• 2023/02/13
  • 分子線エピタキシー法によるScAlMgO4基板上GaNテンプレート開発に成功 直径65mm SAM基板上GaNテンプレートの評価用テストウェハ供給を開始予定 SAM基板に格子整合するInGaNテンプレート(2インチ)の開発にも着手
  • 立命館大学広報課
  •  立命館大学理工学部電気電子工学科の荒木努教授、総合科学技術研究機構の藤井高志教授、立命館グローバル・イノベーション研究機構(R-GIRO)の出浦桃子准教授らの研究チームと、福田結晶技術研究所(宮城県仙台市、代表取締役社長:福田承生)は、分子線エピタキシー法を用いてScAlMgO4(SAM)基板上GaNテンプレートの開発に成功しました。本件に関連する研究成果は、2023年2月2日に応用物理学会の国際学術誌「Applied Physics Express」にオンライン掲載されました。また関連特許5件についても申請中です。

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