立命館大学総合科学技術研究機構の金子健太郎教授（研究当時、京都大学大学院工学研究科　講師）、京都大学大学院工学研究科の高根倫史博士課程学生、若松岳同修士課程学生、田中勝久同教授、東京都立産業技術研究センターの太田優一副主任研究員、立命館大学理工学部の荒木努教授らの研究チームは、次世代パワー半導体材料として注目されているルチル型GeO₂（r-GeO₂）を中心としたルチル型酸化物半導体混晶系（GeO₂-SnO₂-SiO₂）を新たに提案するとともに、実験と計算の両面からの本系の有用性を実証しました。

　本研究成果は、2022年8月26日（現地時刻）に米国物理学会の国際学術誌「Physical Review Materials」にオンライン掲載されました。

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