2026年10月11日から15日まで中国・西安で開催された「The 12th Asia-Pacific Workshop on Widegap Semiconductors（APWS 2026）」において、立命館グローバル・イノベーション研究機構（R-GIRO）の中本 トラン助教がBest Oral Awardを受賞しました。

発表の概要

講演題目

Impact of the AlN Nucleation Layer on the Morphology and Crystal Quality of ScAlN Grown on ScAlMgO₄ (0001) by RF-MBE

著者

T. Nakamoto, H. Nishi, D. Maruyama, M. E. Islam, T. Fujii, R. Sugie, T. Araki

　本研究では、高い圧電性・強誘電性を持つ窒化物半導体ScAlNについて、格子整合基板として期待されるScAlMgO₄（SAM）基板上でのRF-MBE法による結晶成長に、世界に先駆けて取り組みました。その結果、SAM基板上に直接成長した膜は成長初期から三次元成長となる一方、極薄のAlN核形成層を挿入し、その膜厚を最適化することで、表面の平坦性と結晶性を同時に向上できることを見いだしました。さらに、成長様式を決める主な要因は格子不整合ではなく成長初期の核形成であることを明らかにし、高品質なScAlN薄膜の実現に向けた指針を示しました。

中本助教のコメント

　このたび、4月の国際会議LEDIA2026に続き、中国・西安で開催された国際ワークショップAPWS 2026においてBest Oral Awardを受賞でき、大変光栄に存じます。ScAlNは次世代の高周波通信デバイスや強誘電体デバイスを支える材料として世界的に研究が加速しており、本ワークショップでも中国・韓国をはじめとする世界各国の多くの研究グループから最新の成果が報告されていました。そのような中で、本学で培ってきたRF-MBE技術とSAM基板を組み合わせた研究成果を国際的に発信し、評価いただけたことを大変うれしく思います。日頃よりご指導いただいている荒木努教授をはじめ、共同研究者の皆様、研究室の皆様に心より感謝申し上げます。
　また、本研究を支えていただいたR-GIRO、JST NEXUS、JSPS科研費をはじめ関係各位に御礼申し上げます。今後も立命館大学の存在感を世界に示せるよう、ScAlNの高品質化とデバイス応用に向けて一層精進してまいります。