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半導体材料科学研究室 土田 海渡さんが「Best Poster Award」を受賞｜カーボンニュートラル実現へ向けた高効率エネルギー利用技術創成拠点

R-GIRO 第4期研究プログラム「カーボンニュートラル実現へ向けた高効率エネルギー利用技術創成拠点」プロジェクト（プロジェクトリーダー：折笠 有基教授）のグループリーダー荒木 努教授（理工学部 電気電子工学科）らの研究チームの研究成果について、2024年 6月24日(月)～6月27日(木)に韓国チェジュ島で開催されたThe 9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology (CGCT-9)にてポスター発表がなされ、土田 海渡さん（理工学研究科電子システム系 博士課程前期課程1年／半導体材料科学研究室）が「Best Poster Award」を受賞しました。

学会について

発表研究内容

青色発光ダイオードやスマホ充電器に用いられている窒化物半導体を結晶成長するための基板材料として、ScAlMgO₄基板が注目されています。今回の発表では、ScAlMgO₄基板上に分子線エピタキシー法を用いて成長した窒化インジウムガリウム（InGaN）の物性評価結果について報告しました。 

・ポスタータイトル：”Molecular beam epitaxy growth and properties of InGaN on ScAlMgO₄substrates”
・ポスター著者：K. Tsuchida, Y. Kubo, Y. Yamada, H Watanabe, T. Yagura, M. Deura, T. Fujii, and T. Araki (Ritsumeikan University)

この度は「The 9th Asian Conference on Crystal Growth and Crystal Technology」にてBest Poster Awardを賜り，大変光栄に存じます．今回の受賞に際しまして、ご指導いただいた荒木先生，藤井先生，出浦先生、共同研究企業をはじめ、共に研究に取り組んできた研究室メンバーに深く感謝いたします．賞を頂いたことを励みに、今後も精進したいと思います。
（土田 海渡さん（理工学研究科電子システム系 博士課程前期課程1年／半導体材料科学研究室））

 「ワイドギャップ半導体による高効率エネルギー利用基板技術開発」グループ（荒木グループリーダー）では、窒化物半導体の革新的結晶成長技術開発を進めています。ScAlMgO₄基板上への窒化物半導体成長は、結晶高品質化、基板コスト、プロセス効率化などの課題を解決する技術として注目されており、R-GIROプロジェクト研究の主要テーマとして進めており、すでに4報の関連学術論文が発表されています。

今回の受賞されてたポスターの共著者である、出浦 桃子准教授（立命館グローバル・イノベーション研究機構）、藤井 高志教授（総合科学技術研究機構機構）はともに本R-GIROプロジェクトのメンバーとして参画しています。