- 【世界初】Phantom SVD(ファントム局所的気相成長)法でSiCへの ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)製膜に成功 ― r-GeO2パワーデバイスの実現へ大きく前進 ―
- 立命館大学広報課
- 立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎研究室(金子健太郎 教授/RARAフェロー)とPatentix株式会社(所在地:滋賀県草津市、代表取締役:衣斐豊祐)は、共同で、次世代半導体材料として注目される「ルチル構造二酸化ゲルマニウム(r-GeO2)」をPhantomSVD(ファントム局所的気相成長)法によって、SiC上に製膜することに世界で初めて成功しました。プレスリリース全文は、以下をご覧ください。
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