- 新しいパワー半導体材料ルチル型GeO₂系混晶半導体の開発とバンドギャップ制御
- 立命館大学広報課
- 立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授(研究当時、京都大学大学院工学研究科 講師)、京都大学大学院工学研究科の高根倫史博士課程学生、若松岳同修士課程学生、田中勝久同教授、東京都立産業技術研究センターの太田優一副主任研究員、立命館大学理工学部の荒木努教授らの研究チームは、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型GeO₂(r-GeO₂)を中心としたルチル型酸化物半導体混晶系(GeO₂-SnO₂-SiO₂)を新たに提案するとともに、実験と計算の両面からの本系の有用性を実証しました。本研究成果は、2022年8月26日(現地時刻)に米国物理学会の国際学術誌「Physical Review Materials」にオンライン掲載されました。プレスリリース全文は、以下をご覧ください。
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