総括班
立命館大学・教授 名西 やすし（領域代表、A01統括）
千葉大学・教授 吉川 明彦（A02統括）
名城大学・教授 天野 浩（A03統括）
上智大学・教授 岸野 克巳（A04統括）
京都大学・教授 川上 養一（幹事）
京都大学・准教授 船戸 充（幹事補佐）
立命館大学・准教授 荒木 努（幹事補佐）
-評価担当－
赤﨑 勇 （名城大学大学院・特任教授、名古屋大学・特別教授、名誉教授 ）
佐々木 昭夫（京都大学・大阪電気通信大学 名誉教授 ）
高橋 清（東京工業大学・名誉教授、最高裁判所・専門委員）
西永 頌（豊橋技術科学大学・客員教授、東京大学・名誉教授）
計画研究代表者
【研究項目A01 結晶成長技術】
立命館大学・教授 名西 やすし
RF-MBE法によるInNおよび関連混晶の成長と量子ナノ構造の形成
東京大学・教授 藤岡 洋
パルス励起堆積法による窒化インジウム系半導体の低温成長
三重大学・教授 平松 和政
高Al組成AlGaNのエピタキシャル成長と欠陥制御技術
東京農工大学・教授 纐纈 明伯
原料分子制御法によるAlNおよびAlGaN混晶の厚膜エピタキシャル成長
【研究項目A02 物性評価】
千葉大学・教授 吉川 明彦
極広域分光による窒化物半導体ナノデバイス構造の精密評価
京都大学・教授 川上 養一
高In組成InGaNおよび高Al組成AlGaNの輻射・非輻射再結合過程の解明と制御
筑波大学・助教授 上殿 明良
III族窒化物半導体の点欠陥と発光ダイナミックスの研究
【研究項目A03 短波長デバイス基盤技術】
名城大学・教授 天野 浩
ワットクラス超高出力紫外レーザダイオードの実現
工学院大学・教授 川西 英雄
高品質AlGaN結晶の成長と紫外・深紫外発光デバイス
理化学研究所・チームリーダー 平山 秀樹
InAlGaN窒化物４元混晶を用いた紫外高効率発光デバイスの研究
【研究項目A04 長波長デバイス基盤技術】
上智大学・教授 岸野 克巳
赤色〜赤外域AlGaInN系光デバイス基盤技術の開拓
福井大学・教授 山本 あき勇
InAlN系多接合タンデム太陽電池の研究
大阪大学・教授 近藤 正彦
再現性に優れるGaInNAs結晶技術の確立および長波長半導体レーザへの適用
公募研究代表者
【研究項目A01 結晶成長技術】
東京大学・教授 尾鍋 研太郎
有機N原料によるInNおよび関連混晶薄膜のMOVPE成長
【研究項目A02 物性評価】
北海道大学・教授 橋詰 保
窒化物半導体混晶のバルク準位評価とナノ構造表面制御
東北大学・教授 米永 一郎
ナイトライド半導体結晶中の転位の運動特性と電子・光学物性の解明
山口大学・准教授 山田 陽一
深紫外混晶半導体における高密度励起子系の光物性評価と光機能性
金沢工業大学・教授 山口 敦史
窒化物半導体の電子状態・光学特性の理論解析とデバイス構造提案
【研究項目A03 短波長デバイス基盤技術】
立命館大学・准教授 武内 道一
2光束成長その場観察技法を用いた縦型深紫外発光素子の高出力化に関する研究
【研究項目A04 長波長デバイス基盤技術】
大阪大学・教授 朝日 一
InGaNベース強磁性半導体による長波長円偏光半導体レーザ創製に関する研究