- TiO2に格子整合した高品質ルチル型GexSn1−xO2デバイスの動作実証 ―高耐圧パワーデバイスへの応用―
- 立命館大学広報課
- 立命館大学総合科学技術研究機構 金子健太郎 教授・RARAフェロー／Patentix株式会社・取締役CTO、京都大学大学院工学研究科 高根倫史 博士後期課程学生、田中勝久 同教授、物質・材料研究機構 大島孝仁 主任研究員、原田尚之 同独立研究者らの研究チームは、次世代パワーエレクトロニクス材料として注目されるルチル型酸化物半導体の1つであるルチル型（r-）GexSn1−xO2混晶の格子整合エピタキシーによる高品質化、および、その高品質なr-GexSn1−xO2（x=~0.53）薄膜を用いたショットキーバリアダイオード（SBD）の動作実証に成功しました。本成果は、極めて低い欠陥密度が要求される高耐圧パワーデバイス材料として、ルチル型酸化物半導体が有用であることを示唆するものです。プレスリリース全文は、以下をご覧ください。
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