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荒木 努グループリーダーらの研究成果が“Journal of Applied Physics”に表紙掲載｜パワー半導体炭化ケイ素(SiC)のイオン注入/アニール処理で生じる表面荒れに関する研究報告

R-GIRO 第4期研究プログラム「カーボンニュートラル実現へ向けた高効率エネルギー利用技術創成拠点」プロジェクトのグループリーダー荒木 努教授（理工学部 電気電子工学科）らの研究チームは、九州シンクロトロン光研究センターの石地 耕太朗研究員・東レリサーチセンターの杉江 隆一主席研究員らと共同で、「パワー半導体炭化ケイ素(SiC)のイオン注入/アニール処理で生じる表面荒れ」に関する研究成果を発表いたしました。

本研究成果は、2024年5月8日(現地時間)に、"Journal of Applied Physics"に表紙掲載され、日本人研究者が表紙掲載されるのは近年でも数例のみです。

 石地研究員・杉江主席研究員は、本プロジェクト第2グループ（「ワイドギャップ半導体による高効率エネルギー利用基盤技術開発」グループ）の、プロジェクトメンバーとしても研究参画されており、本研究成果により、R-GIRO研究のさらなる推進が見込まれます。

論文情報
・論文名:Effect of carbon coating on surface 高線量注入/アニールSiC
のアニールプロセスにおける構造・著者:Kotaro Ishiji, Makoto Arita, Mariko Adachi, Ryuichi Sugie, Yukihiro Morita, Tsutomu Araki
・発表雑誌: Journal of Applied Physics
・掲載日:2024年5月8日(現地時間)
・URL:https://doi.org/10.1063/5.0205320

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