【本件のポイント】

・パワー半導体材料SiCの研磨効率を約10倍（※）に向上させる加工技術を新たに開発

・従来技術と比べて、より短い時間で1ナノメートル以下の優れた表面粗さを達成可能

・薬液を必要としない研磨液により環境負荷を低減

※従来法の化学機械研磨と同等の加工条件での比較

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