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【公募終了】半導体材料科学分野　専門研究員（ポストドクトラルフェロー）1名公募｜カーボンニュートラル実現へ向けた高効率エネルギー利用技術創成拠点

【着任】2025年4月1日 【応募書類必着】2025年1月31日（金）

半導体材料科学研究室 土田 海渡さんが「Best Poster Award」を受賞｜カーボンニュートラル実現へ向けた高効率エネルギー利用技術創成拠点

荒木 努グループリーダーらの研究成果が“Journal of Applied Physics”に表紙掲載｜パワー半導体炭化ケイ素(SiC)のイオン注入/アニール処理で生じる表面荒れに関する研究報告

R-GIRO出浦 桃子准教授｜「次世代に向けて期待が高まる窒化物半導体の結晶成長技術を開発」

分子線エピタキシー法による ScAlMgO4 基板上 GaN テンプレート開発に成功（「カーボンニュートラル実現へ向けた高効率エネルギー利用技術創成拠点」プロジェクト）