2026年4月20日～24日にかけてパシフィコ横浜で開催された「The Optics and Photonics International Congress (OPIC) 第11回発光デバイスとその産業応用 (LEDIA2026)」において、立命館グローバル・イノベーション研究機構（R-GIRO）の中本 トラン助教が「Young Researcher's Paper Award」を、立命館大学大学院 理工学研究科 電子システム専攻 荒木研究室 博士課程前期課程1回生の南 天翔さんが「Student's Paper Award」を受賞しました。

Young Researcher's Paper Award

講演題目

Unraveling the Kinetic-Thermodynamic Dilemma in Lattice-Matched InGaN Growth on ScAlMgO4 Substrates

著者

T. Nakamoto, Y. Kubo, Y. Nishimura, M. Deura, T. Fujii, T. Araki

　本研究では、次世代の光デバイスとして期待される緑色発光InGaNの実現に向け、ScAlMgO₄（SAM）基板上での格子整合成長における欠陥形成メカニズムの解明に挑みました。マイグレーション促進エピタキシー（MEE）を用いることで、結晶性の改善に成功した一方で、組成保持との間にトレードオフが存在することを明らかにしました。

Student's Paper Award

講演題目

Influence of Growth Interruption on Luminescence Properties of GaN:Eu/GaN Multilayer Structures

著者

T. Minami, K. Miyanaga, T. Ogura, N. Kanzaki, T. Araki, Y. Fujiwara

　本研究では、AR/VR向け赤色LEDとして期待されるGaN:Eu/GaN多層構造において、成長中断が発光特性に与える影響を調査しました。OMVPE法で作製した試料を比較した結果、成長中断を行わない場合は特定のルミネッセンスサイトが増加し、外部量子効率（EQE）が向上することが判明しました。成長中断を避けることで、効率的なEuの取り込みと優れた発光特性が得られることが示されています。

受賞者のコメント

・中本 トラン助教
　この度は、LEDIA において「Young Researcher Paper Award」という名誉ある賞をいただき、大変光栄に存じます。今回の受賞にあたり、親身にご指導いただきました荒木努教授、藤井高志教授、出浦桃子准教授をはじめ、日頃から切磋琢磨している研究室の皆様、そして多大なるご支援をいただいたR-GIRO、JST_NEXUSの関係各位に心より感謝申し上げます。今回の受賞を大きな糧とし、半導体工学の発展に貢献できるよう、より一層研究に精進してまいります。

・南 天翔さん
　この度はLEDIAにおいて「Student's Paper Award」を賜り、心より光栄に存じます。今回の受賞にあたりまして、ご指導いただきました藤原先生、荒木先生をはじめ数多くの助言をいただきました研究員の方々、研究室のメンバーに深く感謝申し上げます。今回の受賞をもとに、これからも様々なことに挑戦し、半導体研究をさらに盛り上げていきたいと思います。