 |
山下修平, 城川潤二郎, 柳生慎悟, 四戸孝, 荒木努 |
| 3 |
カソードルミネッセンス法を用いたm面サファイア基板上Sn-doped α-Ga2O3の深い準位に関する研究 |
日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 |
守屋亮, 城川潤二郎, 四戸孝, 肖世玉, 三宅秀人, 荒木努 |
| 4 |
アルコールCVD法を用いたnon-Bernal積層グラフェンの作製 |
日本材料学会 2021年度第2回半導体エレクトロニクス部門委員会第1回研究会 |
浅田智浩, 薮田翔平, 荒木努, 毛利真一郎 |
| 5 |
Metal Deposition on a Suspended Graphene Surface |
第61回フラーレン・ナノチューブ･グラフェン総合シンポジウム |
Y. Kawase, K. Matsushima, J. Doi, T. Araki, S. Mouri |
| 6 |
透過X線トポグラフィーによるScAlMgO4結晶の転位の評価 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
石地耕太朗, 藤井高志, 荒木努, 福田承生 |
| 7 |
THz-TDSエリプソメトリを用いたグラフェンの電気的特性評価 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
鈴木拓輝, 藤井高志, 毛利真一郎, 岩本敏志, 上田悠貴, 成塚重弥, V .C. Agulto, 中嶋誠, 荒木努 |
| 8 |
透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO4基板上RF-MBE成長GaNの極微構造評価 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
和田邑一, 黒田悠弥, 栢本聖也, 後藤直樹, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石裕児, 福田承生, 荒木努 |
| 9 |
RF-MBE法を用いたScAlMgO4基板上InGaNエピタキシャル成長Ⅱ |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
後藤直樹, 栢本聖也, 黒田悠弥, 和田邑一, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石佑児, 福田承生, 荒木努 |
| 10 |
Snドープm面α-Ga2O3の抵抗値温度依存性 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
山下修平, 城川潤二郎, 柳生慎悟, 四戸孝, 荒木努 |
| 11 |
【学生優秀発表賞受賞】ラマン分光を用いた架橋ツイスト2層グラフェンの熱伝導測定 |
日本物理学会2021年秋季大会 |
土井惇太郎, 荒木努, 毛利真一郎 |
| 12 |
RF-MBE法による極薄GaN/AlN超格子構造の作製 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
杢谷直哉, 和田邑一, 毛利真一郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努 |
| 13 |
RF-MBE法によるGaN/ScAlMgO4成長形態の基板ステップ間隔依存性 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
黒田悠弥, 和田邑一, 栢本聖也, 後藤直樹, 藤井高志, 毛利真一郎, 白石裕児, 福田承生, 荒木努 |
| 14 |
AlNテンプレート基板上にRF-MBE法で成長したInNの発光特性 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
中山大輝, 毛利真一郎, 福田安莉, 高林佑介, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努 |
| 15 |
DERI法を用いたInN結晶成長の成長温度依存性に関する研究 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
張同舟, 後藤直樹, 毛利真一郎, 荒木努 |
| 16 |
RF-MBE法を用いたN極性AlNテンプレート基板上InN結晶成長 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
篠田悠平, 福田安莉, 橘秀紀, 毛利真一郎, 正直花奈子, 三宅秀人, 荒木努 |
| 17 |
架橋グラフェン上における窒化インジウムのファンデルワールスエピタキシー |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
河瀬裕太, 松島健太, 土井惇太郎, 荒木努, 毛利真一郎 |
| 18 |
TEM観察を用いたSapphireオフ基板上成長α-Ga2O3の結晶欠陥評価 |
2021年秋季第82回応用物理学会学術講演会 |
山下修平, 早川紘生, 城川潤二郎, 柳生慎悟, 四戸孝, 荒木努 |
| 19 |
Growth and Raman Characterization of Non-Bernal Stacking Few-Layer Graphene by Alcohol CVD Method |
40th Electronic Materials Symposium |
T. Asada, S. Yabuta, T. Araki and S. Mouri |
| 20 |
Anisotropy of Electrical Characteristics in M-Face α-Ga2O3 Grown by Mist CVD |
40th Electronic Materials Symposium |
S.Yamashita, J. Kikawa, S. Yagyu, T. Shinohe, T. Araki |
| 21 |
Photoluminescence Properties of MBE-Regrown GaN on Free-Standing GaN Substrate |
40th Electronic Materials Symposium |
D. Nakayama, R. Imamura, S. Mouri, T. Araki |
| 22 |
Temperature Dependence of the Current Voltage Characteristics of Ni Schottky Barrier Diodes on Highly Doped n Type α Ga2O3 |
40th Electronic Materials Symposium |
Y. Yamafuji, J. Kikawa, S. Yagyu, T. Shinohe, T. Araki |
| 23 |
Microstructural Characterization of GaN Films Grown on ScAIMgO4 Substrate via RF-MBE |
40th Electronic Materials Symposium |
Y. Wada, Y. Kuroda, S. Kayamoto, N. Goto, T. Fuji, S. Mouri, Y. Shiraishi, T. Fukuda, and T. Araki |
| 24 |
DERI法を応用したScAlMgO4基板上InGaNエピタキシャル成⻑ |
第50回結晶成長国内会議（JCCG-50） |
後藤直樹，栢本聖也，黑田悠弥，和田邑一，藤井高志，毛利真一郎，白石佑児，福田承生，荒木努 |
| 25 |
【チュートリアル】ScAlMgO4基板上窒化物半導体結晶RF-MBE 成長の最近の進展 |
第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 |
荒木努 |
| 26 |
グラフェン上での InN MBE 成長における窒素プラズマ照射時間の検討 |
第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 |
松島健太、土井惇太郎、荒木努、毛利真一郎 |
| 27 |
透過電子顕微鏡を用いたScAlMgO4基板上RF-MBE成長InGaNの構造評価 |
第13回ナノ構造エピタキシャル成長講演会 |
和田邑一、黒田悠弥、栢本聖也、後藤直樹、藤井高志、毛利真一郎、白石裕児、福田承生、杉江隆一、荒木努 |
| 28 |
アルコールCVD法を用いたGaN上への酸化グラフェン成長 |
2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 |
薮田翔平, 河瀬流星, 荒木努, 毛利真一郎 |
| 29 |
RF-MBE法によるDERI法を用いたScAlMgO4基板上GaN結晶成長 |
2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 |
黒田悠弥，和田邑一，栢本聖也，後藤直樹，藤井高志, 毛利真一郎，荒木努 |
| 30 |
THz-TDSEを用いたr面サファイア基板上グラフェンの電気的特性評価 |
2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 |
鈴木拓輝, 渡邉迅登, 藤井高志, 毛利真一郎, 岩本敏志, 福西康寛, 成塚重弥, 荒木努 |
| 31 |
ミストCVD法によるScAlMgO4基板上Ga2O3成長 |
2022年春季第69回応用物理学会学術講演会 |
守屋亮, 高根倫史, 山下修平, 山藤祐人, 城川潤二郎, 松倉誠, 小島孝広, 四戸孝, 金子健太郎, 荒木努 |
