2026年9月20日（日）から23日（水）、ベトナム・ハノイで開催された「第2回ベトナム・日本半導体シンポジウム2026（Vietnam-Japan Semiconductor Symposium 2026：VJSS-2026）」に、理工学部の荒木努教授が参加し、次世代半導体材料に関する講演を行いました。
　VJSS-2026は、ベトナム日本大学（Vietnam Japan University）と在日ベトナム知識人協会（AVIJ）を中心に開催された国際シンポジウムです。ベトナムや日本をはじめとする大学・研究機関、政府機関、企業などから多数の参加者が集まり、半導体の設計・材料・製造・パッケージング、AI・量子技術、人材育成、産学連携など、幅広いテーマについて議論が行われました。
　VJSS-2026の模様は、ベトナム国家大学ハノイ校をはじめ、ベトナム政府系メディアや現地メディアでも報道され、荒木教授の講演についても紹介されました。

JST NEXUSを通じた日越共同研究

　荒木教授を日本側研究代表者とする研究課題「理論解析と実験的アプローチによる先進窒化物半導体HEMT材料エンジニアリング」は、2025年、JSTの「日ASEAN科学技術・イノベーション協働連携事業（NEXUS）」日本－ベトナム国際共同研究「半導体」分野に採択されました。
　本プロジェクトでは、立命館大学とベトナムの研究機関が連携し、窒化物半導体を基盤とした高電子移動度トランジスタ（HEMT）の高度化や、高感度バイオセンサーをはじめとする応用に向けた研究に取り組んでいます。
　また、研究開発だけでなく、ベトナムの若手研究者や大学院生の育成もプロジェクトの重要な柱として位置づけられており、研究者の交流や人材育成を通じた日越間の継続的な研究ネットワークの形成を進めています。
　今回のVJSS-2026への参加は、NEXUSによる国際共同研究の成果や研究内容を広く発信するとともに、学生・若手研究者の育成や、ベトナムの大学・研究機関・企業とのネットワークをさらに広げる機会となりました。

300人を超える学生を前に次世代半導体材料を紹介

　9月20日（日）に行われた学生・若手研究者向けの公開講座では、日本からは荒木教授のほか、東京大学の池田誠教授、田中雅明教授が登壇しました。
　荒木教授は、化合物半導体の基礎と将来展望について講演し、窒化ガリウム（GaN）をはじめとする化合物半導体の特徴や、光電子デバイス、パワーエレクトロニクスなどへの応用について紹介しました。また、高性能化と省エネルギー化を両立する次世代デバイスへの展開についても説明しました。
　会場には、ハノイの大学で半導体分野を学ぶ学生を中心に300人を超える参加者が集まり、次世代の研究・産業を担う学生が、半導体材料の基礎から最先端の研究動向までを学ぶ機会となりました。
　また、荒木教授は会期中、研究者を対象とした招待講演を行うとともに、国立研究開発法人科学技術振興機構（通称「JST」）の「日ASEAN科学技術・イノベーション協働連携事業（通称「NEXUS」）」に採択された国際共同研究プロジェクトについて紹介しました。9月23日（水）にはNEXUSの研究プロジェクトに関するセッションも行われ、日越両国の研究者による研究交流が進められました。

　今回のシンポジウムには、理工学部の学部生10人も同行し、国際共同研究の最先端に触れる機会となりました。また、本学ASEAN事務所は日本留学についてプレゼンテーションをおこない、将来の日本への留学を呼びかけました。
　立命館大学では、NEXUSをはじめとする国際共同研究や海外拠点を活用し、ASEAN地域との研究交流、若手研究者の育成、産学連携など、研究の国際展開にも取り組んでいきます。